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[实用新型]通信同轴电缆-CN90201224.X无效
发明人：陈国梁;叶婉芳;陈国栋 -专利权人：陈国梁;叶婉芳;陈国栋
申请日： 1990-02-06 - 公布日： 1990-09-12 - 主分类号： H01B11/18 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种通信同轴电缆，由防护套(5)，铜线编织层(4)，铝塑复合薄膜(3)，绝缘层(2)，内导体(1)组成多层结构，绝缘层(2)的截面为藕状车轮型，上述同轴电缆的射频阻抗为50欧姆，它具有损耗低及柔软的特点
通信同轴电缆

[发明专利]GaN基日盲型紫外探测器面阵及其制作方法-CN200810116040.7无效
发明人：颜廷静;苏艳梅;王国东;种明 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2008-07-02 - 公布日： 2010-01-06 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：一种GaN基日盲型紫外探测器面阵，包括：一衬底；一成核层，该成核层生长在衬底上；一N型欧姆接触层，该N型欧姆接触层生长在成核层上；一有源层，该有源层生长在N型欧姆接触层上；一P型欧姆接触层，该P型欧姆接触层生长在有源层上；一P型欧姆接触电极，该P型欧姆接触电极生长在P型欧姆接触层上；一二次金属，该二次金属生长在P型欧姆接触电极的上面；一N型欧姆接触电极，该N型欧姆接触电极生长在N型欧姆接触层上；一钝化层，该钝化层淀积在N型欧姆接触层、有源层、P型欧姆接触层、P型欧姆接触电极、二次金属和N型欧姆接触电极的两侧。
gan 基日盲型紫外探测器及其制作方法

[发明专利]一种基于超材料的无线控温方法-CN201711131424.1在审
发明人：赵强;于坤;王宁;何泓材 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-11-15 - 公布日： 2018-03-23 - 主分类号： G05D23/185 文献下载
摘要：包括至少一个呈矩形排列的超材料结构单元，每个超材料结构单元包括基板、位于基板之上的人工超材料微结构和基板之下的金属背板；当电磁波照射时，超材料与自由空间即实现了阻抗匹配，电磁波将完全入射，利用超材料结构强烈的欧姆损耗和介质损耗产生热量
一种基于材料无线方法

[发明专利]一种通过侧向吸收区来抑制侧向激射的宽条形大功率半导体激光器及其制备方法-CN202011285438.0在审
发明人：孙春明;苏建;郑兆河;徐现刚 -专利权人：山东华光光电子股份有限公司
申请日： 2020-11-17 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种通过侧向吸收区来抑制侧向激射的宽条形大功率半导体激光器及其制备方法，包括衬底、N型限制层、N型波导层、有源层、P型波导层、P型限制层、欧姆接触层、绝缘层、N面电极和P面电极，宽条形大功率半导体激光器的脊条两侧各制备有用于对光进行吸收损耗的吸收区吸收区对侧向传播的光进行吸收损耗，进而使得光无法在侧向解理面处反射，最终使得光振荡无法形成，有效抑制侧向上光的激射。
一种通过侧向吸收抑制条形大功率半导体激光器及其制备方法

[发明专利]AlxGa1‑xN基紫外探测器及制备方法-CN201510967933.2有效
发明人：赵德刚;李晓静;江德生;刘宗顺;朱建军;陈平 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2015-12-22 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种AlxGa1‑xN基紫外探测器及制备方法，该AlxGa1‑xN基紫外探测器，包括一衬底，所述衬底的材料为蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓或砷化镓；一N型欧姆接触层，该N型欧姆接触层制作在衬底上；一有源层，该有源层制作在N型欧姆接触层上的一侧，该N型欧姆接触层上的另一侧形成一台面；一P型欧姆接触层，该p型欧姆接触层制作在有源层上；一重掺P型欧姆接触盖层，该重掺p型欧姆接触盖层制作在p型欧姆接触层上；一P型欧姆接触透明电极，该P型欧姆接触透明电极制作在重掺P型欧姆接触盖层上；一N型欧姆接触电极，该N型欧姆接触电极制作在N型欧姆接触层的台面上；一P型加厚电极，该P型加厚电极制作在P型欧姆接触透明电极上，其面积远小于P型欧姆接触透明电极的面积
al sub ga 紫外探测器制备方法

[发明专利]一种基于对称保护型连续体束缚态的太赫兹传感器-CN202111269748.8有效
发明人：王玥;张达篪;陈曦;崔子健;张晓菊;马成;李存霞;陈素果 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G01N21/41 文献下载
摘要：本发明可以提高检测的灵敏度，同时克服金属太赫兹传感器易被氧化、高欧姆损耗、结构复杂的问题。
一种基于对称保护连续束缚态赫兹传感器

[实用新型]一种GaN基激光器外延结构-CN202320156850.5有效
发明人：钟玉煌;潘华;张海涛 -专利权人：无锡吴越半导体有限公司
申请日： 2023-02-08 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种GaN基激光器外延结构，该外延结构包括由下到上依次层叠的GaN衬底、第一N型发光层、P型欧姆接触层、第二N型发光层和电子供给层。与现有技术相比，本实用新型可以通过NPN结构层实现双向发光层，减少内损耗，从而提升激光器的激光功率，获得高光效的GaN激光器件。
一种 gan 激光器外延结构

[发明专利]四分之一结构基片集成波导双通带电调谐滤波器-CN201710741558.9在审
发明人：徐自强;谭力;王晓薇;吴孟强;廖家轩;夏红;李元勋;巩峰 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-08-22 - 公布日： 2017-12-15 - 主分类号： H01P1/20 文献下载
摘要：本发明提供一种四分之一结构基片集成波导双通带电调谐滤波器，包括介质基板、介质基板上表面的四分之一覆铜结构、介质基板下表面的下层金属铜；四分之一覆铜结构上设有构成基片集成波导的金属化通孔，四分之一覆铜结构左下侧是50欧姆输入微带线，四分之一覆铜结构内部L型槽的右侧有一个互补方形螺旋谐振环；50欧姆过渡微带线右侧是一个大方形金属平面，大方形金属平面中心有一个倒凹型打孔金属片，其中心设有中心过孔，四分之一覆铜结构和50欧姆输入微带线下方包括六个方形金属焊盘，该滤波器具有体积小，插入损耗低、中心频率连续可调、带外抑制高、加载直流馈电方便、调谐速度快、调谐方便等特点。
四分之一结构集成波导带电调谐滤波器

[发明专利]一种高效节能电流放大器-CN201410437959.1有效
发明人：夏瑞华;白坚实;刘博 -专利权人：华北电力大学
申请日： 2014-08-29 - 公布日： 2018-01-16 - 主分类号： H03F3/20 文献下载
摘要：NMOS管漏极D作为输入端与电流放大器等效模块输出端相连，NMOS管源极作为输出端与负载相连，栅极与逻辑控制回路相连；将采样电阻R15取值由0.1欧姆降为0.02欧姆；在漏极D与源极S之间加入取值0.3欧姆新增采样电阻R16；通过栅极电压大小控制NMOS管开断，当电流放大器输出电流大于等于15安培时，栅极电压达到阈值，NMOS管处于闭合状态，电流从NMOS管支路流过；当电流放大器输出电流小于15安培时本发明利用NMOS管栅极电压达到阈值具有使源极与漏极之间形成导电沟道的能力，实现继电保护测试仪电流放大器减小功率损耗，提高采样精度，减少投资，提高最大输出电流等优点。
一种高效节能电流放大器

[实用新型]平面栅超结功率器件-CN202123268779.X有效
发明人：朱袁正;叶鹏;周锦程;李宗清 -专利权人：无锡新洁能股份有限公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：第二类导电多晶硅、源极金属、绝缘介质层、第一通孔与第二通孔，第一类导电多晶硅半包围或者全包围第二类导电多晶硅，第一通孔的两侧均为第一类导电多晶硅，源极金属通过第一通孔与第一导电类型源区以及第二导电类型体区欧姆接触，源极金属通过第二通孔与第一导电类型源区、第二导电类型体区以及第二类导电多晶硅欧姆接触，第二类导电多晶硅的两侧均与第二通孔欧姆接触。本实用新型降低了芯片成本与封装成本，减少了反向恢复能量损耗，并降低了工艺难度。
平面栅超结功率器件

[实用新型]75欧姆—300欧姆匹配器接头-CN91226150.1无效
发明人：许连财;方崑泉 -专利权人：许连财
申请日： 1991-10-11 - 公布日： 1992-04-15 - 主分类号： H03H7/38 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种75欧姆～300欧姆匹配器接头，特别是指一种可将PC板完全固定的铝合金的匹配器接头。这种匹配器主要由接头、PC板、300欧姆导线等构成，其特征在于在该铝合金接头的较大环围颈部的一侧壁上有一突柱，可利用其突柱与PC板的负极导线用焊锡焊接，该突柱还可顶靠PC板，使PC板牢固地固定住，故PC
75 欧姆 300 配器接头

[实用新型]75欧姆-300欧姆匹配器套管-CN91226149.8无效
发明人：许连财;方崑泉 -专利权人：许连财;方崑泉
申请日： 1991-10-11 - 公布日： 1992-04-08 - 主分类号： H03H7/38 文献下载
摘要：这种匹配器主要由接头、PC板、300欧姆导线及套管构成，其特征在于该套管由塑胶材料一体成型，一端为透空状，套接于接头的较大环围处，另一端为一体成型的侧壁面，且在侧壁面上有一线槽使300欧姆导线穿过，该线槽两端为圆弧状，中间为长条形，以此来固定300欧姆导线。
75 欧姆 300 配器套管

[发明专利]一种1/4功分器的低功耗改造方法-CN202111411184.7有效
发明人：奚松涛;孙庆锋;卞磊 -专利权人：南京国睿防务系统有限公司
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01P5/16 文献下载
摘要：将级联电路等效成三个隔离电阻和五个阻抗的级联，减少了1个隔离电阻的成本，同时提高了功分器的可靠性，分别在偶模工作模式和奇模工作模式，计算1/4波长对应的传输线阻抗值和电阻值，缩短Z1和Z2的长度，如果不考虑50欧姆传输线的长度，体积缩小1/4，降低1/4波长传输线的损耗，在1GHz至2GHz的L波段，功分器的损耗为0.2dB，相比于传统倍频程1/4功分器降低损耗0.2dB，对于大型网络，比如1/64网络，用三个1/4功分器进行级联，可损耗将降低0.6dB。
一种功分器功耗改造方法

[发明专利]一种沟槽栅IGBT器件-CN202111630323.5在审
发明人：许生根;李哲锋;訾彤彤 -专利权人：江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供了一种沟槽栅IGBT器件，在P+型欧姆接触区和N+型欧姆接触区之间引入欧姆接触介质层，通过欧姆接触介质层将P+型欧姆接触区和N+型欧姆接触区进行隔离，隔离后可以有效的防止P+型欧姆接触区和N+型欧姆接触区沿着沟槽方向的扩散，从而可以消除P+型欧姆接触区与N+型欧姆接触区之间距离不能太小的限制，降低阈值电压变化的风险，提升器件的导通电流和RBSOA能力。同时，由于欧姆接触介质层的存在，设计上不需要考虑器件的P+型欧姆接触区和N+型欧姆接触区扩散对IGBT沟道宽度的影响，降低了设计难度和风险，能够解决现有技术中P+型欧姆接触区和N+型欧姆接触区的间距对IGBT
一种沟槽 igbt 器件

[发明专利]III‑V族化合物半导体器件及其欧姆接触电阻改善方法-CN201510390605.0有效
发明人：彭挺;陈汝钦 -专利权人：成都海威华芯科技有限公司
申请日： 2015-07-02 - 公布日： 2017-10-13 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种III‑V族化合物半导体器件及其欧姆接触电阻改善方法。该方法包括在外延层上形成掩膜层，并采用光刻工艺在掩膜层上形成欧姆接触区域和非欧姆接触区域；对露出在欧姆接触区域内的外延层进行铟离子注入；在欧姆接触区域和非欧姆接触区域上沉积与外延层采用的半导体材料的功函数对应的欧姆接触金属层；采用湿法工艺剥离非欧姆接触区域上的掩膜层以及欧姆接触金属层；加热晶圆，使欧姆接触区域内的外延层、至少部分铟离子以及欧姆接触金属层形成合金化合物，进而实现欧姆接触。通过上述方式，本发明能够降低III‑V族化合物半导体器件的欧姆接触电阻。
iii 化合物半导体器件及其欧姆接触电阻改善方法