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[发明专利]基于氟晶云母栅介质层的二维场效应晶体管及其制备方法-CN202311011249.8在审
发明人：魏钟鸣;辛凯耀;杨珏晗;翟慎强;刘岳阳;文宏玉 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2023-08-11 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本公开提出了一种基于氟晶云母栅介质层的二维场效应晶体管，包括衬底、沟道层、栅介质层、栅极、源极和漏极。其中，沟道层为二维范德华沟道材料，以在外加电场的作用下产生载流子；栅介质层形成于沟道层之上，为二维范德华氟晶云母材料，与沟道层通过范德华力结合；栅极形成于栅介质层之上，用于向栅介质层施加栅压，使得栅介质层中产生用于调控沟道层中载流子迁移以形成电流的电场；源极和漏极分别形成于栅介质层的两侧，用于传输电流。
基于云母介质二维场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]多模式日盲紫外偏振通信方法及偏振光探测器-CN202310978468.7在审
发明人：魏钟鸣;赵凯;杨珏晗 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2023-08-04 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H04B10/116 文献下载
摘要：本公开提出了一种多模式日盲紫外偏振通信方法，应用于接收端，通信方法包括：接收来自发送端的紫外光信息波，其中，紫外光信息波为包含至少两个偏振角已在发送端被调制的偏振光，设定每个偏振角对应于一个数字信号；响应于紫外光信息波，接收端产生光电流；根据光电流的脉冲大小和偏振角的对应关系，进行第一次解码，得到第一数字信号组；对第一数字信号组进行第二次解码，得到多个第二数字信号组。
模式紫外偏振通信方法偏振光探测器

[发明专利]日盲紫外偏振光探测器及其制备方法-CN202310940843.9在审
发明人：魏钟鸣;龙浩然;杨珏晗 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2023-07-28 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本公开提出了一种日盲紫外偏振光探测器，包括：衬底100、感光区111和两端电极120。其中，衬底100为绝缘衬底；感光区111为表面刻蚀有多条平行的纳米线112的氧化镓(001)晶面或(100)晶面，以通过氧化镓的各向异性和纳米线的尺寸限制效应提高日盲紫外偏振光探测器的各向异性光电流；两端电极120通过肖特基接触水平连接于感光区两端，以降低日盲紫外偏振光探测器的暗电流。
紫外偏振光探测器及其制备方法

[发明专利]光电探测器及其制备方法-CN202310972128.3在审
发明人： 杨珏晗;周劲澍;刘岳阳;刘端阳;文宏玉;魏钟鸣 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2023-08-03 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：本公开提供了一种光电探测器，包括：衬底；绝缘层，设置在部分的衬底上；碲化镓层，设置在衬底和绝缘层上，与衬底形成异质结，使异质结中的电子吸收来自外部照射的光子产生跃迁；第一电极，设置在碲化镓层上；第二电极，设置在衬底的与绝缘层相对的一侧，通过第一电极和第二电极施加的外加电场使电子定向移动产生探测电流并通过第一电极和第二电极输出。采用低对称晶体结构的碲化镓层与衬底形成异质结，使能带相交或错位，导致电子运输现象的变化，可以同时发挥衬底和碲化镓层两个材料的不同特性，使光电探测器可以探测较宽波长范围内的激光。
光电探测器及其制备方法

[发明专利]日盲紫外通讯探测器、制备方法及通讯方法-CN202210874130.2有效
发明人：魏钟鸣;赵凯;杨珏晗 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H04B10/11 文献下载
摘要：本公开提供了一种日盲紫外通讯探测器，包括：硅片衬底；多组宽禁带半导体纳米带，设于硅片衬底上，每组数量为2，相互串联且呈90°；各组宽禁带半导体纳米带的设置角度以预设步进增加，设置角度范围为0°～180°；多组金属电极，设于硅片衬底上，每组金属电极包括正电压电极、中位电压电极和接地电极，正电压电极与一组宽禁带半导体纳米带中的其中一个的非串联端连接，用于提供正电压，接地电极与该组宽禁带半导体纳米带中的另一个的非串联端连接，中位电压电极与该组宽禁带半导体纳米带的串联端连接，用于输出该组宽禁带半导体纳米带响应日盲紫外光信号产生的电压信号。本公开还提供了一种日盲紫外通讯探测器制备方法及通讯方法。
紫外通讯探测器制备方法

[发明专利]基于氧化镓单晶的日盲偏振探测器及其制备方法-CN202210371155.0有效
发明人：魏钟鸣;龙浩然;杨珏晗;刘岳阳;文宏玉 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-04-08 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本公开提供一种基于氧化镓单晶的日盲偏振探测器，包括：衬底(10)，为β相氧化镓，其(001)晶面上形成多个探测单元，探测单元成阵列布置；其中，每个探测单元包括：第一隔离层(11)，形成于衬底(10)中，其上表面与衬底(10)的表面持平；欧姆接触电极(13)、肖特基接触电极(14)，至少部分位于衬底(10)的表面上、至少部分位于第一隔离层(11)的表面上，且欧姆接触电极(13)与肖特基接触电极(14)之间形成光吸收区域。本公开还提供一种基于氧化镓单晶的日盲偏振探测器的制备方法。本公开的日盲偏振探测器可实现大面积探测，光电探测性能更优。
基于氧化镓单晶偏振探测器及其制备方法

[发明专利]光电传感器及其制备方法、图像传感器中的应用-CN202210206059.0有效
发明人：侯世俊;魏钟鸣;杨珏晗;刘岳阳;文宏玉 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本公开涉及了一种光电传感器及其制备方法、图像传感器中的应用。一种光电传感器包括：衬底；绝缘层，设置于衬底上；探测及成像层，设置于绝缘层上；至少一组源电极和漏电极，设置于探测及成像层上并一个延伸方向上依次设置，源电极和漏电极延伸出探测及成像层的部分与绝缘层接触；其中，探测及成像层的导电率响应于入射的可见光发生变化。通过机械剥离在衬底上得到二维正交相磷化硅纳米带作为探测及成像层，将掩膜覆盖至二维正交相磷化硅表面并沉积源电极和漏电极，构建二维正交相磷化硅光电探测器，实现对可见光的高敏感度探测，并利用这一性质应用于光图像传感器，实现对物体的成像。
光电传感器及其制备方法图像传感器中的应用

[发明专利]一种宽光谱偏振光探测器及其制备方法-CN202110898961.9有效
发明人：魏钟鸣;王鑫刚;杨珏晗;刘岳阳;刘力源;邓惠雄;文宏玉;王开友 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-08-05 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明提供一种宽光谱偏振光探测器及其制备方法，宽光谱偏振光探测器包括基底层以及偏振层；基底层具有一成型面；偏振层设于所述成型面上，包括由左至右依次设置的源电极、有源层以及漏电极；其中，有源层为N型二维层状半导体材料磷硫化钯。在本发明提供的技术方案中，有源层为N型二维层状半导体材料磷硫化钯，结构具有各向异性，有利于敏感的偏振光探测；作为N型半导体，其费米能级靠近导带，提高了包括电子从价带到导带的宽能带以及导带内近邻能带的跃迁频率，实现了电子的多通道跃迁，拓宽了光电探测器的光谱探测范围，从日盲区到近红外区。
一种光谱偏振光探测器及其制备方法

[发明专利]新型二维/三维异质异构的高速光电探测器及其制备方法-CN202210292053.X有效
发明人：魏钟鸣;王鑫刚;杨珏晗;刘岳阳;邓惠雄;文宏玉 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-03-23 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H01L31/0312 文献下载
摘要：一种新型二维/三维异质异构的高速光电探测器及其制备方法，该高速光电探测器包括：基底，材料为三维材料硅；介电层，形成于基底表面上；有源层，材料为二维材料硒化亚锗，设于基底表面与介电层表面的相邻区域上；源电极，设于有源层与介电层的相邻区域上；漏电极，设于有源层与基底的相邻区域上。该探测器将硒化亚锗与硅结合，实现了光探测范围从可见光区到近红外区域，并且提高了光电探测器的响应时间，具有成为宽带宽光电探测器的潜力。
新型二维三维异质异构高速光电探测器及其制备方法

[发明专利]偏振放大系统、制备方法及偏振分析方法-CN202211224131.9在审
发明人：魏钟鸣;王小宇;杨珏晗;沈国震;文宏玉 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-10-08 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： G01J4/04 文献下载
摘要：本发明提供一种偏振放大系统、制备方法及偏振分析方法，涉及半导体光电探测器及其制备技术领域。该偏振放大系统包括偏振探测器、参考电阻和晶体管，其中：偏振探测器包括第一硅片基底，以及从左至右依次位于第一硅片基底上的第一有源层、第一源电极和第一漏电极，第一源电极和第一漏电极均为金属材料；晶体管包括第二硅片基底，以及从左至右依次位于第二硅片基底上的第二有源层、第二源电极、第二漏电极、介电层和栅电极，第二源电极、第二漏电极和栅电极均为金属材料；偏振探测器的第一漏电极与参考电阻电连接，并共同连接至晶体管的栅电极；其中，第一有源层和第二有源层均为二维半导体材料，偏振探测器的探测波段为可见光至近红外波段。
偏振放大系统制备方法分析

[发明专利]单晶纳米线偏振光探测器的制备方法-CN202210729763.4在审
发明人： 杨珏晗;杨文;邓惠雄;文宏玉;魏钟鸣 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-06-24 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶纳米线偏振光探测器的制备方法，包括：生长锑铋硫单晶材料；剥离锑铋硫单晶材料，将锑铋硫单晶材料剥离成锑铋硫单晶纳米线并转移至衬底上；在锑铋硫单晶纳米线两端制备电极，得到单晶纳米线偏振光探测器。本发明将具有各向异性的锑铋硫单晶纳米线作为偏振光探测元件，由于锑铋硫单晶纳米线的各向异性，对不同方向的线偏振光具有不同的吸收特性，锑铋硫单晶纳米线自身就能够对线偏振光进行探测，无需额外的光学元件，使光探测器的结构更加简单。
纳米偏振光探测器制备方法

[发明专利]量子点的制备方法-CN202210477996.X在审
发明人：翟慎强;李利安;辛凯耀;杨珏晗;魏钟鸣;刘峰奇 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本公开提供一种量子点制备方法，包括：采用二维材料制备二维材料衬底；将二维材料衬底置于生长腔中，升高生长腔的温度使二维材料衬底处于第一预设温度；通过分子束外延束源炉将原材料以预设密度的束流喷射至二维材料衬底的表面，使反应物以范德华外延模式在二维材料衬底的表面依次经过吸附、脱附、迁移、成核、长大的动力学反应过程以生长量子点。该方法以二维材料为衬底生长量子点，不需要特定晶格匹配条件，甚至在晶格对称性不一样的情况下，也能够实现量子点的生长。
量子制备方法

[发明专利]磁性二维半导体的同质结磁阻器件及其制备方法和应用-CN202010309260.2有效
发明人：魏钟鸣;房景治;黎博;廖志敏;杨珏晗;魏大海;宗易昕;文宏玉 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2020-04-17 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：一种磁性二维半导体的同质结磁阻器件及其制备方法和应用，该同质结磁阻器件包括硅层；二氧化硅层，其设置在硅层上，与硅层共同作为栅极和绝缘层；第一纳米片和第二纳米片，均设置在二氧化硅层上，第一纳米片和第二纳米片部分重叠，该重叠区域形成垂直结构，第一纳米片和第二纳米片均为过渡金属磁性原子掺杂非磁性二维半导体材料；以及源极和漏极，分别位于第一纳米片和第二纳米片之上。本发明中元素的掺杂是一种调控二维材料性质的有效手段，利用过渡金属原子对非磁性材料的掺杂从而在非磁性材料中引入磁性，这种方式为自旋电子学的发展提供了更多选择。
磁性二维半导体同质磁阻器件及其制备方法应用

[发明专利]二维半导体异质结的制备方法-CN202111168077.6在审
发明人：魏钟鸣;于雅俐;杨珏晗;刘岳阳;文宏玉 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提出一种二维半导体异质结的制备方法，包括将反应前驱体置于反应容器中，反应前驱体包括一种硫属元素粉末及两种四族金属化合物粉末，硫属元素粉末置于第一位置，四族金属化合物粉末置于第二位置，两种四族金属化合物粉末熔点差不超过第一值；将衬底置于反应容器第三位置；密封反应容器并通入运载气体；加热反应容器使反应前驱体反应生成反应生成物且沉积到衬底上；自然冷却至室温，停止通入运载气体，反应生成物在衬底上完成沉积，得到异质结。本发明操作简单，可重复性好，可实现快速大批量生长；工艺可控，可实现厚度可控的大面积生长；解决了机械堆叠构筑异质结中干法转移或湿法转移得到二维半导体异质结时带来的材料厚度不均匀的问题。
二维半导体异质结制备方法

[发明专利]偏振光探测器及其制备方法-CN202110779857.8在审
发明人：于雅俐;魏钟鸣;杨珏晗;刘岳阳;宗易昕;文宏玉 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-07-09 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明提供了一种偏振光探测器及其制备方法，其中，该偏振光探测器包括：衬底；源电极和漏电极，设置于衬底上；一维硒硫化锑(Sb2(SxSe1‑x)3)合金纳米线，作为偏振光探测器的有源层，设置于衬底上的源电极和漏电极之间，其中，硒硫化锑(Sb2(SxSe1‑x)3)合金纳米线中组分比例可调节，x介于0～1之间。
偏振光探测器及其制备方法

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