[发明专利]一种SGT MOSFET器件优化设计方法有效
申请号: | 202210777865.3 | 申请日: | 2022-07-04 |
公开(公告)号: | CN114880880B | 公开(公告)日: | 2022-10-11 |
发明(设计)人: | 王新;代同振;周仲建;张乃介;张帅 | 申请(专利权)人: | 成都复锦功率半导体技术发展有限公司 |
主分类号: | G06F30/20 | 分类号: | G06F30/20 |
代理公司: | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人: | 彭思雨 |
地址: | 610000 四川省成都市中国(四川)*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及半导体器件技术领域,公开了一种SGT MOSFET器件优化设计方法,本方法从SGT MOSFET的物理结构出发,建立器件的比导通电阻模型并进行验证,最后绘制SGT MOSFET器件比导通电阻随平台区宽度以及沟槽宽度变化的曲线图表,最终从曲线图表中选择器件最佳比导通电阻时的平台区宽度以及沟槽宽度作为SGT MOSFET器件的结构设计参数。本发明可以准确分析器件导通电阻随结构参数变化的趋势,对指导该类器件研制具有一定参考价值。 | ||
搜索关键词: | 一种 sgt mosfet 器件 优化 设计 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都复锦功率半导体技术发展有限公司,未经成都复锦功率半导体技术发展有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202210777865.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。