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[发明专利]衬底、半导体器件及其制备方法-CN201910934227.6在审
发明人：朱辉;黄宝伟;吴海平 -专利权人：比亚迪半导体股份有限公司
申请日： 2019-09-29 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供了衬底、半导体器件及其制备方法，该衬底包括：第一截止层，在厚度方向上，所述第一截止层中的掺杂浓度均匀分布；第二截止层，所述第二截止层设置在所述第一截止层的一个表面上，在远离所述第一截止层的方向上，所述第二截止层中的掺杂浓度逐渐减小；漂移区，所述漂移区设置在所述第二截止层远离所述第一截止层的表面上，所述漂移区中的掺杂浓度小于等于所述第二截止层中的掺杂浓度。
衬底半导体器件及其制备方法

[实用新型]一种带有耐磨层的红外截止滤光片-CN201922088053.4有效
发明人：龚正红;马志福 -专利权人：昆明沃特隆光学仪器制造有限公司
申请日： 2019-11-28 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： G02B5/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种带有耐磨层的红外截止滤光片，包括透明基板，所述透明基板的左侧固定连接有第一红外截止复合层，所述透明基板的右侧固定连接有第二红外截止复合层，所述第一红外截止复合层包括第一高折射率材料膜层和第一低折射率材料膜层，所述第一红外截止复合层由第一高折射率材料膜层和第一低折射率材料膜层交替堆叠而成，所述第二红外截止复合层包括第二高折射率材料膜层和第二低折射率材料膜层。本实用新型解决了传统的红外截止滤光片对红外线截止率低，使图像不清晰稳定，并且红外线截止滤光片在使用过程中极易被磨损，不但影响了红外截止滤光片的实用性能，并且还影响了红外截止滤光片使用寿命的问题。
一种带有耐磨红外截止滤光

[发明专利]一种截止膜制造方法和截止膜-CN201810211006.1在审
发明人：宫经波 -专利权人：维沃移动通信有限公司
申请日： 2018-03-14 - 公布日： 2018-09-04 - 主分类号： G02B5/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种截止膜制造方法和截止膜，涉及薄膜技术领域。其中，所述方法包括：提供一基底、显示预设颜色的截止型油墨和增透预设光波波段的至少一层功能膜层；在所述基底的第一侧面中的预设区域印刷所述截止型油墨，得到显色油墨层；在所述显色油墨层上依次设置所述至少一层功能膜层，得到截止膜。在本发明实施例中，由于显示特定外观颜色，且具有初步截止特性的截止型油墨的色度调配难度低，因此简单易得，从而无需提供同时保证截止性能和外观颜色的特殊膜材，相应的，功能膜层也可以选取蒸镀难度较低的常见膜材，另外，通过易配色的截止型油墨进行显色，可以提高截止膜外观的显色效果。
截止膜截止型油墨功能膜层外观颜色显色油墨层基底膜材制造薄膜技术领域配色光波波段截止特性截止性能显色效果依次设置预设区域预设颜色色度预设增透蒸镀调配侧面保证

[发明专利]蓝玻璃滤光片及制备方法、摄像模组和电子设备-CN201911412186.0在审
发明人：周彦汝 -专利权人： OPPO广东移动通信有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： G02B5/20 文献下载
摘要：该蓝玻璃滤光片包括：基体，所述基体是由蓝玻璃形成的；第一波长截止胶层以及第二波长截止胶层，在所述基体的厚度方向上，所述第一波长截止胶层位于所述基体的一侧，所述第二波长截止胶层位于朝向所述第一波长截止胶层的所述基体的一侧，或位于远离所述第一波长截止胶层的所述基体的一侧，所述第一波长截止胶层以及第二波长截止胶层均能够截止红外光和紫外光，或者，所述第一波长截止胶层以及第二波长截止胶层中的一个能够截止红外光，另一个能够截止紫外光
玻璃滤光制备方法摄像模组电子设备

[实用新型]紫外红外截止滤光片-CN201821165377.2有效
发明人：张瑞麟;蔡林林;李江波;曹子玉;孙丹芳;汪平锋 -专利权人：利基光电科技（九江）有限公司
申请日： 2018-07-23 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： G02B5/22 文献下载
摘要：本实用新型公开了紫外红外截止滤光片，包括玻璃基板和沉积在所述玻璃基板上方的反射防止层，所述玻璃基板的下方从上到下依次形成有紫外线截止层和红外线截止层，所述玻璃基板与紫外线截止层之间设有紫外线吸收层，所述紫外线截止层与红外线截止层之间设有红外线吸收层本实用新型的有益效果：结构牢固、简单，结合吸收层与反射防止层提高成像质量；接合膜用来平衡与玻璃基板之间的应力，防止膜层破裂。
玻璃基板截止层紫外线红外截止滤光片本实用新型反射防止层红外线红外线吸收层紫外线吸收层从上到下接合膜吸收层膜层沉积成像破裂平衡

[发明专利]一种薄膜单晶压电材料复合基板的制造方法和应用-CN201910351510.6在审
发明人：王信棋;林志东;谢祥政;林彩文 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2019-04-28 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： H01L41/312 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜单晶压电材料复合基板的制造方法和应用，包括以下步骤：S1：在衬底上沉积一层介质材料；S2：于介质材料上沉积一层金属层；S3：涂覆光刻胶，曝光，显影后定义出截止层图形，形成非截止区域；S4：采用湿法蚀刻工艺刻蚀非截止区域的金属层，并去除光刻胶形成截止层；S5：将压电材料与非截止区域的介质材料键合，压电材料的硬度小于截止层的硬度；S6：先将压电材料进行研磨减薄，再采用化学机械研磨，通过截止层控制压电材料的厚度；S7：对衬底的背面进行研磨和抛光；S8：对截止层区域進行激光切割或边磨削，去除截止层。本发明不但工艺简单，而且可避免因离子植入造成的压电材料极化与损伤层修复问题。
压电材料截止层截止区域介质材料薄膜单晶复合基板光刻胶金属层衬底沉积去除化学机械研磨研磨和抛光激光切割湿法蚀刻研磨损伤层极化减薄键合刻蚀磨削涂覆显影与非植入离子应用制造背面曝光修复

[发明专利]沟槽型MOSFET终端-CN202211107410.7在审
发明人：杨科;苏毅;常虹 -专利权人：华羿微电子股份有限公司
申请日： 2022-09-13 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：包括：源极区金属层，栅极区金属层，截止区金属层，依次设置在第一导电外延层内的接地沟槽，悬空沟槽和截止区沟槽；所述源极区金属层通过第四接触孔与位于所述接地沟槽的第一多晶硅层接触；所述截止区金属层通过第五接触孔与位于所述截止区沟槽的栅氧化层接触；所述悬空沟槽位于所述截止区沟槽与所述接地沟槽之间；所述截止区金属层通过第六接触孔与位于所述截止区沟槽一侧的第一导电类型源区接触。
沟槽 mosfet 终端

[发明专利]液晶显示器-CN201110096242.1无效
发明人：林载翊;金宰贤;白种仁 -专利权人：三星移动显示器株式会社
申请日： 2011-04-14 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： G02F1/1334 文献下载
摘要：液晶显示器包括用于显示图像的液晶显示面板和位于所述液晶显示面板上的视角调节层。所述视角调节层包括：下截止偏振片；位于所述下截止偏振片上的下截止电极；面对所述下截止偏振片的上截止偏振片；位于所述上截止偏振片上的上截止电极；和位于所述下截止电极与所述上截止电极之间的液晶囊层。所述液晶囊层包括多个液晶囊。所述多个液晶囊中每一个的直径在50nm与可见光的最短波长之间。
液晶显示器

[发明专利]一种外延缺陷的处理方法-CN201610384817.2在审
发明人：刘冠洲;毕京锋;李明阳;宋明辉;李森林;陈文浚 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2016-06-02 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种外延缺陷的处理方法，包括以下步骤：在所述外延片表面制备至少一层腐蚀截止层；将外延缺陷的凸起部分的腐蚀截止层采用物理方法破坏，露出腐蚀截止层下的外延层；用湿法腐蚀的方法腐蚀上述露出的外延层；去除腐蚀截止层并在外延片表面制备钝化层。
一种外延缺陷处理方法

[发明专利]生物特征感测模块-CN202210811528.1在审
发明人：毛宇农;丘兆仟 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2022-07-11 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开一种生物特征感测模块，其包含分光材料层、红外光截止层以及多个感光元件。红外光截止层位于分光材料层下方。红外光截止层在波长400纳米至590纳米的范围中的穿透率为大于50％，且红外光截止层在波长590纳米至630纳米的范围中的穿透率为大于10％且小于60％。感光元件位于红外光截止层下方。
生物特征模块

[发明专利]一种LED芯片及其制作方法-CN202010961831.0在审
发明人：黄瑄;刘英策;邬新根;刘伟;周弘毅 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2020-09-14 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种LED芯片及其制作方法，该LED芯片包括衬底、外延结构、截止层和透明导电层，其中，所述截止层具有贯穿所述截止层的通孔，以露出部分所述外延结构，所述透明导电层设于所述通孔中露出的外延结构上和所述截止层上，以使得所述透明导电层位于所述截止层上的部分与所述外延结构不接触，从而降低所述LED芯片承受瞬间大电压时，所述LED芯片被击穿的概率。
一种 led 芯片及其制作方法

[实用新型]一种UV截止玻璃-CN201720692060.3有效
发明人：陈立;李俊杰;黄国兴;孙桂红;黄乐;祝海生 -专利权人：湘潭宏大真空技术股份有限公司
申请日： 2017-06-14 - 公布日： 2018-03-16 - 主分类号： G02B5/20 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种UV截止玻璃，包括玻璃基板和附着在玻璃基板上表面的UV截止层，所述UV截止层包括交替重复镀设的高折射率膜层和低折射率膜层。与现有技术相比，本实用新型提供的UV截止层为交替重复镀设的Si3N4膜层和SiO2膜层，可以取代现有技术的UV截止玻璃，达到降低生产成本的目的。
一种 uv 截止玻璃

[发明专利]一种改进型终端结构的功率MOS器件及其制造方法-CN201210064848.1无效
发明人：朱袁正;秦旭光;丁磊 -专利权人：无锡新洁能功率半导体有限公司
申请日： 2012-03-13 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种改进型终端结构的功率MOS器件及其制造方法，其终端保护区有且仅有截止环，截止环采用沟槽结构；截止沟槽内壁表面生长有绝缘栅氧化层，在所述生长有绝缘栅氧化层的截止沟槽内填充有导电多晶硅；截止沟槽内的上部设有第二欧姆接触孔，截止沟槽的外侧设有第一欧姆接触孔；终端保护区对应设置第一欧姆接触孔及第二欧姆接触孔外的区域均覆盖有绝缘介质层，第一欧姆接触孔及第二欧姆接触孔内均填充有第二金属层，第二金属层覆盖于相应的绝缘介质层上，且所述第二金属层将截止沟槽外侧的第二导电类型阱层与截止沟槽内的导电多晶硅连接成等电位本发明结构紧凑，能节省终端面积，能有效抑制源极漏极间的漏电流，提高截止效果。
一种改进型终端结构功率 mos 器件及其制造方法

[实用新型]一种改进型终端结构的功率MOS器件-CN201220092694.2有效
发明人：朱袁正;秦旭光;丁磊 -专利权人：无锡新洁能功率半导体有限公司
申请日： 2012-03-13 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种改进型终端结构的功率MOS器件，其终端保护区有且仅有截止环，截止环采用沟槽结构；截止沟槽内壁表面生长有绝缘栅氧化层，在所述生长有绝缘栅氧化层的截止沟槽内填充有导电多晶硅；截止沟槽内的上部设有第二欧姆接触孔，截止沟槽的外侧设有第一欧姆接触孔；终端保护区对应设置第一欧姆接触孔及第二欧姆接触孔外的区域均覆盖有绝缘介质层，第一欧姆接触孔及第二欧姆接触孔内均填充有第二金属层，第二金属层覆盖于相应的绝缘介质层上，且所述第二金属层将截止沟槽外侧的第二导电类型阱层与截止沟槽内的导电多晶硅连接成等电位本实用新型结构紧凑，能节省终端面积，能有效抑制源极漏极间的漏电流，提高截止效果。
一种改进型终端结构功率 mos 器件

[发明专利]红外截止滤光膜、红外截止滤光片及镜头模组-CN201210283867.3有效
发明人：陈杰良;王仲培 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2012-08-10 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： G02B5/20 文献下载
摘要：本发明提供一种红外截止滤光膜，其包括六十四层依次交替堆叠于该基片上的高折射率层及低折射率层，该红外截止滤光膜对波长400-800纳米的光线的透过率大于90%，而对波长850-1300纳米的光线的透过率小于该红外截止滤光膜该红外截止滤光片仅采用六十四层膜层即具有较好的红外截止功能，在降低成本的同时保证了良好的红外截止性能。本发明还提供一种红外截止滤光片及镜头模组。
红外截止滤光镜头模组

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