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[发明专利]功率转换装置及电动助力转向装置-CN202080104846.3在审
发明人：森辰也;池田纮子;久保建太;广谷迪 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2020-07-22 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H02P6/10 文献下载
摘要：本发明的功率转换装置的特征在于，在逆变器(6)的下臂开关元件(SN)和负极侧输入端子之间连接电流检测用电阻(8)时，设定为逆变器(6)的输出端子和正极侧输入端子之间的导通电阻(Rp)比逆变器(6)的输出端子和负极侧输入端子之间的导通电阻中除电流检测用电阻之外的导通电阻(Rn)要大，在上臂开关元件(SP)和正极侧输入端子之间连接电流检测用电阻(8)时，设定为逆变器(6)的输出端子和负极侧输入端子之间的导通电阻(Rn)比逆变器(6)的输出端子和正极侧输入端子之间的导通电阻中除电流检测用电阻之外的导通电阻
功率转换装置电动助力转向

[发明专利]一种超低比导通电阻的横向高压器件-CN201310743344.7有效
发明人：乔明;章文通;李燕妃;李肇基;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2013-12-30 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及半导体功率器件技术领域，涉及一种超低比导通电阻的横向高压器件。本发明的超低比导通电阻的横向高压器件在N型漂移区中引入了高浓度的N型掺杂条为开态电流提供低阻通道，在介质槽中引入体场板辅助耗尽N型漂移区和N型掺杂条，提高器件的击穿电压。本发明的有益效果为，具有导通电阻低、耐压高和版图面积小的优点，同时还降低了工艺难度和成本。本发明尤其适用于超低比导通电阻的横向高压器件。
一种通电横向高压器件

[发明专利]一种SGT MOSFET器件优化设计方法-CN202210777865.3有效
发明人：王新;代同振;周仲建;张乃介;张帅 -专利权人：成都复锦功率半导体技术发展有限公司
申请日： 2022-07-04 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件技术领域，公开了一种SGT MOSFET器件优化设计方法，本方法从SGT MOSFET的物理结构出发，建立器件的比导通电阻模型并进行验证，最后绘制SGT MOSFET器件比导通电阻随平台区宽度以及沟槽宽度变化的曲线图表，最终从曲线图表中选择器件最佳比导通电阻时的平台区宽度以及沟槽宽度作为SGT MOSFET器件的结构设计参数。本发明可以准确分析器件导通电阻随结构参数变化的趋势，对指导该类器件研制具有一定参考价值。
一种 sgt mosfet 器件优化设计方法

[发明专利]一种小比导通电阻的MOSFET理想开关结构-CN201911306118.6在审
发明人：廖永波;李平;曾祥和;胡兆晞;唐瑞枫;林凡;李垚森;邹佳瑞;聂瑞宏;彭辰曦;冯轲 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-12-18 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：新型小比导通电阻的MOSFET理想开关结构，涉及半导体器件以及相关的工艺实现方法。本发明的新型小比导通电阻的MOSFET理想开关采用纵向、四面栅极的器件结构。本发明所要解决的关键技术问题是：提供一种新型小比导通电阻的MOSFET理想开关结构及其工艺实现方法，通过采用N型MOSFET、N‑漂移区和四面沟道的结构，以及半导体材料的选择，增大了导通电流密度，降低了导通电阻
一种通电 mosfet 理想开关结构

[发明专利]一种具有超低比导通电阻特性的高压功率器件-CN201410424546.X有效
发明人：张波;章文通;陈钢;乔明;李肇基 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2014-08-26 - 公布日： 2014-12-10 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明涉及半导体功率器件技术领域，具体的说是涉及一种具有超低比导通电阻特性的高压功率器件。本发明基于全域积累概念，提出一种超低比导通电阻高压功率器件。该器件漂移区使用低掺杂并在引入跨过整个漂移区的全域薄层介质，设计使得器件关态时器件能承受高电压，开态时形成横跨整个漂移区的积累层，降低比导通电阻，缓解了器件比导通电阻与耐压的矛盾关系。
一种具有通电特性高压功率器件

[实用新型]一种SGT MOSFET器件结构-CN202321182501.7有效
发明人：田甜;廖光朝 -专利权人：重庆云潼科技有限公司
申请日： 2023-05-17 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种SGTMOSFET器件结构，该器件结构为双层浓度的外延结构，包括用于降低器件比导通电阻的顶部外延层(3)和用于降低器件反偏漏电的底部外延层(4)。本器件结构采用双层浓度的外延结构，顶部浓度的外延层用于降低器件比导通电阻(Rsp)，底部浓度的外延层起降低反偏漏电作用，既有效地降低了器件的比导通电阻，又保证了器件反偏时的低漏电。
一种 sgt mosfet 器件结构

[发明专利]半导体模块和电力转换装置-CN201710253726.X在审
发明人：清水浩史;木村光德;持木健吾;山平优;松冈哲矢;福岛和马;大河内靖之 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2017-04-18 - 公布日： 2017-10-31 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：在低电流区域中，MOSFET的导通电阻比IGBT的导通电阻低。相较而言，在高电流区域中，IGBT的导通电阻比MOSFET的导通电阻低。
半导体模块电力转换装置

[发明专利]一种带有双栅的变K槽型LDMOS-CN201810695355.5在审
发明人：吴丽娟;朱琳;黄也;吴怡清;张银艳;雷冰 -专利权人：长沙理工大学
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：（2）利用双RESURF技术在双槽之间引入的垂直P柱可以将等势线延伸至漂移区底部从而充分利用器件漂移区，调制器件体内电场可进一步提升器件的击穿电压还可大幅提高漂移区浓度降低比导通电阻。（3）当器件开启时双栅会给电流提供双导通沟道，从而降低器件的比导通电阻。本发明的有益效果为，具有比导通电阻低、耐压高和版图面积小的优点，尤其适用于超低比导通电阻的横向高压半导体功率器件。
比导通电阻漂移区双栅槽型耐压半导体功率器件功率半导体器件传统结构电流提供调制器件横向高压击穿电压降低器件浓度降低提升器件电场等势线双介质引入折叠导通沟道双槽垂直体内延伸

[发明专利]具有串联槽栅结构的多叠层功率器件-CN201810010047.4在审
发明人：李琦;张昭阳;李海鸥;陈永和;张法碧;傅涛;袁雷雷 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2018-01-05 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种能够提高器件耐压，降低比导通电阻的具有串联槽栅结构的多叠层功率器件；该结构的栅极采用了槽型结构，槽栅一直延伸到埋氧层，与p阱形成了纵向导电沟道，同时，槽栅与漂移区形成了纵向电子积累层，使电流传导区域在纵向得到显著扩展，降低了器件比导通电阻；漂移区包含多个与纵栅相连接P型的埋层，器件上部采用表面多晶硅氧化层结构，形成级联栅多个器件并联结构；采用该具有串联槽栅结构的多叠层功率器件,有效提高了器件的击穿电压和降低比导通电阻,使得电场分布更加均匀，形成多个级联导通电流。
比导通电阻功率器件串联槽多叠层栅结构漂移区槽栅级联多晶硅氧化层并联结构槽型结构导电沟道导通电流电场分布电流传导电子积累多个器件击穿电压埋氧层埋层耐压纵栅延伸

[发明专利]光检测装置-CN202010155440.X有效
发明人： T·T·塔;崔明秀 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2020-03-09 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G01J1/42 文献下载
摘要：光检测装置具备：光检测元件；第1复位电路，切换是否将第1电压节点与光检测元件的一端之间的导通电阻设为第1值；第2复位电路，切换是否将第1电压节点与光检测元件的一端之间的导通电阻设为比第1值小的第2值；以及控制电路，在光检测元件检测到光之后，利用第1复位电路将导通电阻设为第1值，之后利用第2复位电路将导通电阻设为第2值。
检测装置

[发明专利]一种有效减小导通电阻的薄栅氧N型LDMOS结构-CN201410140117.X在审
发明人：朱伟民;邓晓军 -专利权人：无锡友达电子有限公司
申请日： 2014-04-10 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种有效减小导通电阻的薄栅氧N型LDMOS结构，在漏端增加了一层较浅的N型注入层，因此漏端杂质总量较多，体电阻较小。由于决定N型LDMOS导通电阻的主要是漏端的体电阻。体电阻越小，N型LDMOS导通电阻也就相应越小，电路输出功率也就越大。采用增加N型注入层新结构的N型LDMOS管，其导通电阻优于采用常规技术的N型LDMOS管。本发明中逻辑CMOS和其他所有器件与常规工艺是兼容的；N型LDMOS和5VCMOS有相同的栅压，不需要其他功能模块来转换；在同样的击穿电压下，其导通电阻比常规的小36%。本发明能够有效减小芯片尺寸，降低芯片设计成本，在降低导通电阻、提高输出功率方面有很强的竞争力。
一种有效减小通电薄栅氧 ldmos 结构

[发明专利]具有低比导通电阻的横向高压器件-CN201811288618.7在审
发明人：周锌;赵凯;马阔;王睿迪;乔明;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-10-31 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种具有低比导通电阻的横向高压器件，包括第二型掺杂杂质半导体衬底、第一型掺杂杂质漂移区、第二型掺杂杂质阱区、第二型掺杂杂质接触区、第一型掺杂杂质源区、第一型掺杂杂质阱区、第一型掺杂杂质漏区、介质层在所述第二型掺杂杂质阱区到第一型掺杂杂质阱区之间区域的正上方及左右两侧的介质层中还设置有n个电极，n≥2，n个电极中任意两电极在第二型掺杂杂质阱区到第一型掺杂杂质阱区的方向上的投影之间有间隔，且每个电极偏置在固定不同的电位，本发明提供的横向高压器件可在提高器件耐压的同时降低器件的导通电阻，有效缓解了横向高压器件导通电阻与耐压之间的矛盾。
掺杂杂质阱区横向高压器件电极比导通电阻导通电阻介质层耐压电位多晶硅栅降低器件漏极金属有效缓解源极金属左右两侧接触区漂移区衬底漏区偏置源区半导体投影矛盾

[发明专利]一种横向功率器件-CN202110175348.4有效
发明人：魏杰;李杰;戴恺纬;马臻;李聪聪;罗小蓉 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-02-09 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：正向导通时，栅结构与场板结构下方的漂移区表面产生连续的电子积累层，形成积累型输运模式，以降低器件比导通电阻；反向阻断时，场板结构中反偏的PN结承受耐压，且场板结构不仅能辅助耗尽漂移区以提高漂移区掺杂浓度而降低器件比导通电阻相对传统LDMOS，本发明实现高耐压的同时具有更低的比导通电阻。
一种横向功率器件

[发明专利]小比导通电阻的集成化大电流功率器件结构的设计方法-CN200410104298.7无效
发明人：谭开洲 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所;电子科技大学
申请日： 2004-12-22 - 公布日： 2006-01-18 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种小比导通电阻的集成化大电流功率器件结构的设计方法。包括对所述器件的电流处理元胞进行耐压设计，确定原始元胞的元胞尺寸、元胞间距和终端结构；将原始元胞转换成环形元胞；确定器件埋层和有源层单位长度电阻值；进行器件结构的电路等效，绘制等效电路图；绘制环形元胞层数和与其对应的器件比导通电阻值间的关系曲线使用该方法设计所述功率器件时，可对器件的比导通电阻进行有效控制，节省器件面积，是一种比同类器件制造结构的现有设计方法具有设计性能更好、更经济的大电流功率器件制造结构设计方法。
通电集成化电流功率器件结构设计方法

[发明专利]沟槽型DMOS器件及其制备方法-CN202111679671.1在审
发明人：许超奇;陈淑娴;林峰;李春旭 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：DMOS器件及其制备方法，该沟槽型DMOS器件包括有设置于栅绝缘层内表面的扩展栅层，该扩展栅层包括第二导电类型的第一扩展栅区、第一导电类型的第二扩展栅区和第三扩展栅区，改善了沟槽型DMOS器件的耐压与比导通电阻的矛盾关系，使得沟槽型DMOS器件不仅具有高的耐压，还具有低的比导通电阻。并且该沟槽型DMOS器件为纵向耐压结构，减小了器件面积，从而减小了器件的导通电阻，同时，源极区和漏极区均可以从正面引出，可以兼容CMOS。
沟槽 dmos 器件及其制备方法

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