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[发明专利]一种具有P型漂移区的SOI LIGBT-CN202310340052.2在审
发明人：罗小蓉;李杰;王俊楠;戴恺纬;朱鹏臣;卢金龙;魏杰 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种具有P型漂移区的SOI LIGBT。本发明采用了P型漂移区和阴极的载流子存储层，导通时，器件以晶闸管模式工作，N型载流子存储层和阻挡槽栅提高了漂移区的载流子浓度降低了器件的导通压降；正向阻断状态下，阳极侧的N‑区调制了垂直方向的电场，避免了器件的垂直方向上的击穿；关断时，晶闸管的正反馈机制使器件在载流子的抽取过程中始终保持较低电压，在电压上升完成后的电流下降阶段，漂移区内所剩载流子已经不多，电流下降很快，表现出类MOS的关断特性，器件快速关断，关断损耗大大降低。器件的导通压降与关断损耗折中关系得到优化。
一种具有漂移 soi ligbt

[发明专利]一种自适应低损耗功率器件-CN202110829052.X有效
发明人：魏杰;戴恺纬;李杰;杨可萌;马臻;孙燕;罗小蓉 -专利权人：电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院
申请日： 2021-07-21 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体器件技术领域，涉及一种自适应低损耗功率器件。本发明主要特征在于：具有阳极绝缘介质槽和在阳极自适应MOS结构。正向导通时，阳极端自适应MOS结构处于关闭状态，器件导通时不会出现snapback现象；同时阳极端绝缘介质槽可以缓解N+阳极区对器件空穴注入效率的影响。器件关断过程中，随着阳极电压逐步上升，多段分布的P‑body区与N+阳极区形成的多沟道自适应地开启，可加速漂移区内存储的电子抽取，有利于加快器件关断速度并降低关断损耗。器件正向阻断时，阳极自适应MOS开启，提供泄漏电流释放路径，防止寄生PNP晶体管触发，改善器件耐压特性。相比于传统SOI LIGBT，本发明进一步优化了器件关断损耗与正向导通压降之间的折中关系。
一种自适应损耗功率器件

[发明专利]一种具有集成NMOS管的LIGBT器件-CN202011593040.3有效
发明人：杨可萌;戴恺纬;罗小蓉;马臻;邓高强;魏杰;李聪聪;张森;李杰 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种具有集成NMOS管的LIGBT器件。本发明主要特征在于：在P+集电区附近引入一个N+集电区，并在集电区上方集成了NMOS管，该MOS管通过一层绝缘介质与下方的集电区隔离开，一端与集电极P+短接，另一端通过导电材料与集电极N+短接。新器件在反向导通时，集成NMOS管为电流提供了通路，新器件具有更好的反向恢复特性。在正向导通时，本发明通过提高集成NMOS管中P型沟道区的浓度提高阈值电压并防止该MOS管的穿通，即可有效抑制snapback效应。在器件关断时，集成NMOS管为电子抽取提供了路径，使新器件具有更小的关断时间和更低的关断损耗。本发明的有益效果为，相比于传统LIGBT，本发明可实现反向导通的功能且关断损耗更低。
一种具有集成 nmos ligbt 器件

[发明专利]一种具有阳极槽的低功耗横向功率器件-CN202210450409.8有效
发明人：罗小蓉;王俊楠;戴恺纬;朱鹏臣;杨可萌;魏杰;马臻;孙燕 -专利权人：电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院
申请日： 2022-04-24 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有阳极槽的低功耗功率LIGBT器件。相对于传统阳极短路结构，本发明在阳极端引入阳极槽结构，包括阳极槽内的介质、包围介质的U形P掺杂区、位于阳极槽远离漂移区一侧且与U形P掺杂区接触的N型掺杂区，U形P掺杂区的一端与阳极相连，另一端与N型掺杂区的表面共同引出端为浮空的复合电极。在正向导通时，上述U形P掺杂区增大了空穴注入面积，增强了电导调制效应，有效降低了导通电压；在低阳极电压下，U形P掺杂区与N型掺杂区之间相互耗尽，增大阳极分布电阻，有效抑制了snapback现象；在关断过程中，正向电压增加使N型掺杂区的耗尽区变窄，提供了一条电子抽取通道且通过复合电极进行消除，从而减少了关断损耗。
一种具有阳极功耗横向功率器件

[发明专利]一种集成PMOS自适应控制SOI LIGBT-CN202211455011.X在审
发明人：罗小蓉;王俊楠;杨可萌;朱鹏臣;魏杰;戴恺纬;李杰;卢金龙 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-11-21 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种具有集成PMOS自适应控制SOI LIGBT功率器件。相对于传统短路阳极结构，本发明在阳极端一侧引入集成PMOS结构，其与主LIGBT之间设有介质隔离槽，集成PMOS结构栅极电位由漂移区上表面栅控金属电极控制，漏极与阳极N+通过浮空复合电极连接，源极与阳极电极连接。在正向导通初期，集成PMOS结构处于关断状态，器件直接进入双极模式，从而无snapback现象；在关断过程中，集成PMOS自适应开启，通过浮空复合电极对电子和空穴的复合，加速电子的抽取，减少器件的关断损耗；在正向阻断时，集成PMOS自适应开启，抑制了阳极PNP三极管的开启，使器件由双极击穿转换为单极击穿模式，从而提高了器件的耐压。
一种集成 pmos 自适应控制 soi ligbt

[发明专利]一种自适应性高压低损耗功率器件-CN202211453120.8在审
发明人：魏杰;朱鹏臣;王俊楠;杨可萌;戴恺纬;李杰;卢金龙;罗小蓉 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-11-21 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种自适应性高压低损耗功率器件。相比传统LIGBT结构，本发明在LIGBT阳极端引入自适应性NMOS结构，且该NMOS结构栅极由集成二极管控制。正向导通时，NMOS沟道关闭，电子抽取路径被阻断从而消除了snapback(电压折回)效应。关断过程中，随着阳极电压上升，NMOS沟道自适应开启，漂移区内电子经阳极NMOS沟道从N+集电区抽出；同时P+集电区与N型缓冲层几乎等电位短接，抑制P+集电区向漂移区内注入空穴，二者共同加速器件关断以降低关断损耗。反向续流时，新器件二极管端顶层P型10第二N漂移区组成超结结构，缩短了新器件反向恢复时间，降低了反向恢复电荷。因此，本发明具有更快的关断速度，更小的关断损耗和更低的反向恢复损耗。
一种自适应性压低损耗功率器件

[发明专利]一种自适应性高压低损耗功率器件-CN202211453126.5在审
发明人：魏杰;朱鹏臣;王俊楠;杨可萌;戴恺纬;李杰;卢金龙;罗小蓉 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-11-21 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种自适应性高压低损耗功率器件。相比传统LIGBT结构，本发明在LIGBT阳极端引入自适应性PMOS结构，且该PMOS结构栅极由集成二极管控制。正向导通时，PMOS沟道关闭，电子抽取路径被阻断从而消除了snapback(电压折回)效应。关断过程中，随着阳极电压上升，LIGBT阳极PMOS沟道自适应性开启，漂移区内电子由电极11转化为空穴后，经PMOS沟道从P+集电区抽出；同时P+集电区与N型缓冲层几乎等电位短接，抑制P+集电区向漂移区注入空穴，二者共同加速器件关断以降低关断损耗。正向阻断时，P+集电区的空穴电流经POMS沟道由电极11转化为电子电流注入到漂移区，形成类MOS击穿模式，提高了击穿电压。因此，本发明具有更小的关断损耗和更高的击穿电压。
一种自适应性压低损耗功率器件

[发明专利]一种横向低功耗功率器件-CN202211163432.5在审
发明人：魏杰;戴恺纬;朱鹏臣;王俊楠;杨可萌;罗小蓉;孙燕 -专利权人：电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体技术领域，具体的说是涉及一种横向低功耗功率器件。本发明在传统器件的基础上，通过场氧化层上表面布置多晶硅电阻，多晶硅电阻的一端通过第一层金属与N+阳极区相连，另一端通过第一层金属和P+阳极区相连，从而在器件导通时调控阳极端电势分布，使器件更快转换为双极工作模式，以抑制snapback现象，在器件关断时，多晶硅电阻提供额外的电子抽取通路，以加快器件关断速度，减小关断损耗。本发明在器件机理上限制了snapback现象，减小了关断损耗；在版图布局上减小了芯片面积，提高了芯片面积的利用率；在工艺制作上能与传统CMOS工艺兼容。
一种横向功耗功率器件

[发明专利]一种集成SBD的超结MOSFET-CN202010831004.X有效
发明人：罗小蓉;黄俊岳;宋旭;郗路凡;魏杰;戴恺纬;张森 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-08-18 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种集成了SBD的超结MOSFET。本发明相对与传统结构，具有以下几个特点：一、器件采用双槽结构，分别为槽栅结构和肖特基槽型结构，肖特基槽型结构的槽侧壁引入肖特基接触，能够有效节省版图面积和增大续流能力；二、双槽下方引入横向伸长的P型屏蔽层对双槽进行保护，可以抑制集成肖特基二极管的反向泄漏电流，并避免肖特基接触和槽栅底部提前击穿，有效提高击穿电压；三、漂移区采用了超结结构，有效地克服了P型屏蔽层带来的小电流能力问题。本发明的有益效果为，相对于传统集成SBD的SiC MOSFET结构，本发明能够节省版图面积、增强续流能力和抑制体二极管开启能力，同时具有更低的导通压降和更高的击穿电压。
一种集成 sbd mosfet

[发明专利]一种横向功率器件-CN202110175348.4有效
发明人：魏杰;李杰;戴恺纬;马臻;李聪聪;罗小蓉 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-02-09 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种横向功率器件。本发明主要特征在于：漂移区表面的场板结构采用凸出形状，优化漂移区长度。正向导通时，栅结构与场板结构下方的漂移区表面产生连续的电子积累层，形成积累型输运模式，以降低器件比导通电阻；反向阻断时，场板结构中反偏的PN结承受耐压，且场板结构不仅能辅助耗尽漂移区以提高漂移区掺杂浓度而降低器件比导通电阻，还能调制横向电场分布以提高耐压。相对传统LDMOS，本发明实现高耐压的同时具有更低的比导通电阻。
一种横向功率器件

[发明专利]一种高压低阻功率LDMOS-CN202110175351.6有效
发明人：魏杰;戴恺纬;李杰;马臻;李聪聪;罗小蓉 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-02-09 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种高压低阻功率LDMOS。本发明主要特征在于：具有源端凸出的场板结构和漏极内侧集成二极管，有利缩短漂移区长度且不额外增加器件面积。正向导通时，集成二极管反向偏置，场板结构和N型漂移区构成等效MIS电容，在栅结构与场板结构下方的漂移区表面产生连续的电子积累层，形成积累型输运模式，大幅降低器件比导通电阻；反向阻断时，集成二极管正向偏置，场板结构承受表面耐压，辅助耗尽漂移区以提高漂移区掺杂浓度而降低比导通电阻，并调制横向电场分布以提高器件耐压。相对传统LDMOS，本发明实现高耐压的同时具有更低的比导通电阻。
一种压低功率 ldmos

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