“氧化硅层”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果3341519个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]SONOS中氧化硅-氮氧化硅-氧化硅层的制造方法-CN200910057468.3无效
发明人：杨欣;孙勤 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2009-06-25 - 公布日： 2010-12-29 - 主分类号： H01L21/283 文献下载
摘要：本发明公开了一种SONOS中氧化硅-氮氧化硅-氧化硅层的制造方法，第1步，在硅衬底上热氧化生长一层氧化硅，这层氧化硅为隧穿氧化层；第2步，在所述隧穿氧化层上淀积一层富硅氮化硅，所述富硅氮化硅的分子式为SixNy，其中x，y均为自然数，且x/y大于3/4；第3步，采用湿氧氧化工艺对所述富硅氮化硅进行氧化，所述富硅氮化硅变为氮氧化硅；第4步，在所述氮氧化硅上淀积一层氧化硅，这层氧化硅为阻挡氧化层；所述隧穿氧化层、氮氧化硅、阻挡氧化层构成了SONOS中的氧化硅-氮氧化硅-氧化硅层。本发明可以较为精确地控制氮氧化硅中氧的掺杂量，有利于提高工艺稳定性，同时降低了杂质引入的风险。
sonos 氧化制造方法

[发明专利]介电层的制造方法-CN02132362.3有效
发明人：巫勇贤;李政哲 -专利权人：茂德科技股份有限公司
申请日： 2002-09-24 - 公布日： 2004-03-31 - 主分类号： H01L21/314 文献下载
摘要：一种介电层的制造方法，将一衬底置入一炉管中，并于衬底上形成一层氧化硅层，然后，进行回火工艺使氧化硅层变成一层氮氧化硅层。接着，于氮氧化硅层上形成一层氮化硅层。的后，于氮化硅层上形成一氧化硅层。而于衬底上形成氮氧化硅/氮化硅/氧化硅叠层介电层。其中，形成氮氧化硅/氮化硅/氧化硅叠层介电层的工艺都是在同一个炉管中进行，因此可以简化工艺。
介电层制造方法

[发明专利]形成器件隔离区的方法-CN200710126588.5有效
发明人：蒋莉;邹陆军;李绍彬;吴佳特 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-06-22 - 公布日： 2008-04-02 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：一种形成器件隔离区的方法，首先在硅衬底上依次形成垫氧化层和第一氮化硅层；蚀刻垫氧化层、第一氮化硅层及硅衬底，形成沟槽；在第一氮化硅层上形成绝缘氧化层，并将绝缘氧化层填充满沟槽；在绝缘氧化层上形成第二氮化硅层；研磨第二氮化硅层及绝缘氧化层至第一氮化硅层；去除第一氮化硅层和垫氧化硅层，形成浅沟槽隔离结构。经过上述步骤后，由于在氧化硅层上沉积了一层氮化硅层，在对氧化硅层和氮化硅层进行研磨时，对氮化硅的研磨速度比对氧化硅的研磨速度慢，因此在研磨结束后，浅沟槽内氧化硅凹陷情况得以改善。
形成器件隔离方法

[发明专利]一种浮栅型分栅闪存工艺方法-CN202111570227.6在审
发明人：许昭昭 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明提供一种浮栅型分栅闪存工艺方法，在P型衬底上生长浮栅氧化层、第一氮化硅层；形成P型阱，去除第一氮化硅层，在浮栅多晶硅层上形成氧化硅层、第二氮化硅层、牺牲氧化硅层及第三氮化硅层；去除第三氮化硅层；淀积第四氮化硅层，形成侧墙；去除第四氮化硅层；去除侧墙和牺牲氧化硅层及第二氮化硅层、氧化硅层、浮栅多晶硅层及浮栅氧化层；去除牺牲氧化硅层上的第四氮化硅层，去除被暴露的牺牲氧化硅层；沉积选择栅介质层，形成选择栅多晶硅层并掺杂；在选择栅多晶硅层顶部形成保护氧化层；去除第三、第四氮化硅层；刻蚀牺牲氧化硅层、第二氮化硅层、氧化硅层、浮栅多晶硅层，形成LDD区；形成第一、第二侧墙介质层；形成源漏重掺杂区。
一种浮栅型分栅闪存工艺方法

[发明专利]氮氧化硅绝缘结构及其制作方法-CN201310432056.X在审
发明人：江润峰 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-09-22 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本发明提供一种氮氧化硅绝缘结构及其制作方法，所述制作方法包括：提供硅衬底，在所述硅衬底上形成二氧化硅层；在所述二氧化硅层与硅衬底的界面形成第一氮氧化硅层；在所述二氧化硅层上方表面形成第二氮氧化硅层，所述第二氮氧化硅层的氮浓度高于第一氮氧化物硅层的氮浓度；进行退火工艺，对所述第二氮氧化硅层进行稳定处理，所述第二氮氧化硅层、二氧化硅层和第一氮氧化硅层构成所述氮氧化硅绝缘结构。本发明的氮氧化硅绝缘结构能够在防止硼扩散的同时，防止载流子的隧穿效应。
氧化绝缘结构及其制作方法

[发明专利]薄膜堆叠结构、三维存储器及其制备方法-CN201910971659.4有效
发明人：温志杰;魏伯州 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-10-14 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体设计及制造领域，特别是涉及一种薄膜堆叠结构、三维存储器及其制备方法，薄膜堆叠结构的制备方法包括：形成氧化硅层的步骤；形成氮化硅层的步骤；以及形成氢氮氧化硅缓冲层的步骤，其中，所述氢氮氧化硅缓冲层形成于所述氧化硅层与所述氮化硅层之间本发明在氧化硅层及氮化硅层之间插入氢氮氧化硅缓冲层，降低了氧化硅层及氮化硅层间的应力梯度，从而最大限度地减小层间应力差引起的剪应力，提高氧化硅层及氮化硅层的结合强度，防止氧化硅层及氮化硅层间由于应力不平衡引起的开裂风险
薄膜堆叠结构三维存储器及其制备方法

[发明专利]测量氧化硅层－氮化硅层－氧化硅层电学厚度的方法-CN200610118810.2无效
发明人：范建国;郭慧;战玉讯 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-11-28 - 公布日： 2008-06-04 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种检测氧化硅－氮化硅－氧化硅膜厚度的方法，包括下列步骤：在硅基片上洒上静电荷；测量硅基片表面静电荷的电压；将电势换算成氧化硅－氮化硅－氧化硅膜的电学厚度。经过上述步骤，用载流子活性测量仪器SDI直接测量氧化硅层－氮化硅层－氧化硅层的电学厚度，使测量步骤简化，并且测量出来的结果稳定，进而实现制造工艺控制准确，最终产品能达到设计要求。
测量氧化氮化电学厚度方法

[发明专利]一种隧穿硅氧氮层钝化接触太阳能电池及其制备方法-CN201610272824.3有效
发明人：叶继春;曾俞衡;高平奇;韩灿;廖明墩;王丹;蔡亮 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2016-04-27 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： H01L31/048 文献下载
摘要：本发明提供的太阳能电池包括硅片、钝化隧穿层、掺杂薄膜硅层，所述钝化隧穿层位于所述硅片和所述掺杂薄膜硅层之间，其中所述钝化隧穿层为氧化硅/氮氧化硅梯度叠层、氮氧化硅/氮化硅梯度叠层、氧化硅/氮氧化硅/氮化硅梯度叠层中的一种；所述氮氧化硅为掺杂氮的氧化硅或掺杂氧的氮化硅；所述氧化硅/氮氧化硅梯度叠层、氮氧化硅/氮化硅梯度叠层、氧化硅/氮氧化硅/氮化硅梯度叠层的氮浓度从远离硅片侧向硅片侧梯度降低。由于氮化硅和氮氧化硅的隧穿势垒较低，本发明钝化隧穿层可以在保证隧穿效率的前提下适当放宽钝化隧穿层的厚度，从而有利于减少钝化隧穿层孔洞，降低漏电流的发生和复合速度，拓宽工艺窗口和提高工艺稳定性。
一种隧穿硅氧氮层钝化接触太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种半导体电容器-CN201310557141.9有效
发明人：张翠 -专利权人：溧阳市江大技术转移中心有限公司
申请日： 2013-11-08 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： H01L29/92 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体电容器，其包括衬底，衬底上依次具有第一金属电极层、第一氧化硅层、第一致密氧化硅层、氮化硅层、第二致密氧化硅层、第二氧化硅层、第二金属电极层；第一引出电极，其穿透第一氧化硅层、第一致密氧化硅层、氮化硅层、第二致密氧化硅层、第二氧化硅层和第二金属电极层并穿入第一金属电极层的一部分形成；第一引出电极隔离，其穿透第一氧化硅层、第一致密氧化硅层、氮化硅层、第二致密氧化硅层、第二氧化硅层和第二金属电极层形成，从而实现对第一引出电极的电隔离；第二引出电极，其穿入第二金属电极层的一部分形成。
一种半导体电容器

[发明专利]具有保护层的石英玻璃坩埚及其制造方法-CN200910158377.9无效
发明人：杨逸涵;潘敏学;邱恒德 -专利权人：合晶科技股份有限公司
申请日： 2009-07-08 - 公布日： 2011-01-12 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有保护层的石英玻璃坩埚的制造方法，其包括提供一石英玻璃坩埚本体；于该石英玻璃坩埚本体的内侧形成至少一第一氮氧化硅层；再于该第一氮氧化硅层上形成至少一第二氮氧化硅层；再于该第二氮氧化硅层上形成一氮化硅层，该第一氮氧化硅层和第二氮氧化硅层皆由二氧化硅(SiO2)和氮化硅(Si3N4)或氮氧化硅材料所组成，且该第二氮氧化硅层的氮化硅占第二氮氧化硅层的比例较第一氮氧化硅层的氮化硅占第一氮氧化硅层的比例多，该氮化硅层由氮化硅所组成本发明能避免氧原子渗入硅熔汤，且藉由调整氮化硅和/或二氧化硅的量而控制各层状结构的厚度，且能增加石英玻璃坩埚的使用寿命。
具有保护层石英玻璃坩埚及其制造方法

[发明专利]存储器的制造方法-CN202010176400.3有效
发明人：张怡;刘宪周 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2020-03-13 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种存储器的制造方法，包括：提供一衬底，存储区域的衬底上形成有栅氧化层、第一结构层以及字线；外围区域的衬底上形成有栅氧化层、第二结构层以及第一氧化硅层，所述第一结构层中形成有沟槽；依次形成第一氮化硅层、第二氮化硅层和第二氧化硅层；刻蚀所述外围区域的第二氧化硅层、第二氮化硅层、第一氮化硅层以及第一氧化硅层；湿法清洗所述第二结构层表面。在形成所述沟槽以及所述第一氧化硅层之后不立即去除外围区域的第一氧化硅层，而是继续沉积第一氮化硅层、第二氮化硅层和第二氧化硅层，并且在形成所述第二氧化硅层之后去除所述第一氧化硅层，这样不但去除了所述第一氧化硅层
存储器制造方法

[发明专利]STI的形成方法-CN202110084945.6在审
发明人：肖敬才;邱元元;郭振强;黄鹏 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2021-01-21 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：该方法包括在衬底表面形成衬垫氧化层和衬垫氮化硅层；通过光刻和刻蚀工艺，在衬底中形成浅沟槽；形成浅沟槽的内衬氧化层和内衬氮化硅层；沉积氧化硅令浅沟槽被氧化硅完全填充，且氧化硅覆盖衬底；对衬底进行CMP处理；通过刻蚀工艺调整氧化硅层，令氧化硅层的顶部不高于浅沟槽的顶部；去除未被氧化硅层覆盖的内衬氮化硅层；再次沉积氧化硅令浅沟槽被氧化硅完全填充，且氧化硅覆盖衬底；去除衬底表面的氧化硅和衬垫氮化硅层，形成浅沟槽隔离；解决了利用湿法腐蚀工艺去除衬底表面多余的氮化硅层，容易导致浅沟槽隔离的顶角出现凹陷缺陷的问题；达到了提升器件性能的效果。
sti 形成方法

[发明专利]一种半导体器件的制造方法-CN202110388636.8在审
发明人：罗军;袁述;许静;张丹 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-04-12 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种半导体器件的制造方法，方法包括：提供衬底，所述衬底上形成有碳化硅层；采用离子注入对所述碳化硅层进行轰击，以使所述碳化硅层的表层非晶化，形成碳化硅的非晶层；进行氧化工艺，以将所述碳化硅的非晶层氧化为氧化硅层通过采用离子注入对碳化硅层进行轰击，使碳化硅层的表层非晶化，形成碳化硅的非晶层，之后对碳化硅的非晶层进行氧化工艺，生成氧化硅层。相较于致密的碳化硅层，碳化硅的非晶层在进行氧化工艺时具有更快的氧化速度，并且碳化硅的非晶层在进行氧化工艺时，通过固相外延再次生长，能够改善SiC和氧化硅的界面质量。
一种半导体器件制造方法

[发明专利]浅沟槽隔离结构的制作方法-CN202110032273.4在审
发明人：胡俊;王二伟;赵健材;李君 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-01-11 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本申请提供了一种浅沟槽隔离结构的制作方法，浅沟槽隔离结构的制作方法包括：提供衬底；在衬底上依次形成氧化硅层、氮化硅层和氮氧化硅层；在氮氧化硅层上形成依次贯穿氮氧化硅层、氮化硅层、氧化硅层和部分衬底的凹槽；向凹槽填充氧化硅以形成浅沟槽隔离；采用酸蚀剂将氮氧化硅层和氮化硅层去除，以露出氧化硅层。通过采用酸蚀剂同时将氮氧化硅层和氮化硅层去除，相对于现有的采用干法刻蚀去除氮氧化硅层的方案，一方面，减少了干法刻蚀以及湿法清洗的工序，从而降低了成本，另一方面，相对干法刻蚀，采用酸蚀剂的工艺成本较低，进一步降低了成本
沟槽隔离结构制作方法

[发明专利]双压电晶片元件、双压电晶片开关、密勒元件及其制造方法-CN200580029357.1无效
发明人：高柳史一;三瓶广和 -专利权人：爱德万测试株式会社
申请日： 2005-08-31 - 公布日： 2007-08-29 - 主分类号： H01H61/01 文献下载
摘要：一种双压电晶片元件，具备：氧化硅层；高膨胀率层，其形成在氧化硅层上且具有较此氧化硅层的热膨胀率还高的热膨胀率；以及变形防止层，其覆盖氧化硅层的表面，以防止氧化硅层由于经常变化所形成的变形。变形防止层变形防止层相对于水份和氧的透过率亦可较氧化硅层还低，变形防止层亦可以是一种以较形成氧化硅层时还高的能量来进行成膜时所形成的氧化硅，变形防止层亦可为氮化硅层或金属层。
压电晶片元件开关及其制造方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条