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[发明专利]用于电容性负载的沟道绝缘栅双极晶体管-CN200610136353.X无效
发明人：伍超贤;D·基奥拉 -专利权人：国际整流器公司
申请日： 2006-10-13 - 公布日： 2007-04-25 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：一种用于控制一台等离子显示板的功率应用的IGBT，以缩减安全工作区域(SOA)为代价，来提高电流传导能力，并且降低传导损耗。对于一个击穿等级为300伏的器件而言，该小片的衬底电阻率小于10毫欧姆厘米；厚度为8微米的缓冲层，电阻率在0.05到0.10欧姆厘米之间，以及一个用以沉积结模式和沟道的外延层，其厚度在31到37微米之间，电阻率在14到18欧姆厘米之间。
用于电容负载沟道绝缘双极晶体管

[发明专利]薄膜太阳能电池及其制备方法-CN201110297142.5无效
发明人：王荣新;邢政;张宝顺;杨辉 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2011-09-30 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：该薄膜太阳能电池包括太阳能电池基体，该太阳能电池基体的采光面表面覆设有欧姆电极，其该采光面表面还覆设有石墨烯薄膜，使得采光面上未覆盖欧姆电极的采光区域与欧姆电极导通。该方法为：在覆设有欧姆电极的太阳能电池基体的采光面表面上再覆设石墨烯薄膜，使得太阳能电池基体表面未覆盖欧姆电极的采光区域与欧姆电极导通。与现有技术相比，本发明具有可以获得更低的太阳电池损耗电阻，更强的电流收集能力，从而提高了太阳电池的光电转换效率，同时，其制备工艺简单，易于规模化生产，适用于太阳电池等光电器件领域。
薄膜太阳能电池及其制备方法

[实用新型]一种低损耗阻抗变换器电路-CN201420823096.7有效
发明人：石勇;谢建庭;宋光伟;苗尧飞;屈小庆 -专利权人：天津光电通信技术有限公司
申请日： 2014-12-23 - 公布日： 2015-04-22 - 主分类号： H03H11/28 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于50欧姆与75欧姆射频系统之间的低损耗阻抗变换器电路。本实用新型的有益效果是：针对超短波频率范围内的射频系统，能够将50欧姆和75欧姆两种阻抗的射频系统通过阻抗变换器连接在一起，低损耗阻抗变换器在射频信号的频率范围内被衰减小于0.1dB。电路简单、可靠。
一种损耗阻抗变换器电路

[发明专利]匹配网络的损耗功率标定方法及系统-CN201310414932.6有效
发明人：陈文聪;蒲以康 -专利权人：清华大学
申请日： 2013-09-12 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： G01R21/00 文献下载
摘要：本发明提出一种匹配网络的损耗功率标定方法及系统，其中系统包括：射频信号源，用于产生射频信号；第一功率计，用于测量射频信号的功率；匹配网络，匹配网络与第一功率计相连，匹配网络包括电感；示波器，用于测量电流探头的输出电压；模拟负载模块，模拟负载模块与匹配网络相连，用于测量模拟负载模块中50欧姆负载的损耗功率；以及处理器，用于根据第一功率计的测量结果、示波器的测量结果以及50欧姆负载的损耗功率得到匹配网络的比例系数。根据本发明实施例的系统，通过总功率减去匹配网络的损耗功率，避免了直接测量电压、电流和相位差带来的误差以及复杂的标定程序，并且不需要使用网络分析仪等复杂设备降低了成本、易于实现。
匹配网络损耗功率标定方法系统

[发明专利]介质陶瓷组合物-CN88104509.8无效
发明人：朱四海 -专利权人：谭氏陶器有限公司
申请日： 1988-06-09 - 公布日： 1989-01-04 - 主分类号： C04B35/46 文献下载
摘要：陶瓷介质组合物，其介电常数在3000至4000之间；损耗因数低于1.8％；绝缘电阻值与电容量之积在25℃时约为10000欧姆-法拉，在125℃时大于1000欧姆-法拉，并有稳定的温度特性。
介质陶瓷组合

[发明专利]一种SIW环行器中心结与50欧姆微带线的匹配方法-CN201410465177.9有效
发明人：黄陈;万丽娜;闫耀;罗力兢;董晨;汪晓光;邓龙江 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2014-09-12 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： H01P11/00 文献下载
摘要：本发明涉及微波器件技术领域，尤其涉及一种SIW环行器中心结与50欧姆微带线的匹配方法。将抛物线匹配方式应用在环形器中心结与外部50欧姆微带电路间达到良好匹配。这样的匹配方式，展宽了带宽，获得了良好的插入损耗，降低了回波损耗，与传统匹配电路相比，缩短了匹配电路长度，促进了器件小型化。
一种 siw 环行器心结 50 欧姆微带匹配方法

[发明专利]碳化硅JFET器件结构及其制备方法-CN202210849869.8有效
发明人：陈显平;钱靖 -专利权人：深圳平创半导体有限公司;重庆平创半导体研究院有限责任公司
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及半导体功率器件技术领域，提供一种碳化硅JFET器件结构及其制备方法，包括自下而上依次设置的碳化硅N+衬底、碳化硅N‑第一外延层、P基区、碳化硅N‑第二外延层、P+欧姆接触区和P+栅极注入区、栅电极区、绝缘介质层、发射极欧姆接触层和发射极肖特基接触层，并且在碳化硅N+衬底下方和绝缘介质层、发射极欧姆接触层、发射极肖特基接触层上方设置金属电极。本发明设置双外延结构，在第一外延层嵌入P基区，第二外延层嵌入P+栅极注入区，两者之间形成导电沟道结构，减少栅极氧化层结构，降低器件导通损耗，减少反向漏电流；同时形成肖特基二极管结构，能提升器件反向恢复损耗
碳化硅 jfet 器件结构及其制备方法

[发明专利]薄膜晶体管基板及其制造方法-CN200610157556.7有效
发明人：颜硕廷 -专利权人：群康科技（深圳）有限公司;群创光电股份有限公司
申请日： 2006-12-15 - 公布日： 2008-06-18 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开一种薄膜晶体管基板，其包括一玻璃基底，一设置在该玻璃基底的栅极，一覆盖具有该栅极的玻璃基底的栅极绝缘层，对应该栅极，依序层叠设置在该栅极绝缘层之一非晶硅层和一欧姆接触层，一源极和一漏极；该源极和漏极设置在该欧姆接触层上，且与该欧姆接触层接触以导接电信号，其中，该欧姆接触层包括一高掺杂多晶硅层。本发明的薄膜晶体管基板对电信号的损耗低。本发明还包括该薄膜晶体管基板的制造方法。
薄膜晶体管及其制造方法

[实用新型]一种毫米波垂直传输过渡结构-CN201620956735.6有效
发明人：郭晓东 -专利权人：成都浩翼科技有限公司
申请日： 2016-08-26 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01P5/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种毫米波垂直传输过渡结构，包括金属腔主体以及上层微带传输线和下层微带传输线，上层微带传输线包括上介质基片、上50欧姆传输线金属层、上连接孔和上信号匹配结；下层微带传输线包括下介质基片、下50欧姆传输线金属层、下连接孔和下信号匹配结。本垂直过渡结构中通过上、下信号匹配结补偿传输线的不连续性，减小了传输损耗和驻波系数，在1～40GHz频段内传输损耗＜2.1dB(含两个K‑2.92mm接头及20.4mm dur iod5880 0.127mm传输线损耗，约1dB)，驻波＜1.6。
一种毫米波垂直传输过渡结构

[发明专利]一种H-3碳化硅同位素电池及其制造方法-CN201811271325.8有效
发明人：张林;朱礼亚;王晓艳 -专利权人：长安大学
申请日： 2018-10-29 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： G21H1/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种H‑3碳化硅同位素电池及其制造方法，包括自下而上包括N型高掺杂SiC衬底，P型SiC欧姆接触掺杂区，在P型SiC欧姆接触掺杂区上部的部分区域设有第一N型SiC外延层，在第一N型SiC外延层的上方设第二N型SiC外延层，在P型SiC欧姆接触掺杂区上部除了第一N型SiC外延层的区域设有P型欧姆接触电极，第二N型SiC外延层上方部分区域设有N型欧姆接触掺杂区，N型欧姆接触掺杂区的上方设有N型欧姆接触电极，第二N型SiC外延层的上方除了N型欧姆接触掺杂区以外的区域设有SiO2钝化层，在SiO2钝化层的上方设有H‑3放射性同位素源本发明设计新颖合理，可以有效解决H‑3在表面的辐照生载流子复合损耗问题，有效提高了同位素电池的输出功率、能量转换效率。
一种碳化硅同位素电池及其制造方法

[实用新型]一种新型结构的发光二极管-CN201420001218.4有效
发明人：杨凯;白继锋;林志伟;陈凯轩;黄尊祥;王向武 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2014-01-02 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本实用新型公开一种新型结构的发光二极管，包括透明基板、外延片、第一电极和第二电极，所述外延片依次包括n型欧姆层、n型粗化层、n型限制层、有源层、p型限制层、p型粗化层、p型欧姆层，所述n型欧姆层端面的面积小于n型粗化层端面的面积，所述p型欧姆层端面的面积小于p型粗化层端面的面积，外延片靠p型粗化层和p型欧姆层的一侧通过透明导电胶层粘接在透明基板上，第一电极连接在n型欧姆层上，第二电极连接在透明导电胶层上，所述n型粗化层和p型粗化层的外表面经腐蚀液蚀刻成凹凸状；所述p型欧姆层的外端面还镀有合金层；本实用新型有效降低发光二极管内部全反射造成出射光的损耗，提高了出光效率。
一种新型结构发光二极管

[发明专利]双向开关晶体管制作方法和双向开关晶体管-CN201610125625.X在审
发明人：刘美华;孙辉;林信南;陈建国 -专利权人：北京大学;北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2016-03-04 - 公布日： 2017-09-12 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明提供了一种双向开关晶体管的制作方法和双向开关晶体管，其中双向开关晶体管包括基底、第一欧姆接触层、第二欧姆接触层、第一栅极连接金属层、第二栅极连接金属层、保护层、在第一栅极连接金属层上形成的第一栅极金属层和所述第二栅极连接金属层上形成的第二栅极金属层，其中，第一栅极连接金属层和第二栅极连接金属层均位于所述第一欧姆接触层和第二欧姆接触层之间，本发明提供的双向开关晶体管的制作方法和双向开关晶体管，可以视为包括两个晶体管，由于两个晶体管共用了第一欧姆接触层和第二欧姆接触层，并且该晶体管结构上相互对称，因此没有导通电压的偏移，导通损耗小。
双向开关晶体管制作方法

[发明专利]多元件电容器-CN98118583.5无效
发明人：埃里克·K·里德 -专利权人：克米特电子公司
申请日： 1998-09-04 - 公布日： 1999-05-26 - 主分类号： H01R4/12 文献下载
摘要：单个金属电容元件具有在100kHz时小于100毫欧姆的ESR和在120Hz时约小于6%的损耗因子(DF)。用于本发明的陶瓷电容元件,在达约100MHz的频率下具有约0.1微法的等效串联电容。单个陶瓷电容元件具有在1MHz时小于20毫欧姆的ESR和在1KHz时约小于10%的损耗因子。
多元电容器

[发明专利]一种发光二极管及其制备方法-CN200410089599.7有效
发明人：张国义;陈志忠;丁晓民;秦志新;胡晓东;童玉珍;董志江;靳彩霞;李树明 -专利权人：上海蓝光科技有限公司;北京大学
申请日： 2004-12-15 - 公布日： 2006-06-21 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：发光二极管包括蓝宝石衬底、GaN缓冲层、n型GaN、InGaN/GaN量子阱有源层、p型GaN、p型欧姆接触层、n型欧姆接触层、p型欧姆接触透明电极，其中，p型欧姆接触透明电极是同心圆结构，在相邻的同心圆结构环形电极之间有沟槽本发明利用环形电极分布，使电流注入更加均匀，电极间的沟槽增加了侧面发光的几率，并且减小了反射角，而大大降低了因为全反射产生的光能损耗，提高了发光效率。
一种发光二极管及其制备方法

[发明专利]一种H-3碳化硅PN型同位素电池及其制造方法-CN201811269908.7有效
发明人：张林;王晓艳;朱礼亚 -专利权人：长安大学
申请日： 2018-10-29 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： G21H1/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种H‑3碳化硅PN型同位素电池及其制造方法，该同位素电池的结构自下而上包括N型欧姆接触电极，N型高掺杂SiC衬底，N型SiC外延层，P型SiC外延层，在P型SiC外延层上部的部分区域设有P型SiC欧姆接触掺杂层，在P型SiC欧姆接触掺杂层的顶部设有P型欧姆接触电极，在P型SiC外延层上部除去P型欧姆接触掺杂区以外的区域设有SiO2钝化层，在SiO本发明设计新颖合理，可以有效解决H‑3在表面的辐照生载流子复合损耗问题，有效提高了同位素电池的输出功率、能量转换效率。
一种碳化硅 pn 同位素电池及其制造方法