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[发明专利]一种通过掺杂铁降低结晶温度的氧化镓薄膜制备方法-CN201811096587.5有效
发明人：黄元琪 -专利权人： 北京镓族科技有限公司
申请日： 2018-09-19 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提出一种通过掺杂铁降低结晶温度的氧化镓薄膜制备方法，使用铁掺杂的氧化镓陶瓷靶材，通过激光分子束外延方法，在衬底温度为425～575℃的生长条件下，制备氧化镓薄膜。本发明还提出所述氧化镓薄膜制备方法制备得到的薄膜。本发明的有益效果在于：通过掺杂铁元素，解决了使用激光分子束外延技术在低温下制备的β‑Ga2O3薄膜不易结晶的问题。通过铁元素掺杂，可以有效提高氧化镓薄膜的绝缘性，以用作氧化镓基场效应晶体管中的栅层结构，提高与沟道层结构的晶格匹配度，减少位错及界面效应，提高器件的性能。本薄膜制备技术，操作步骤简单、成本低廉，靶材可重复性利用率高，制备的薄膜表面均匀、成膜致密、结晶性好。
一种通过掺杂降低结晶温度氧化薄膜制备方法

[发明专利]一种Ga2-CN201910612898.0有效
发明人：李山;唐为华;李培刚 -专利权人： 北京镓族科技有限公司
申请日： 2019-07-09 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明提供了一种Ga2O3‑CuSCN核壳异质结日盲紫外探测器，包括作为n型核芯材料的Ga2O3单晶、作为p型壳层材料的CuSCN薄膜、与n型核芯材料欧姆接触的第一电极以及与p型壳层材料欧姆接触的第二电极。本发明还公开了Ga2O3‑CuSCN核壳异质结日盲紫外探测器的制备方法。本核壳结构日盲紫外探测器的制备工艺简单，器件性能优异，可探测超微弱日盲紫外光信号，并能实现自供电工作，适用于高敏感高精度的紫外光探测系统。
一种 ga base sub

[发明专利]一种基于氧化镓纳米柱阵列的光电化学型日盲紫外探测器-CN201810997396.X有效
发明人：郭道友 -专利权人： 北京镓族科技有限公司
申请日： 2018-08-29 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明提供一种基于氧化镓纳米柱阵列的光电化学型日盲紫外探测器，包括生长在衬底上的氧化镓纳米柱阵列光阳极，所述的氧化镓纳米柱阵列是在透明导电衬底上生长的α相或β相氧化镓纳米柱阵列。本发明还提出所述光电化学型日盲紫外探测器的制备方法。本发明提出的光电化学型日盲紫外探测器，其中的氧化镓纳米柱阵列沿着透明导电电极衬底定向生长，其形貌、尺寸均匀，且具有较大的比表面积，与电解液形成的界面接触多，有利于光生载流子的分离和传输。本发明所制备的氧化镓纳米柱阵列光电化学型日盲紫外探测器在一定功率的紫外光照射下，无需外加电源偏压即可工作，可以减少能源的消耗。
一种基于氧化纳米阵列光电化学型日盲紫外探测器

[发明专利]基于α/β-Ga2-CN201810998304.X有效
发明人：郭道友 -专利权人： 北京镓族科技有限公司
申请日： 2018-08-29 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H01G9/20 文献下载
摘要：本发明提供一种基于α/β‑Ga2O3相结的自供电日盲紫外探测器，包括α/β‑Ga2O3相结纳米柱阵列光阳极，所述α/β‑Ga2O3相结纳米柱为通过水热法、高温退火和快速高温退火法生长在衬底上的纳米柱阵列。本发明所制备的α/β‑Ga2O3相结纳米柱阵列形貌可控、尺寸均匀，具有较大的比表面积，且制备工艺简单、成本低廉、易大规模生产等优点。本发明提出的基于α/β‑Ga2O3相结日盲紫外探测器，具有自供电、光谱选择性好的特点，对日盲紫外光具有响应度大、灵敏度高等特性。
基于 ga base sub

[发明专利]一种带隙纵向梯度分布Al和Fe共掺杂Ga2-CN201810715819.4有效
发明人：唐为华;崔蔚 -专利权人： 北京镓族科技有限公司
申请日： 2018-07-03 - 公布日： 2020-10-13 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明涉及一种带隙纵向梯度分布Al和Fe共掺杂Ga2O3薄膜的制法，所述制法以α‑Al2O3单晶为底衬，采用激光分子束外延交替沉积Ga2O3和Fe2O3超薄层，退火处理后，即得。本发明所述的制法过程简单、工艺可控性强、易操作、重复性好、可大面积制备；所制得的薄膜中Al的组分纵向梯度分布，薄膜结晶性好、致密、表面均匀。
一种纵向梯度分布 al fe 掺杂 ga base sub

[发明专利]一种改善碳化硅衬底上生长的氧化镓薄膜的方法-CN201811249850.X有效
发明人：黄元琪;李培刚;唐为华 -专利权人： 北京镓族科技有限公司
申请日： 2018-10-25 - 公布日： 2020-09-18 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种改善碳化硅衬底上生长的氧化镓薄膜的方法。所述的方法是对六方碳化硅衬底的表面进行预处理和热处理，然后生长氧化镓薄膜；预处理方法包括微波等离子清洗。本发明还提出所述方法制备得到的氧化镓薄膜。本发明通过使用碳化硅衬底，解决了以往使用蓝宝石衬底制备的β‑Ga2O3薄膜导电性和导热性不佳的问题。通过在使用碳化硅衬底生长氧化镓薄膜前，除了对碳化硅衬底进行液体超声清洗外，还额外地对碳化硅衬底进行微波等离子清洗的预处理过程，强力清除了衬底表面的附着物，并减小衬底表面的粗糙度，解决了因衬底表面凹凸不平而产生较多缺陷的问题，使在其上生长的氧化镓薄膜，接触面的界面效应更小，缺陷更少，薄膜质量更好。
一种改善碳化硅衬底生长氧化薄膜方法

[发明专利]氧化镓/石墨烯异质结零功耗光电探测器及其制造方法-CN201811121634.7有效
发明人：谷雪 -专利权人： 北京镓族科技有限公司
申请日： 2018-09-26 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明提供了一种氧化镓/石墨烯异质结型光电探测器及其制造方法。所述的光电探测器包括依次叠置的衬底、石墨烯层、氧化镓薄膜和电极。石墨烯层优选为标准湿法转移的石墨烯，氧化镓薄膜优选为室温生长非晶氧化镓薄膜。本发明中非晶氧化镓薄膜采用磁控溅射方法生长，工艺可控性强、容易操作，制作成本低。本发明制得的氧化镓薄膜表面致密、厚度稳定均一，适于大面积制备、且重复性好。本发明制得的光电探测器能够在零功耗下工作，在日盲紫外探测领域具有潜在的应用前景。
氧化石墨烯异质结零功耗光电探测器及其制造方法

[发明专利]基于β-Ga2-CN201811488200.0有效
发明人：王霞;李培刚;唐为华 -专利权人： 北京镓族科技有限公司
申请日： 2018-12-06 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明提供一种基于β‑Ga2O3/FTO异质结的日盲紫外光电探测器，包括β‑Ga2O3薄膜、FTO导电玻璃和电极，β‑Ga2O3薄膜置于FTO导电玻璃上构成异质结，在β‑Ga2O3薄膜和FTO导电玻璃上各设置有一个电极。本发明还提出基于β‑Ga2O3/FTO异质结的日盲紫外光电探测器的制备方法及其应用。本发明提出基于β‑Ga2O3/FTO异质结的日盲紫外光电探测器，可以在有效探测UVC信号和有效过滤部分UVB和UVA光的同时，还可以有效的穿透可见光的特点。该发明为β‑Ga2O3/FTO异质结日盲紫外光电探测器的应用提供理论和技术支持。
基于 ga base sub

[发明专利]一种氧化镓发光材料及其制备方法-CN201811023368.4有效
发明人：郭道友;苏媛丽;秦新元;李培刚;唐为华 -专利权人： 北京镓族科技有限公司
申请日： 2018-09-03 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供了一种氧化镓发光材料及其制备方法。该氧化镓发光材料为锌和镁共掺杂的氧化镓膜。本发明通过向氧化镓膜中共掺杂锌和镁，可以有效地拓宽氧化镓膜的带隙，提高氧化镓膜在深紫外与紫外区域的发光比值以及提高氧化镓膜的发光强度。
一种氧化发光材料及其制备方法

[发明专利]一种可区分紫外波段的自供电光电探测器-CN201811217083.4有效
发明人：郭道友;贺晨冉;陈凯;王顺利;李培刚;唐为华 -专利权人： 北京镓族科技有限公司
申请日： 2018-10-18 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明提出一种可区分紫外波段的自供电光电探测器，包括生长在导电衬底上的α‑Ga2O3/Cu2O pn结光阳极，α‑Ga2O3是在透明导电衬底上生长的纳米柱阵列，Cu2O是在纳米柱阵列上生长的纳米球。本发明还提出一种α‑Ga2O3/Cu2O pn结光阳极的制备方法、以及所述自供电光电探测器的应用。本发明提出的自供电光电探测器，其中α‑Ga2O3纳米柱阵列沿着透明导电电极衬底垂直生长，阵列表面平整，尺寸均匀。Cu2O纳米球分散在纳米柱阵列表面，两者接触良好。一维的α‑Ga2O3纳米柱具有较大的比表面积，与纳米球形成pn结，可以实现对不同波段光照的区分，同时能加速光生载流子的分离和传输，提高光响应性能。
一种区分紫外波段自供电光探测器

[发明专利]一种柔性日盲探测器及其制备方法-CN201810549684.9有效
发明人：唐为华;王霞 -专利权人： 北京镓族科技有限公司
申请日： 2018-05-31 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： H01L31/09 文献下载
摘要：本发明涉及一种柔性日盲探测器及其制备方法，所述制备方法包括：1)采用磁控溅射在衬底上生长Sr
薄膜日盲探测器叉指电极磁控溅射衬底制备溅射金属工艺可控性薄膜转移可弯曲性制备过程镂空掩膜版电极生长放入水中遮挡浸泡溶解

[发明专利]液态镓或液态镓基合金作为电极材料的方法和用途-CN201910393481.X在审
发明人：王霞;唐为华;李培刚 -专利权人： 北京镓族科技有限公司
申请日： 2019-05-13 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： G01N27/30 文献下载
摘要：本发明提出一种使用液态镓或液态镓基合金作为电极的方法的相应的用途，所述方法包括：将液态镓或液态镓基合金施加于样品上用于设置电极的位置；借助所述液态镓或液态镓基合金对所述样品施加电信号。这种方法优选为将液态镓或液态镓基合金作为测试用电极，并在在完成测试后清除所述液态镓或液态镓基合金。本发明操作步骤简单，电极性能稳定，测试后容易清除或氧化，安全无毒，对测试样品无污染无损伤。
液态镓基合金电极测试施加测试样品电极材料无损伤优选无毒安全

[发明专利]基于氧化镓晶体的皮秒全固态紫外激光器-CN201910361493.4在审
发明人：陈政委;刘文军;张晓 -专利权人： 北京镓族科技有限公司
申请日： 2019-04-30 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： H01S3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种皮秒全固态紫外激光器，包括基频光发生装置、倍频晶体和谱宽增加晶体，基频光发生装置用于输出基频光，倍频晶体用于将所述基频光进行倍频，生成倍频光，谱宽增加晶体采用氧化镓晶体用于对所述倍频光加宽谱线宽度。本发明能够得到236.5nm的脉宽为皮秒级的紫外激光输出，具有高稳定性以及高光束质量的优点，且结构紧凑小巧，适于重复生产和组装。
基频光全固态紫外激光器倍频晶体发生装置氧化镓高稳定性紫外激光输出倍频光高光束晶体的加宽倍频脉宽频光谱线种皮组装重复生产

[发明专利]基于氧化镓晶体的飞秒绿光激光器-CN201910362604.3在审
发明人：陈政委;刘文军;张晓 -专利权人： 北京镓族科技有限公司
申请日： 2019-04-30 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： H01S3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种飞秒绿光激光器，包括：泵浦源，用于输出泵浦激光；克尔透镜锁模系统，用于对泵浦激光进行锁模后输出锁模激光，克尔透镜锁模系统的输出光路中还包括倍频晶体，用于对所述锁模激光倍频后输出绿光激光。本发明采用的倍频晶体是氧化镓晶体。克尔透镜锁膜系统则是基于Yb：YCOB晶体。本发明输出的绿光锁模激光的最窄脉冲宽度可达到73fs，最高输出功率可达到70mW。
克尔透镜锁模绿光激光器倍频晶体锁模激光氧化镓激光透镜泵浦激光绿光激光输出泵浦输出功率输出光路输出泵浦源晶体的膜系统输出锁窄脉冲倍频绿光锁模

[发明专利]基于石墨烯-氧化镓相结的自供电型光电探测结构、器件及制备方法-CN201910393485.8在审
发明人：郭道友;刘琦;王顺利;李培刚;唐为华 -专利权人： 北京镓族科技有限公司
申请日： 2019-05-13 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于石墨烯‑氧化镓相结的自供电型光电探测结构及相应的制备方法，以及光电探测器。所述结构包括：衬底、形成于所述衬底上的氧化镓相结纳米柱、形成于所述氧化镓相结纳米柱上的石墨烯薄膜。所述方法包括在衬底上通过水热、退火和高温退火生成氧化镓相结纳米柱，在所述氧化镓相结纳米柱上转移形成石墨烯薄膜。本发明具有制备工艺简单、成本低廉、易大规模生产等优点。本发明的光电探测器具有自供电、光谱选择性好的特点，对日盲紫外光具有响应度大、灵敏度高等特性。
氧化镓纳米柱衬底光电探测器石墨烯薄膜光电探测自供电型石墨烯制备退火光谱选择性高温退火制备工艺紫外光灵敏度响应度自供电日盲水热

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