专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种背接触电池及其制作方法-CN202111118365.0有效
  • 李中兰;鲁伟明;李华;靳玉鹏 - 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司
  • 2021-09-22 - 2023-10-27 - H01L31/0288
  • 本发明公开一种背接触电池及其制作方法,涉及光伏技术领域,用于在保证高的光电转换效率的情况下简化背接触电池的制作工艺。所述背接触电池,包括:基底,基底具有相对的第一表面和第二表面,第一表面上具有交错排列的第一掺杂区和第二掺杂区,以及介于第一掺杂区和第二掺杂区之间的第三区域。依次形成于第一掺杂区上的第一掺杂层以及第二掺杂层,第一掺杂层与所述第二掺杂层的导电类型相反;形成于第二掺杂区的第三掺杂层,第三掺杂层与第一掺杂层的导电类型相反;以及第一电极和第二电极,第一电极与第二掺杂层电接触,第二电极与第三掺杂层电接触。本发明提供的背接触电池的制作方法用于制作背接触电池。
  • 一种接触电池及其制作方法
  • [发明专利]一种背接触电池及其制作方法-CN202111162148.1有效
  • 李中兰;鲁伟明;李华;靳玉鹏 - 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司
  • 2021-09-30 - 2023-10-27 - H01L31/0288
  • 本发明公开一种背接触电池及其制作方法,涉及光伏技术领域,用于在保证高的光电转换效率的情况下简化背接触电池的制作工艺。所述背接触电池包括:基底,基底具有相对的第一表面和第二表面,第一表面上具有交错排列的第一掺杂区和第二掺杂区,和介于第一掺杂区和第二掺杂区之间的叠层区和第三区域,叠层区靠近第一掺杂区;形成于第一掺杂区和叠层区上的第一掺杂层;形成于第一掺杂层上且位于叠层区上方的第二掺杂层,形成于第二掺杂区上的第三掺杂层,第三掺杂层和第二掺杂层与第一掺杂层的导电类型相反;以及与第一掺杂层电接触的第一电极和与第三掺杂层电接触的第二电极。本发明提供的背接触电池的制作方法用于制作背接触电池。
  • 一种接触电池及其制作方法
  • [实用新型]具有绒面结构的硅片和太阳能电池-CN202221917177.4有效
  • 童洪波;丁超;李华;靳玉鹏 - 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司
  • 2022-07-21 - 2023-10-27 - H01L31/0236
  • 本申请涉及太阳能电池技术领域,公开了一种具有绒面结构的硅片和太阳能电池,所述硅片的绒面结构包括复数个类金字塔结构,所述类金字塔结构为棱台形或棱锥形;所述类金字塔结构的塔高和所述类金字塔结构的塔底边长之间的高宽比0.6~0.85:1;或者,所述类金字塔结构的斜面与所述类金字塔结构的塔底之间夹角为55~60°;所述类金字塔结构的斜面为类金字塔结构的塔尖与所述类金字塔结构的塔底底边构成的平面。本实用新型的硅片的类金字塔结构绒面结构具有较大的高宽比,或者具有较大的斜面与塔底夹角,使得硅片具有更为陡峭的绒面结构,可以降低硅片表面的反射率,从而增大太阳能电池的短路电流,提升太阳能电池的光转换效率。
  • 具有结构硅片太阳能电池
  • [发明专利]一种p型背接触太阳电池及其制备方法-CN201810759437.1有效
  • 李华;鲁伟明;李中兰;靳玉鹏 - 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司
  • 2018-07-11 - 2023-08-08 - H01L31/0224
  • 本发明公开了一种p型背接触太阳电池及其制备方法,包括:正面钝化及减反射膜、p型硅基底、钝化隧穿层、n型掺杂膜层、背面钝化膜和电池电极;n型掺杂膜层间隔设置在p型硅基底表面,相邻的n型掺杂膜层之间设置有本征膜层;n型掺杂膜层和本征膜层呈指状交叉形式交错排列,其中n型掺杂膜层包括第一贯穿区域和第一垂直区域,所述本征膜层包括第二贯穿区域和第二垂直区域;第一贯穿区域和第二贯穿区域相互平行;所述第一垂直区域和第一贯穿区域相互垂直并连接;所述第二垂直区域和第二贯穿区域相互垂直并连接;使用了本征膜层进行了隔离,在空间的横向和纵向方向上都没有接触,大大较少了漏电流的产生,提高了可靠性和电池性能表现。
  • 一种接触太阳电池及其制备方法
  • [发明专利]太阳电池及生产方法、光伏组件-CN202210769846.6有效
  • 靳玉鹏;李华 - 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司
  • 2020-09-15 - 2023-07-18 - H01L31/0224
  • 本发明提供一种太阳电池及生产方法、光伏组件,涉及太阳能光伏技术领域。太阳电池包括硅基底、第一氧化钛层、第二氧化钛层、第一电极以及第二电极;第一氧化钛层具有电子选择性,第二氧化钛层具有空穴选择性;第一电极位于第一氧化钛层上;第二电极位于第二氧化钛层上;第一氧化钛层和第二氧化钛层分别位于硅基底的向光面和背光面;或,第一氧化钛层和第二氧化钛层分别位于硅基底的背光面的第一区域和第二区域。第一氧化钛层、第二氧化钛层的生产工艺小于或等于600℃,温度较低,减少了杂质,少数载流子的寿命长,电池结构简化,工艺简化。第一氧化钛层、第二氧化钛层可以避免硅基底和电极直接接触,复合速率大幅降低。
  • 太阳电池生产方法组件
  • [发明专利]一种P型电池及其制作方法-CN202010621513.X有效
  • 李华;靳玉鹏 - 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司
  • 2020-06-30 - 2023-07-14 - H01L31/0224
  • 本发明公开一种P型电池及其制作方法,涉及光伏技术领域,以简化局部钝化接触结构的制备工艺,提高过程品质可控性,提高产品性能。所述P型电池的制作方法包括:提供一P型硅基底;在P型硅基底的第一面形成硅膜;对硅膜的局部区域进行N型掺杂,获得形成有局部掺杂部的硅膜;对形成有局部掺杂部的硅膜进行刻蚀,以去除局部掺杂部,并保留局部硅膜;对具有局部硅膜的P型硅基底的第一面进行N型掺杂;然后在局部硅膜的上形成第一电极;在P型硅基底的第二面形成第二电极。所述P型电池采用上述制作方法制作。本发明提供的P型电池的制作方法用于制作晶硅电池。
  • 一种电池及其制作方法
  • [发明专利]一种IBC太阳能电池及其制备方法-CN202111647912.4在审
  • 张云海;鲁伟明;李华;靳玉鹏 - 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司
  • 2021-12-29 - 2023-07-11 - H01L31/0216
  • 本申请公开了一种IBC太阳能电池,包括半导体基底,在半导体基底的第一表面的部分区域上具有第一掺杂层,在半导体基底的内部具有第二掺杂区,第二掺杂区靠近未被第一掺杂层覆盖的第一表面;在第一掺杂层背离半导体基底的一侧表面依次设置有第一膜层和第二膜层,且第一膜层以及第二膜层从第一掺杂层的表面延伸至其侧面,并继续延且伸覆盖未覆盖第一掺杂层的半导体基底的第一表面;第一掺杂层与第二掺杂区的导电类型相反;第一膜层为非掺杂的钝化层,第二膜层为含有掺杂元素的介质层。本申请还提供一种IBC太阳能电池的制备方法。本申请提供的IBC太阳能电池,在第二膜层下方设置第一膜层,可以提高钝化效果,保证电连接的可靠性。
  • 一种ibc太阳能电池及其制备方法
  • [发明专利]一种太阳能电池及其制备方法-CN202111644250.5在审
  • 李中兰;鲁伟明;李华;靳玉鹏 - 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司
  • 2021-12-29 - 2023-07-11 - H01L31/18
  • 本申请公开了一种太阳能电池,包括半导体基底,在所述半导体基底的一侧表面具有第一半导体膜层,第一半导体膜层具有第一掺杂区和第二掺杂区,所述第一掺杂区与所述第二掺杂区的导电类型相反;所述第一掺杂区中含有第一掺杂剂和第二掺杂剂,所述第二掺杂区含有第二掺杂剂;在所述第一掺杂区中,所述第一掺杂剂的掺杂浓度大于所述第二掺杂剂的掺杂浓度。本申请还提供一种太阳能电池的制备方法。本申请所述的太阳能电池以及制备方法,仅需要一次图形化,即可以完成两个区域的掺杂半导体的制备。并且该方法制备的掺杂区,两极均为钝化接触结构,钝化效果好,金属区复合速率大幅降低,从而提升了电池的效率。
  • 一种太阳能电池及其制备方法
  • [发明专利]一种太阳能电池及其制备方法-CN202111644240.1在审
  • 李中兰;鲁伟明;李华;靳玉鹏 - 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司
  • 2021-12-29 - 2023-07-11 - H01L31/0216
  • 本申请公开了一种太阳能电池,包括半导体基底,在半导体基底的一侧表面具有第一掺杂层和第二掺杂层,在第一掺杂层背离半导体基底的一侧表面具有第三掺杂层,第一掺杂层中具有第一掺杂剂和第二掺杂剂;第二掺杂层中具有第二掺杂剂;第三掺杂层中具有第一掺杂剂和第二掺杂剂;第三掺杂层中至少部分区域的导电类型与第一掺杂层的导电类型相同;第一掺杂层与第二掺杂层的导电类型相反。本申请还提供一种太阳能电池的制备方法。本申请的太阳能电池,仅需要一次图形化,即可以完成两个区域的掺杂半导体的制备。
  • 一种太阳能电池及其制备方法
  • [实用新型]一种背接触电池-CN202222209376.6有效
  • 赵学亮;鲁伟明;李中兰;梁志林;李华;靳玉鹏 - 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司
  • 2022-08-22 - 2023-05-05 - H01L31/0352
  • 本实用新型公开了一种背接触电池,涉及太阳能电池技术领域。用于提高第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层之间的可分辨性。所述背接触电池包括:半导体基底、第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层。上述半导体基底具有相对的第一面和第二面。沿着平行于第二面的方向,第二面具有交替排布的第一区域和第二区域。第一区域的表面具有第一凸台结构,第二区域的表面具有第二凸台结构。第一凸台结构中分布的凸台的形貌不同于第二凸台结构中分布的凸台的形貌。上述第一掺杂半导体层形成在第一区域内或形成在第一区域上。上述第二掺杂半导体层形成在第二区域内或形成在第二区域上。第二掺杂半导体层与第一掺杂半导体层的导电类型相反。
  • 一种接触电池
  • [实用新型]电镀装置及电镀系统-CN202221853474.7有效
  • 张洪超;盛绕;童洪波;李华;靳玉鹏 - 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司
  • 2022-07-18 - 2023-03-21 - C25D17/02
  • 本实用新型实施例提供了一种电镀装置及电镀系统。该电镀装置包括:两个导电传动件、导电弹夹、容纳槽;两个导电传动件间隔分布、传动方向相同且同步移动;两个导电传动件位于容纳槽的上方,导电弹夹设置于两个导电传动件上,且与导电传动件可拆卸连接,导电弹夹用于夹持电池片,两个导电传动件可带动导电弹夹移动,且两个导电传动件用于与电镀电源的负极连接,以将电能通过导电弹夹传递至电池片,容纳槽中设置有阳极金属,容纳槽用于容纳电镀液,阳极金属用于连接电镀电源的正极;两个导电传动件上的电池片所述在平面之间的区域具有发光件。
  • 电镀装置系统
  • [实用新型]一种清洗装置-CN202221527057.3有效
  • 张玥;赵学亮;李中兰;鲁伟明;李华;靳玉鹏 - 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司
  • 2022-06-17 - 2023-02-28 - B08B3/02
  • 本实用新型公开一种清洗装置,涉及太阳能电池片清洗技术领域,用于花篮离开清洗槽后使药液或水更充分地从花篮和电池片表面脱离。清洗装置包括吊装机构,吊装机构包括:第一机械臂,用于沿竖直方向升降;第二机械臂,与第一机械臂的升降端连接,且第二机械臂的延伸方向与第一机械臂的升降方向相交;相对且间隔设置的第一悬挂部件和第二悬挂部件;第一悬挂部件和第二悬挂部件均与第二机械臂连接,第一悬挂部件和第二悬挂部件分别用于悬挂待清洗件的两端;其中,第一悬挂部件的悬挂点与第二悬挂部件的悬挂点之间的连线相对于水平面呈第一夹角b,第一夹角b为:0°<b<90°。
  • 一种清洗装置
  • [实用新型]一种载具、沉积炉及半导体-CN202221310753.9有效
  • 朱广东;郭梦龙;李华;靳玉鹏 - 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司
  • 2022-05-27 - 2023-01-17 - C23C14/50
  • 本实用新型提供了一种载具、沉积炉及半导体,涉及半导体制造技术领域。载具包括:两个相对设置的底座,以及固定在两个底座之间的多根挡杆;多根挡杆中至少具有一个第一挡杆,第一挡杆上设置有卡齿;第一挡杆可拆卸的固定在底座上;第一挡杆的第一线膨胀系数与待沉积件上待沉积的物质的第二线膨胀系数的比值为:1/3‑3,且第一挡杆的抗折强度大于或等于200Mp。在反复的高低温过程中,第一挡杆和其上沉积的待沉积物质的线膨胀程度差异不大,降低了第一挡杆应力集中的概率。第一挡杆的抗折强度大于或等于200Mp,在多次使用过程中,不易断裂或破损。第一挡杆可拆卸固定在底座上,可以方便地仅更换第一挡杆,可以延长载具的寿命,且更换成本较低。
  • 一种沉积半导体

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