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[发明专利]自动目检方法-CN200610030806.0有效
发明人：吴文彬 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-09-04 - 公布日： 2008-03-12 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：一种自动目检方法，包括：获得晶片良率测试图像；将晶片良率测试图像转化为自动目检工具可接受的文件格式；对已转换文件格式的晶片良率测试图像进行选择性自动目检；获得自动目检图像。采用本发明提供的自动目检方法，在晶片良率测试与自动目检及人工目检之间建立数据链接，提高了检测效率，增强了检测数据的可靠性；应用本发明提供的自动目检方法可根据实际要求对晶片内任意芯片进行自动目检，可避免无效检测
自动方法

[发明专利]SIC VDMOS器件及提高SIC器件良率和可靠性的方法-CN202211537168.7在审
发明人：彭虎 -专利权人：苏州龙驰半导体科技有限公司
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种SIC VDMOS器件及提高SIC器件良率和可靠性的方法。所述提高SIC器件良率和可靠性的方法，包括对SIC晶片进行离子注入的步骤、对经离子注入后的SIC晶片进行激活的步骤以及基于激活后的SIC晶片制作VDMOS器件结构的步骤，其中，对经离子注入后的SIC晶片进行激活的步骤包括：在SIC晶片表面覆设保护层，并于3‑8个大气压条件下对所述SIC晶片进行退火处理，以激活注入的离子。本发明提供的一种提高SIC器件良率和可靠性的方法，相比于当前使用C膜保护的方式，可以减少器件particle的数量，提高器件的良率和可靠性。
sic vdmos 器件提高可靠性方法

[发明专利]晶片的黑化方法、黑化后的晶片及声表面波滤波器-CN202080007457.9有效
发明人：刘艺霖;林仲和;林彦甫;黄世维;枋明辉;杨胜裕 -专利权人：福建晶安光电有限公司
申请日： 2020-09-28 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： C30B33/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种晶片的黑化方法、黑化后的晶片及声表面波滤波器，涉及半导体相关技术领域。该晶片的黑化方法包括：对晶片进行还原性处理；采用紫外光照射晶片预定时间；晶片的黑化均匀性DE值介于0.3～0.6；色度L值介于48～54。在本申请中，利用紫外光辅助晶片的黑化制程，能够有效改善晶片的黑化均匀性DE值及色度L值，进而改善晶片的透射率，并提高晶片黑化的良率。其中，对晶片进行还原性处理及采用紫外光照射晶片预定时间的先后顺序可以互换，这两种方法均能提高晶片黑化的良率。
晶片方法黑化后表面波滤波器

[发明专利]整合无线射频识别的晶片测试系统及其测试方法-CN200810090699.X有效
发明人：徐文政;罗明旻;王朝建;卓义芳 -专利权人：南茂科技股份有限公司
申请日： 2008-04-08 - 公布日： 2009-10-14 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：一种整合无线射频识别(RFID)的晶片测试系统及其测试方法，该系统包括：一晶片待测区，存放晶片载具；一探针机台，包括一运动平台、一探针卡夹持机构与一探针卡，运动平台提供X-Y-Z三轴的移动以承载受测的晶片，探针卡夹固于探针卡夹持机构；一测试机台，输入测试信号至探针机台以进行晶片测试，测试后呼叫一接口程序以将测试结果转换为特定数据格式的文件；载具设置RFID标签；探针机台设置有RFID读取机；一RFID中介平台，通过读取标签信息呼叫相关应用程序以产生对应的晶片信息；一数据分析系统，接收特定数据格式的文件并运算处理产生晶片测试后的良率信息；以及一工艺信息系统，用以整合RFID中介平台的晶片信息及良率信息，以实时监控以晶片为主的工艺与良率
整合无线射频识别晶片测试系统及其方法

[发明专利]一种力控式摆臂组件-CN201911238931.4在审
发明人：陈勇伶 -专利权人：深圳市矽谷半导体设备有限公司
申请日： 2019-12-06 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：弹片件设置于力臂座，力臂件设置于弹片件，力臂件的另一端作用于测力单元，弹片件与力臂件的连接处位于拾取件与测力单元之间；力臂件经由弹片件连接力臂座形成杠杆，当动力机构经由力臂座驱动力臂件使得拾取件作用于晶片时，晶片经由拾取件对力臂件的反作用力触发测力单元，测力单元所测得的力值大小直接反应力臂件的移动距离，经由测力单元显示的力值大小调控力臂件的移动距离，避免拾取件压伤晶片，确保拾取件准确拾取住晶片，提升晶片的拾取良率；准确控制力臂件连带拾取件移动晶片的位置，确保晶片与待放置的之间的胶水厚度的一致性，提升晶片的移送良率及组装良率。
一种力控式摆臂组件

[实用新型]一种力控式摆臂组件-CN201922165782.5有效
发明人：陈勇伶 -专利权人：深圳市矽谷半导体设备有限公司
申请日： 2019-12-06 - 公布日： 2020-05-29 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：弹片件设置于力臂座，力臂件设置于弹片件，力臂件的另一端作用于测力单元，弹片件与力臂件的连接处位于拾取件与测力单元之间；力臂件经由弹片件连接力臂座形成杠杆，当动力机构经由力臂座驱动力臂件使得拾取件作用于晶片时，晶片经由拾取件对力臂件的反作用力触发测力单元，测力单元所测得的力值大小直接反应力臂件的移动距离，经由测力单元显示的力值大小调控力臂件的移动距离，避免拾取件压伤晶片，确保拾取件准确拾取住晶片，提升晶片的拾取良率；准确控制力臂件连带拾取件移动晶片的位置，确保晶片与待放置的之间的胶水厚度的一致性，提升晶片的移送良率及组装良率。
一种力控式摆臂组件

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201010183042.5有效
发明人：张文雄 -专利权人：宏宝科技股份有限公司
申请日： 2010-05-18 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：首先，提供承载基底及多个晶片切片。各晶片切片具有有源表面与背面，其中有源表面与背面相对，且各晶片切片包括至少一个连接垫，位于有源表面上。接着，在承载基底与晶片切片的有源表面间形成粘着层，以将晶片切片粘着至承载基底上。再于各晶片切片中形成至少一个硅导通孔而与对应的连接垫电性连接。之后，令这些晶片切片与承载基底分离。本发明可使承载基底具可重复利用性，可针对单片晶片中良率高的部分进行后续工艺，以节省成本并提高总工艺良率。
半导体装置制造方法

[实用新型]一种蓝宝石单面抛光片厚度不良返抛装置-CN201921405041.3有效
发明人：徐良;占俊杰;阳明益;蓝文安;刘建哲;陈吉超;余雅俊 -专利权人：浙江博蓝特半导体科技股份有限公司
申请日： 2019-08-27 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： B24B37/10 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种蓝宝石单面抛光片厚度不良返抛装置，包括抛光机主体、抛光机头、机台盘、抛光垫和用于吸附返抛晶片的晶片载盘，其中机台盘和抛光机头均与抛光机主体连接，晶片载盘与抛光机头连接，晶片载盘位于机台盘的上方，且晶片载盘的晶片吸附面与上表面相对，抛光垫设置于机台盘的上表面。本实用新型的蓝宝石单面抛光厚度不良返抛装置，能达成返抛晶片对背面粗糙度的均匀性要求，并能提升晶片表面厚度不良的返修良率，经检测返修良率可达95％以上。
一种蓝宝石单面抛光厚度不良装置

[发明专利]处理硅晶片以具有内部去疵与栅极氧化物完整性良率的方法-CN201780081673.6有效
发明人：李荣中;柳在祐;金昞天;罗伯特·J·法斯特;朴淳成;金泰勋;池浚焕;卡瑞喜玛·玛莉·哈德森 -专利权人：太阳能爱迪生半导体有限公司
申请日： 2017-12-13 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H01L21/322 文献下载
摘要：本公开涉及一种在包含含氮气体，如NH3或N2的环境气氛中进行快速热退火之后恢复硅晶片的栅极氧化物完整性良率的方法。:Sub>3或N2的环境气氛中进行快速热退火以借此为氧沉淀物分布加特征可通过暴露生长态晶体缺陷(氧沉淀物)和由氮化硅膜产生的空位来降低硅晶片的GOI良率。本发明通过剥离氮化硅层；之后进行晶片氧化；之后剥离氧化硅层来恢复GOI良率。
处理晶片具有内部栅极氧化物完整性方法

[发明专利]改善切割晶片良率的固定方法-CN200310112356.6无效
发明人：陈新发 -专利权人：陈新发
申请日： 2003-11-24 - 公布日： 2005-06-01 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本发明是一种改善切割晶片良率的固定方法，其主要：在初胚晶片一面设有UV胶膜，该UV胶膜单面具有黏性，俾直接黏贴于初胚晶片上，而UV胶膜另面则以贴合药水黏着于铝基板上，使初胚晶片固定在基板上，然后施以切割作业，俾完成分割各成品晶片尺寸，然后再对基板施以弯曲变形，使各成品晶片一一剥离；本发明主要藉由UV胶膜与初胚晶片间具弱亲和性，及该UV胶膜与基板间具强亲和性，配合基板可变曲的特性，进而达到容易操作UV胶膜与成品晶片分离的作用，藉由此一技术的革新，使成品晶片大幅提升其良率，及快速方便制造的目的，深具产业利用的价值。
改善切割晶片固定方法

[发明专利]晶片的制造方法和层叠器件芯片的制造方法-CN202010434451.1在审
发明人：川合章仁;金永奭 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2020-05-21 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01L21/98 文献下载
摘要：提供晶片的制造方法和层叠器件芯片的制造方法，能够抑制层叠器件芯片的成品率降低。该晶片的制造方法具有如下的步骤：晶片准备步骤，准备晶片，该晶片在由相互交叉的多条间隔道划分的多个区域内分别形成有半导体器件；挖除步骤，分别判别形成于晶片的多个半导体器件是良品还是次品，将包含被判别为次品的半导体器件的次品器件区域从晶片挖除；以及嵌入步骤，将具有良品的半导体器件且尺寸能够嵌入至通过挖除次品器件区域而形成的间隙中的器件芯片嵌入至间隙中，该良品的半导体器件具有与被判别为次品的半导体器件相同的功能。
晶片制造方法层叠器件芯片

[发明专利]一种改善晶片良率的工艺控制方法和系统-CN201310009767.6有效
发明人：李健 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2013-01-10 - 公布日： 2017-03-15 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善晶片良率的工艺控制方法，包括判断当前批次晶片的下两个步骤即第一步骤和第二步骤的流片顺序；根据所述流片顺序计算所述第一步骤和第二步骤之间的最长等待时间。本发明充分考虑每片晶片的最长等待时间，并对最不利的晶片的等待时间加以控制，从而保证一个批次内每片晶片的等待时间都小于Queue Time。本发明还提供了一种改善晶片良率的工艺控制系统。
一种改善晶片工艺控制方法系统

[发明专利]非易失性存储器良率提升的设计及测试方法-CN201910729853.1有效
发明人：孙文堂 -专利权人：力旺电子股份有限公司
申请日： 2019-08-08 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： G11C29/12 文献下载
摘要：一种非易失性存储器良率提升的测试方法，用以提升存储器晶片良率，该设计及测试方法包括下列步骤：对该存储器晶片中的多个存储单元进行抹除动作；施加应力于该存储器晶片中的该些存储单元；对该存储器晶片的该些存储单元进行读取动作，使得每一该存储单元皆产生关闭电流，并由该些关闭电流中获得最大关闭电流；以及根据该最大关闭电流，由多组测试集中决定特定测试集，并根据该特定测试集中的多个测试电流或者测试电压来测试该存储器晶片。
非易失性存储器提升设计测试方法

[发明专利]晶片级光学镜头结构-CN201310425944.9在审
发明人：萧运联;许书豪 -专利权人：奇景光电股份有限公司
申请日： 2013-09-18 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： G02B7/02 文献下载
摘要：本发明公开一种晶片级光学镜头结构。在透光基板与透镜层间配置应力缓冲层，以提高晶片级光学镜头的生产良率。
晶片光学镜头结构

[发明专利]晶片的切割方法及装置-CN201910598852.8在审
发明人：黄嘉迈;卢庆光;陈红;冯雷;卢建刚;张红江;高云峰 -专利权人：大族激光科技产业集团股份有限公司
申请日： 2019-07-04 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： B23K26/14 文献下载
摘要：本发明主要公开了一种晶片切割方法和装置。方法如下：提供待切割处理的晶片，所述晶片包括衬底和层叠结合于所述衬底一表面PN层；沿所述衬底层至所述PN层的方向，对所述衬底层表面进行激光切割处理切割深度为穿透所述衬底层但不达到所述PN层；对所述晶片的PN层与所述衬底层相对的表面进行机械切割处理，并使得机械切割处理的切割道与所述激光切割处理的切割道对应，直至将所述晶片切割断。本发明所述的晶片切割方法，背面采用激光切割提升效率，正面采用机械切割避免激光切割的高温破坏PN层，兼顾了效率和良率；另一方面采用激光切割可以有效降低背崩率，提高晶片的良率的同时还能减少机械加工的刀具的损耗
激光切割晶片衬底层机械切割切割切割道衬底良率方法和装置层叠结合高温破坏机械加工晶片切割种晶刀具背面穿透割断

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