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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]毫米波及太赫兹波直接调制器及其制备方法-CN201710368618.7在审
发明人：梁士雄;王俊龙;张立森;杨大宝;徐鹏;赵向阳;房玉龙;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2017-05-23 - 公布日： 2017-08-18 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明包括外延层，在所述外延层上两侧设有欧姆接触，两欧姆接触之间为肖特基接触，在形成的欧姆接触和肖特基接触上用晶片键合的方法粘合石英基片，形成二次衬底。本发明能够降低器件的反射损耗和传输损耗，获得更高调制深度的器件。
毫米波及赫兹直接调制器及其制备方法

[发明专利]抑制射频器件欧姆损耗的方法及射频器件-CN202211629638.2在审
发明人：汪洋;张耀辉 -专利权人：苏州华太电子技术股份有限公司
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种抑制射频器件欧姆损耗的方法及射频器件。所述抑制射频器件欧姆损耗的方法包括：在单晶衬底上形成锗硅层，所述锗硅层靠近单晶衬底的界面处具有由于所述单晶衬底和锗硅层晶格失配而产生的应力形变和晶格缺陷；在所述锗硅层上形成有源层，将所述有源层的部分加工形成射频器件结构或者在所述有源层上制作射频器件结构本发明通过调节锗硅层中锗的含量而使锗硅层产生应力变形和产生缺陷，这些应力形变和晶格缺陷可以阻碍载流子在锗硅层的运动速度，并减少射频器件的欧姆损耗。
抑制射频器件欧姆损耗方法

[发明专利]一种耳机接口及电子设备-CN201811575079.5有效
发明人：燕永义;安鑫荣;黄金鑫;秦启建 -专利权人：惠州TCL移动通信有限公司
申请日： 2018-12-21 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H04R1/10 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种耳机接口及具有耳机接口的电子设备，其中耳机接口包括多条音频信号线、零欧姆电阻和电感元件。多条音频信号线用于传输音频信号，至少一条所述音频信号线上串接有零欧姆电阻。每一条所述音频信号线上都串接有零欧姆电阻或电感元件，以降低所述音频信号线对天线效率的损耗。电感元件的电感量在200nH以下，以保证音频信号不受影响。本申请实施例通过在不同音频信号线上分别设置电感元件或零欧姆电阻，降低了耳机接口的音频信号线对天线效率的损耗，且通过控制电感元件的电感量在200nH以下，保证音频信号不受影响。
一种耳机接口电子设备

[发明专利]双工器-CN200910035022.0无效
发明人：郭金林 -专利权人：昆山市双桥铜业有限公司镭赢科技研究所
申请日： 2009-09-14 - 公布日： 2010-02-17 - 主分类号： H01P1/20 文献下载
摘要：本发明所述的同轴腔体双工器由于其谐振回路的电磁场全部封闭在同轴腔内，几乎没有辐射损耗，而用空气为介质且内外表面镀银，其介质损耗、欧姆损耗都很小，因此品质因数Q可以达到几千，本发明稳定性高、屏蔽性好、介质和欧姆损耗
双工器

[实用新型]双工器-CN200920231877.6无效
发明人：郭金林 -专利权人：昆山市双桥铜业有限公司镭赢科技研究所
申请日： 2009-09-14 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： H01P1/20 文献下载
摘要：本实用新型所述的同轴腔体双工器由于其谐振回路的电磁场全部封闭在同轴腔内，几乎没有辐射损耗，而用空气为介质且内外表面镀银，其介质损耗、欧姆损耗都很小，因此品质因数Q可以达到几千，本实用新型稳定性高、屏蔽性好、介质和欧姆损耗，且具有体积小、小插损、大功率容量的特点。
双工器

[发明专利]一种用于聚焦离子束机台提取样品的方法-CN201710567411.2有效
发明人：韩俊伟;顾晓芳;陈宏璘;龙吟;倪棋梁 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2017-07-12 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本发明提出一种用于聚焦离子束机台提取样品的方法，包括下列步骤：提供欧姆尼探针；使用沉积钨将样品薄片粘连到欧姆尼探针上；通过欧姆尼探针将样品转移到样品载体上；通过聚焦离子束切断的方法将样品和欧姆尼探针分离本发明提出的用于聚焦离子束机台提取样品的方法，利用样品和样品之间的连接和切断来提取新的样品，从而避免欧姆尼探针的损耗并延长欧姆尼探针的使用寿命。
一种用于聚焦离子束机台提取样品方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201710796202.5有效
发明人：邓光敏;裴轶;朱永生 -专利权人：苏州捷芯威半导体有限公司
申请日： 2017-09-06 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：该半导体器件，包括基于所述衬底制作的半导体层、基于半导体层制作的欧姆源极、欧姆漏极以及位于欧姆源极和欧姆漏极之间的栅极、以及基于所述半导体层制作并与该半导体层形成肖特基接触的肖特基源极。该肖特基源极和所述欧姆源极电连接。在该半导体器件中，肖特基源极与欧姆漏极可以构成肖特基二极管。在欧姆源极为高电位，欧姆漏极为低电位时，肖特基源极与欧姆漏极构成的肖特基二极管正向开启，形成续流回路。在需要用二极管进行续流的电路中，无需外接续流二极管，可通过自带的肖特基二极管实现续流功能，降低电路成本，使电路尺寸更小，同时降低电路设计难度，降低损耗。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种基于U形槽的UWB带通滤波器-CN201410827629.3在审
发明人：郝术苗;孙照清;赵永生 -专利权人：哈尔滨黑石科技有限公司
申请日： 2014-12-26 - 公布日： 2016-07-20 - 主分类号： H01P1/212 文献下载
摘要：该滤波器由开路存根结构(1)，(2)、50欧姆存根的微带结构(5)，介质板下表面的地面(9)组成。本发明利用三根50欧姆传输微带线组成的交趾耦合结构实现超宽带。本发明涉及的滤波器具有很小的回波损耗与插入损耗，良好的低频特性和谐波抑制性。该滤波器设计简单、结构紧凑、外形美观，加工方便、成本低廉、可实现3.1～10.6GHz的超宽带。
一种基于 uwb 带通滤波器

[发明专利]用于确定电子换向的电机的瞬时转矩以及用于调节平均转矩的方法和设备-CN201180034888.5有效
发明人： D.弗里克;G.克内希特 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2011-07-08 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： H02P23/00 文献下载
摘要：2）的实际转矩的方法，其中借助驱动电路（3）来控制该电机（2），其方式是在电机（2）的各相支路上施加相电压或相电势的变化曲线，该方法包括以下步骤：-确定电机（2）所吸收的电功率（PEI）和电机（2）的欧姆损耗功率；-依据所吸收的电功率和欧姆损耗通过功率平衡来确定电机（2）所提供的机械功率（PMech）；以及-借助所确定的机械功率（PMech）来确定实际转矩（MIst）。
用于确定电子换向电机瞬时转矩以及调节平均方法设备

[发明专利]一种偏振不敏感光驱动可调谐太赫兹波超材料吸收器-CN201610038342.1在审
发明人：程用志;章喆;周钰杰 -专利权人：武汉科技大学
申请日： 2016-01-13 - 公布日： 2016-06-29 - 主分类号： H01Q17/00 文献下载
摘要：当太赫兹波入射到吸收器上时，谐振结构周围产生磁场环路，该磁场环路使金属片和半导体硅产生欧姆损耗，电介质基板上产生介电损耗，电磁波的电磁能通过介电损耗和欧姆损耗转化为热能，从而实现对太赫兹波损耗吸收的调节
一种偏振不敏感光驱动调谐赫兹材料吸收

[发明专利]一种SiC功率器件欧姆接触、制备方法及应用-CN202211376435.7在审
发明人：徐傲雪;田亮;仇坤;查祎英;王谦;史志扬 -专利权人：南瑞联研半导体有限责任公司
申请日： 2022-11-04 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种SiC功率器件欧姆接触、制备方法及应用，包括对4H‑SiC衬底背面进行预处理，包括刻蚀以及去水汽的过程；在预处理后的4H‑SiC衬底背面制备出3C‑SiC晶体结构的材料；最后在3C‑SiC晶体表面淀积金属层，制得欧姆接触。该方法简化欧姆接触的制造工艺，降低比接触电阻和功率损耗，提高了SiC功率器件的可靠性。
一种 sic 功率器件欧姆接触制备方法应用

[发明专利]一种新型的高选择性超宽带带通滤波器-CN201510940448.6在审
发明人：王燕燕;高爽;孟祥余 -专利权人：哈尔滨飞羽科技有限公司
申请日： 2015-12-12 - 公布日： 2017-06-20 - 主分类号： H01P1/20 文献下载
摘要：该滤波器由开路存根结构(3)、50欧姆存根的微带结构(5)，介质板下表面的开哑铃型槽的金属接地板(9)组成。本发明利用三根50欧姆传输微带线组成的交趾耦合结构实现超宽带，本发明涉及的滤波器具有很小的回波损耗与插入损耗，良好的低频特性和谐波抑制性。
一种新型选择性宽带带通滤波器

[发明专利]一种新型的高选择性超宽带带通滤波器-CN201410827627.4在审
发明人：郝术苗;张兰超;段瀚林 -专利权人：哈尔滨黑石科技有限公司
申请日： 2014-12-26 - 公布日： 2016-07-20 - 主分类号： H01P1/212 文献下载
摘要：该滤波器由开路存根结构(3)，(8)、50欧姆存根的微带结构(5)，介质板下表面的开哑铃型的地面(9)组成。本发明利用三根50欧姆传输微带线组成的交趾耦合结构实现超宽带。本发明涉及的滤波器具有很小的回波损耗与插入损耗，良好的低频特性和谐波抑制性。该滤波器设计简单、结构紧凑、外形美观，加工方便、成本低廉、可实现3.1～10.6GHz的超宽带。
一种新型选择性宽带带通滤波器

[实用新型]一种基于U形槽的UWB带通滤波器-CN201420818810.3有效
发明人：郝术苗;赵永生;孙照清 -专利权人：哈尔滨黑石科技有限公司
申请日： 2014-12-22 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： H01P1/203 文献下载
摘要：该滤波器由开路存根结构(1)，(2)、50欧姆存根的微带结构(5)，介质板下表面的地面(9)组成。本实用新型利用三根50欧姆传输微带线组成的交趾耦合结构实现超宽带。本实用新型涉及的滤波器具有很小的回波损耗与插入损耗，良好的低频特性和谐波抑制性。该滤波器设计简单、结构紧凑、外形美观，加工方便、成本低廉、可实现3.1～10.6GHz的超宽带。
一种基于 uwb 带通滤波器

[发明专利]用于碳化硅的包含主要由镍组成的层的反射式欧姆接触及其制造方法以及包含该接触的发光器件-CN200480003804.1有效
发明人： D·B·小斯拉特;H·哈格莱特纳 -专利权人：克里公司
申请日： 2004-01-30 - 公布日： 2006-03-15 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：用于n型碳化硅的反射式欧姆接触包括碳化硅上的主要由镍组成的层。主要由镍组成的层配置成向碳化硅提供欧姆接触，并允许从碳化硅射出的光辐射由此透射。反射层在主要由镍组成的层上，在碳化硅的对面。已经发现，主要由镍组成的层和其上的反射层可以为碳化硅提供低欧姆损耗和/或高反射率的反射式欧姆接触。
用于碳化硅包含主要组成反射欧姆接触及其制造方法以及发光器件

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