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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]紫外单光子探测器-CN202220053816.0有效
  • 苏琳琳;郁智豪;杨成东 - 无锡学院
  • 2022-01-10 - 2022-06-10 - H01L31/107
  • 本实用新型公开了一种紫外单光子探测器即雪崩光电二极管，包括SiC衬底及设置在SiC衬底上的外延结构。外延结构自上而下包括接触层、第一过渡层、i雪崩倍增层和第二过渡层，接触层及SiC衬底的表面均设有欧姆接触电极，i雪崩倍增层的厚度范围在1.5‑3μm。根据上述技术方案的紫外单光子探测器，通过增加i雪崩倍增层的厚度到1.5μm以上，增加光生载流子的加速和碰撞离化距离，改善光生载流子的雪崩倍增几率，提高器件的单光子探测性能。
  • 紫外光子探测器
  • [发明专利]雪崩光电二极管及其制备方法-CN202210021152.4在审
  • 苏琳琳;郁智豪;杨成东 - 无锡学院
  • 2022-01-10 - 2022-03-25 - H01L31/107
  • 本发明公开了一种雪崩光电二极管及其制备方法，其中雪崩光电二极管包括SiC衬底及设置于SiC衬底上的外延结构，外延结构自上而下依次包括n+接触层、p+接触层、p型过渡层、i倍增层和n+型过渡层。其中n+接触层的正面设有正面欧姆接触电极，SiC衬底的背面设有背面欧姆接触电极。根据上述技术方案的雪崩光电二极管，通过在传统p+接触层的上面再设置一层n+接触层，从而将器件的上电极和下电极均变为n型欧姆接触，在不增加器件制备工艺难度的前提下，改善低导电率引起的耗尽区电场非均匀分布，优化器件的探测性能。
  • 雪崩光电二极管及其制备方法
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  • 共 3 条
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