|
|
钻瓜专利网为您找到相关结果 13个，建议您 升级VIP下载更多相关专利
- [发明专利]CIS像素隔离区的制造方法-CN202210851427.7在审
-
庞昌蒙;邱元元;朱作华;肖敬才
-
华虹半导体（无锡）有限公司
-
2022-07-19
-
2022-09-23
-
H01L27/146
- 本申请涉及半导体集成电路技术领域，具体涉及一种CIS半导体器件像素隔离区制造方法。包括：提供CIS基层，CIS基层的上表面形成第一氧化层；在第一氧化层上依次沉积形成多晶硅层和第二氧化层；在第二氧化层上，通过光阻层定义出隔离区图案，隔离区图案对应相邻两个像素单元区的间隔位置；基于隔离区图案，以多晶硅层为刻蚀停止层，对第二氧化层进行刻蚀，使得隔离区图案转移到第二氧化层中；去除光阻层后，基于第二氧化层中的隔离区图案，以第一氧化层为刻蚀停止层，对多晶硅层进行刻蚀，使得隔离区图案转移到多晶硅层中；去除第二氧化层后，基于多晶硅层中的隔离区图案，进行高能量离子注入，在隔离区图案对应的CIS基层中形成隔离区。
- cis像素隔离制造方法
- [发明专利]CMOS图像传感器的制造方法-CN202110428528.9有效
-
邱元元;肖敬才;朱作华;范晓
-
华虹半导体（无锡）有限公司
-
2021-04-21
-
2022-06-07
-
H01L27/146
- 本发明公开了一种CMOS图像传感器的制造方法，像素隔离结构的形成步骤包括：提供形成了有源区隔离结构的半导体衬底；形成离子注入硬质掩膜层；依次形成第一介质层、APF层和第二DARC层；涂布光刻胶并进行曝光和显影形成光刻胶图形；依次对第二DARC层、APF层、第一介质层和离子注入硬质掩膜层进行刻蚀将图形逐步转移到离子注入硬质掩膜层上；在对离子注入硬质掩膜层进行刻蚀时，APF层作为刻蚀硬质掩膜层，APF层厚度会损耗而使APF层的开口变宽；第一介质层的开口保持不变并从而使得离子注入硬质掩膜层的开口保持不变；进行离子注入。本发明能在形成定义像素隔离结构的离子注入硬质掩膜层图形过程中既满足光刻和刻蚀的工艺窗口的要求，由能实现图形的较好转移。
- cmos图像传感器制造方法
- [发明专利]STI的形成方法-CN202110084945.6在审
-
肖敬才;邱元元;郭振强;黄鹏
-
华虹半导体（无锡）有限公司
-
2021-01-21
-
2021-06-08
-
H01L21/762
- 本申请公开了一种STI的形成方法的形成方法，涉及半导体制造领域。该方法包括在衬底表面形成衬垫氧化层和衬垫氮化硅层；通过光刻和刻蚀工艺，在衬底中形成浅沟槽；形成浅沟槽的内衬氧化层和内衬氮化硅层；沉积氧化硅令浅沟槽被氧化硅完全填充，且氧化硅覆盖衬底；对衬底进行CMP处理；通过刻蚀工艺调整氧化硅层，令氧化硅层的顶部不高于浅沟槽的顶部；去除未被氧化硅层覆盖的内衬氮化硅层；再次沉积氧化硅令浅沟槽被氧化硅完全填充，且氧化硅覆盖衬底；去除衬底表面的氧化硅和衬垫氮化硅层，形成浅沟槽隔离；解决了利用湿法腐蚀工艺去除衬底表面多余的氮化硅层，容易导致浅沟槽隔离的顶角出现凹陷缺陷的问题；达到了提升器件性能的效果。
- sti形成方法
- [发明专利]浅沟槽隔离的形成方法-CN202110080417.3在审
-
肖敬才;邱元元;郭振强;黄鹏
-
华虹半导体（无锡）有限公司
-
2021-01-21
-
2021-06-08
-
H01L21/762
- 本申请公开了一种浅沟槽隔离的形成方法，涉及半导体制造领域。该方法包括在衬底上形成垫氧化层和硬掩膜层，硬掩膜层的材料为氮化硅；通过光刻和刻蚀工艺，在衬底中形成沟槽；对衬底进行湿法腐蚀处理，去除沟槽外侧的部分硬掩膜层以及令硬掩膜层的顶角圆滑；形成一层氧化层；去除氧化层，令沟槽外侧的衬底表面露出；再次形成氧化层，沟槽的侧壁和底部被氧化层覆盖，且沟槽的顶角圆滑；形成氮化硅层，氮化硅层覆盖氧化层；利用氧化硅填充沟槽，形成浅沟槽隔离；解决了现有的浅沟槽隔离结构在形成过程中容易出现侧壁薄膜变形缺陷的问题；达到了在降低暗电流对器件性能影响的同时，避免浅沟槽侧壁薄膜出现变形缺陷，提高器件性能的效果。
- 沟槽隔离形成方法
|
