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[发明专利]一种上转换荧光传感器及其制备方法与应用-CN202310750513.3在审
发明人：徐杰;曹云睿;薛长湖;冯婷玉;魏婷婷;宋雨;姜晓明;包西昌 -专利权人：中国海洋大学
申请日： 2023-06-25 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C09K11/85 文献下载
摘要：本发明公开了一种上转换荧光传感器及其制备方法与应用，属于检验检测技术领域，包括以下步骤：采用共沉淀法制备镧系元素掺杂的六方相上转换纳米颗粒，再以水热法进行碳包裹，最后将所得碳包裹上转换纳米颗粒利用高锰酸钾通过牺牲模板法制备得到二氧化锰修饰的单分散上转换纳米颗粒，即为所述上转换荧光传感器。本发明还公开了上述制备方法制备得到的上转换传感器及其在水产品鲜度检测中的应用。本发明有效提高了次黄嘌呤检测的选择性和灵敏度，检测高效便捷，能够实现次黄嘌呤的定量检测，可作为水产品中次黄嘌呤的快速检测方法应用于水产品品质和安全控制。
一种转换荧光传感器及其制备方法应用

[发明专利]一个光电耦合环境可控原子力显微测试系统-CN201611090558.9有效
发明人：杨春鹏;刘志文;包西昌;李茹;燕晓飞;李飞 -专利权人：中国科学院青岛生物能源与过程研究所
申请日： 2016-12-01 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G01Q60/24 文献下载
摘要：本发明涉及原子力显微镜领域，尤其是一个光电耦合环境可控原子力显微测试系统。其包括：微悬臂、样品台、激光器、光斑位置检测器、引入光源、精密四维调整装置和控制系统，微悬臂末端具有导电探针；激光器发出激光束经过光学系统聚焦在微悬臂背面；精密四维调整装置使得引入光以与水平面倾斜的方式射于样品顶面的扫描区域上或以垂直于水平面的方式射于样品底面的扫描区域上；控制系统对光斑位置检测器接收的信号及通过导电探针的电信号进行采集处理并生成样品微区形貌和光电学特性信息传送给显示器，由显示器实时显示。它检测环境条件可控，可原位实时检测，各部分独立可控。
一个光电耦合环境可控原子显微测试系统

[发明专利]一种高弹性聚二甲基硅氧烷类聚合物及应用-CN202011535731.8有效
发明人： 包西昌;文树光;康笑 -专利权人：中国科学院青岛生物能源与过程研究所
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C08G18/75 文献下载
摘要：本发明公开了一类聚二甲基硅氧烷的弹性聚合物材料的设计合成及其在柔性、高稳定有机电子器件的应用。所述电子器件的工作层中至少包含一种弹性聚合物材料。本发明中提供的聚合物具有较好的弹性，为有机电子器件工作层提供弹性支撑。基于本发明提供的弹性聚合物，所制备的有机电子器件的柔性和拉伸性能以及稳定性得到明显提升。此发明开拓了弹性聚合物在有机电子器件领域的应用，并且提供了一种提升有机电子器件柔性和拉伸性能的方法。采用本发明的材料在制备有机电子器件领域具有广阔的工业化应用前景。
一种弹性聚二甲基硅氧烷类聚应用

[发明专利]具有高玻璃化转变温度的耐高温聚合物及在有机太阳能电池中的应用-CN202010253653.6有效
发明人： 包西昌;韩建华 -专利权人：中国科学院青岛生物能源与过程研究所
申请日： 2020-04-02 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： C08G65/40 文献下载
摘要：本发明属于有机太阳能电池领域和高性能高分子材料领域，具体是一种具有高玻璃化转变温度的耐高温聚合物及其在提升有机太阳能电池柔性和稳定性中的应用。耐高温聚合物为式I、式II和式III所示化合物中的一种或几种；所述聚合物在制备有机太阳能电池的光活性层中的应用。本发明中涉及的耐高温聚合物具有较高的玻璃化转变温度，高于所述器件运行的温度范围。基于本发明提供的耐高温聚合物，所制备的有机太阳能电池器件具有高效率、优异的柔性和稳定性。此发明开拓了耐高温聚合物在有机太阳能电池领域的应用，并且提供了一种提升有机太阳能电池器件柔性和稳定性的方法。采用本发明方法制备的有机太阳能电池器件具有广阔的工业化应用前景。
具有玻璃化转变温度耐高温聚合物有机太阳能电池中的应用

[实用新型]一个光电耦合环境可控原子力显微测试系统-CN201621310084.X有效
发明人：杨春鹏;刘志文;包西昌;李茹;燕晓飞;李飞 -专利权人：中国科学院青岛生物能源与过程研究所
申请日： 2016-12-01 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： G01Q60/24 文献下载
摘要：本实用新型涉及原子力显微镜领域，尤其是一个光电耦合环境可控原子力显微测试系统。其包括微悬臂、样品台、激光器、光斑位置检测器、引入光源、精密四维调整装置和控制系统，微悬臂末端具有导电探针；激光器发出激光束经过光学系统聚焦在微悬臂背面；精密四维调整装置使得引入光以与水平面倾斜的方式射于样品顶面的扫描区域上或以垂直于水平面的方式射于样品底面的扫描区域上；控制系统对光斑位置检测器接收的信号及通过导电探针的电信号进行采集处理并生成样品微区形貌和光电学特性信息传送给显示器，由显示器实时显示。它检测环境条件可控，可原位实时检测，各部分独立可控。
一个光电耦合环境可控原子显微测试系统

[发明专利]一种反型有机太阳能电池的简易制备方法-CN201310270925.3有效
发明人：阳仁强;包西昌;孙亮 -专利权人：中国科学院青岛生物能源与过程研究所
申请日： 2013-07-01 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种反型有机太阳能电池器件的简易制备方法。该反型有机太阳能电池的结构自下而上依次为透明导电衬底，阴极修饰层，有机活性层，阳极修饰层和阳极电极。其中阴极修饰层为采用一步法制备的致密非晶TiO2薄膜。本发明公开的反型有机太阳能电池的简易制备方法，相比于磁控溅射、脉冲激光沉积等物理制备工艺，具有制备工艺简单，有利于大幅度降低有机太阳能电池的成本；相比于先合成TiO2、ZnO纳米颗粒，再分散旋膜的制备方法，具有成膜迅速、致密的优点，适合快速、低成本的大面积工业化制备。本发明更适合大规模的卷对卷印刷制备柔性太阳能电池。
一种有机太阳能电池简易制备方法

[发明专利]含苯并二噻吩的聚芳基乙炔撑半导体材料-CN201310277740.5无效
发明人：阳仁强;文树光;包西昌 -专利权人：中国科学院青岛生物能源与过程研究所
申请日： 2013-07-04 - 公布日： 2013-11-27 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种含苯并[1,2-b:4,5-b']二噻吩（BDT）的聚芳基乙炔撑（PAE）有机半导体材料及其应用，该类材料的具体特征是将修饰的苯并二噻吩以4，8-位引入到主链含炔键的共轭聚合物中，可应用于有机光电子器件（有机太阳能电池、有机场效应晶体管、有机发光器件、有机探测器等）领域。由于苯并二噻吩的平面性及炔键的刚性结构，这类材料表现出良好的光电转换性能，具有较好的应用前景。
噻吩聚芳基乙炔半导体材料

[实用新型]从背面引电极的碲镉汞长波红外光电导探测器-CN200920269051.9无效
发明人： 包西昌;朱龙源;李向阳;兰添翼;赵水平;王妮丽;刘诗嘉 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2009-11-18 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：本专利公开了一种从背面引电极的碲镉汞长波红外光电导探测器，器件结构包括：采用激光打孔机打的直径为60微米面阵的微孔中含有电镀金(8)的蓝宝石衬底(7)；双面精抛处理且长阳极氧化膜的碲镉汞材料(12)晶片，其中与环氧树脂胶(9)接触的一面增加了一层ZnS抗反膜(10)；把有ZnS的碲镉汞材料面粘结在衬底上的环氧树脂胶(9)；在刻穿碲镉汞晶片后溶解掉环氧树脂胶，形成的与电镀金相对应的面阵及周围部分碲镉汞上的电极。电极通过井伸工艺连接碲镉汞与电镀金；电路板蓝宝石基板(1)与芯片背面的电镀金(8)通过蒸镀的铟柱互联，使信号读出。本专利的优点在于，器件的占空比高，电极从衬底面引出，避免了传统正照射工艺中电极对入射光的阻碍，也避免采用背照射工艺中衬底对入射光信号的影响。
背面电极碲镉汞长波红外光电导探测器

[实用新型]氮化铝晶体上的欧姆接触电极结构-CN200920272392.1无效
发明人：储开慧;许金通;包西昌;李向阳;戴江;陈长清 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2009-11-18 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本专利公开了一种AIN晶体上的欧姆接触电极结构，AIN材料结构包括：一衬底；一AIN缓冲层；一本征型AIN层。通过先在本征型AIN上生长欧姆接触电极结构：钒金属层/铝金属层/钒金属层/金金属层，厚度依次为15～25μm/50～100μm/15～25μm/50～100μm；然后进行In离子注入，注入剂量大于1×1014cm-2，能量大于150keV；并进行高温退火激活工艺，制备出AIN材料上的欧姆接触。AIN欧姆接触的实现，有助于解决日盲型材料的欧姆接触问题，提高日盲器件的性能；并解决了制备高性能真空紫外响应器件的瓶颈。真空紫外器件的研制，将能为我国的太空探测提供技术支撑。
氮化晶体欧姆接触电极结构

[发明专利]GaN基光伏探测器器件结构的电子学检测方法-CN201010101896.4有效
发明人：李天信;殷豪;夏辉;陆卫;包西昌;胡伟达;李宁;李志峰;陈效双;李向阳 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2010-01-27 - 公布日： 2010-07-07 - 主分类号： G01Q60/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN基光伏探测器器件结构的电子学检测方法，该方法是通过测量导电探针与器件结构剖面以及上表面的电位差并进行定标，得出器件结构的表面能带分布；再对得到的表面能带分布进行数值拟合，给出所测台面器件结构的表面电荷密度分布、表面及体内的电场分布等信息。本方法可以对GaN基光伏型探测器件功能材料各个区域的电子学分布特性给予直观的评估；对于改善GaN基光伏探测器件性能和优化器件设计都有重要价值。
gan 基光伏探测器器件结构电子学检测方法

[发明专利]高占空比碲镉汞长波红外光电导面阵探测器-CN200910225371.9有效
发明人： 包西昌;朱龙源;李向阳;兰添翼;赵水平;王妮丽;刘诗嘉 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2009-11-18 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： H01L31/09 文献下载
摘要：本发明公开了一种高占空比碲镉汞长波红外光电导面阵探测器，器件结构包括：衬底，此衬底是采用激光打孔机打的直径约为60微米面阵的微孔中电镀金的蓝宝石。碲镉汞材料，该晶片包含双面精抛处理且长阳极氧化膜，的碲镉汞晶片，其中与环氧树脂胶接触的一面增加了一层ZnS抗反膜。环氧树脂胶，此胶的目的是把有ZnS的碲镉汞材料面粘结在衬底上。电极，此电极制作在刻穿碲镉汞晶片后溶解掉环氧树脂胶，形成的与电镀金相对应的面阵及周围部分碲镉汞上，通过井伸工艺连接碲镉汞与电镀金。蓝宝石电路，此电路与芯片背面的电镀金通过蒸镀的铟柱互联，使信号读出。
高占空碲镉汞长波红外光电导探测器

[发明专利]一种在氮化铝晶体上的欧姆接触电极结构及制备方法-CN200910226314.2有效
发明人：储开慧;许金通;包西昌;李向阳;戴江;陈长清 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2009-11-18 - 公布日： 2010-05-12 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种在氮化铝晶体上的欧姆接触电极结构及制备方法，AlN材料结构包括：一衬底；一AIN缓冲层；一本征型AlN层。通过先在本征型AlN上生长欧姆接触电极结构：钒金属层/铝金属层/钒金属层/金金属层，厚度依次为15～25μm/50～100μm/15～25μm/50～100μm；然后进行In离子注入，注入剂量大于1×1014cm-2，能量大于150keV；并进行高温退火激活工艺，制备出AlN材料上的欧姆接触。AlN欧姆接触的实现，有助于解决日盲型材料的欧姆接触问题，提高日盲器件的性能；并解决了制备高性能真空紫外响应器件的瓶颈。
一种氮化晶体欧姆接触电极结构制备方法

[发明专利]背照射平面型PIN结构GaN基紫外探测器及制备方法-CN200910046992.0无效
发明人： 包西昌;张文静;许金通;王玲;李超;储开慧;王妮丽;张燕;李向阳 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2009-03-04 - 公布日： 2009-07-29 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种背照射平面型PIN结构GaN基紫外探测器，其特征在于，包括：一衬底；一AlN缓冲层；Si掺杂的n型Al_xGa_1-xN(0＜x≤0.8)层；一有源层，为本征或弱n掺杂的GaN层；一p型欧姆接触层，为Mg掺杂的p型GaN。通过Si离子注入工艺制备n⁺型的沟道，此n⁺型沟道连通n型Al_xGa_1-xN(0＜x≤0.8)层，有源层及p型欧姆接触层；一n型欧姆接触电极，该欧姆接触电极制作在n⁺沟道上；一p型欧姆接触电极，此电极制作在p型欧姆接触层上，构成背照射平面型PIN结构GaN基紫外探测器。
照射平面 pin 结构 gan 紫外探测器制备方法

[发明专利]一种具有内增益的紫外探测器及制备方法-CN200810041159.2有效
发明人：王玲;许金通;袁永刚;包西昌;张文静;李超;张燕;李向阳 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2008-07-30 - 公布日： 2008-12-31 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有内增益的紫外探测器及其制备方法。它通过多次表面处理、双次钝化而减小大反偏电压下的暗电流，提高器件的大反偏电压下性能。利用这种方法得到的探测器具有稳定的内增益，可以达到被探测信号在探测器内部被放大的目的，整个测试系统的信噪比也被相应的提高。本发明涉及的探测器具有p－i－n结构，其制备方法包括刻蚀台面、电极生长、钝化层的制备等。相对于普通GaN基紫外探测器，本发明所提供的器件具有内增益，暗电流小，性能稳定，制备工艺简单，探测信噪比高，可以对弱紫外信号进行探测等优点。
一种具有增益紫外探测器制备方法

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