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[发明专利]芯片接合机-CN201711317672.5有效
发明人： 川合章仁;森数洋司 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2017-12-12 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：提供芯片接合机，其将LED、IC、LSI等器件高效地接合在基板上。芯片接合机至少包含：基板保持单元(42)，其具有对在外延基板(201、221、241)的上表面上隔着剥离层(30)层叠LED层而供器件接合的基板进行保持的由X轴方向、Y轴方向规定的保持面；晶片保持单元(50)，其对在正面上隔着剥离层配设有多个器件的晶片(LED晶片20、22、24)的外周进行保持；面对单元，其使晶片保持单元所保持的晶片的正面面对基板保持单元所保持的基板的上表面；器件定位单元，其使基板保持单元与晶片保持单元在X方向、Y方向上相对地移动而将配设在晶片上的器件定位于基板的规定位置；和激光照射单元，其从晶片的背面照射激光光线，将对应的器件的剥离层破坏而将器件接合在基板的规定位置上。
芯片接合

[发明专利]层叠器件芯片的制造方法-CN202211141529.6在审
发明人：寺西俊辅;陈之文;小日向恭祐;川合章仁 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2022-09-20 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明提供层叠器件芯片的制造方法，能够抑制对器件芯片彼此接合的妨碍。层叠器件芯片的制造方法包含如下的步骤：第1槽形成步骤，在第1晶片上形成第1槽；固定步骤，将第1晶片固定于支承体；第1晶片磨削步骤，使第1槽露出；第1树脂层形成步骤，形成第1树脂层；第1晶片研磨步骤，使第1树脂层露出；第2槽形成步骤，在第2晶片上形成第2槽，该第2槽在正面侧比第1槽宽且在槽底侧比正面侧窄；贴合步骤，将晶片彼此贴合；第2晶片磨削步骤，使第2槽露出；第2树脂层形成步骤，形成第2树脂层；以及分割步骤，制造层叠器件芯片。
层叠器件芯片制造方法

[发明专利]层叠器件晶片的形成方法-CN202210778357.7在审
发明人：陈之文;小日向恭祐;寺西俊辅;川合章仁 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2022-07-04 - 公布日： 2023-02-07 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本发明提供层叠器件晶片的形成方法，无需在与器件芯片对应的矩形状的区域内形成对位用的对准标记而能够将器件晶片彼此对位来进行贴合。该层叠器件晶片的形成方法具有将第1器件晶片与第2器件晶片贴合的贴合步骤，贴合步骤包含如下的位置调整步骤：利用拍摄单元拍摄形成于第1器件晶片的正面侧的外周部且位于与器件对应的矩形状的区域外的第1规定线和形成于第2器件晶片的正面侧的外周部且位于与器件对应的矩形状的区域外的第2规定线，利用第1规定线和第2规定线来调整第1器件晶片和第2器件晶片的相对位置。
层叠器件晶片形成方法

[发明专利]晶片的制造方法和层叠器件芯片的制造方法-CN202111347835.0在审
发明人：金永奭;张秉得;川合章仁;寺西俊辅 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2021-11-15 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明提供晶片的制造方法和层叠器件芯片的制造方法，能够抑制层叠器件芯片的成品率降低。该晶片的制造方法具有如下的步骤：晶片准备步骤，准备在由相互交叉的多条间隔道划分的多个区域内分别形成有半导体器件的晶片；去除步骤，将瑕疵器件区域从晶片去除，该瑕疵器件区域包含形成于晶片的多个半导体器件中的被判别为瑕疵品的半导体器件；支承基板固定步骤，将晶片固定于支承基板；以及嵌入步骤，将具有良好的半导体器件且能够嵌入至通过将瑕疵器件区域从晶片去除而形成的去除区域中的大小的器件芯片嵌入至去除区域中并固定于支承基板，该良好的半导体器件具有与被判别为瑕疵品的半导体器件相同的功能。
晶片制造方法层叠器件芯片

[发明专利]晶片的制造方法和层叠器件芯片的制造方法-CN202111346835.9在审
发明人：金永奭;张秉得;川合章仁;寺西俊辅 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2021-11-15 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明提供晶片的制造方法和层叠器件芯片的制造方法，能够抑制层叠器件芯片的成品率降低。该晶片的制造方法具有如下的步骤：晶片准备步骤，准备在由相互交叉的多条间隔道划分的多个区域内分别形成有半导体器件的晶片；去除步骤，将瑕疵器件区域从晶片去除，该瑕疵器件区域包含形成于晶片的多个半导体器件中的被判别为瑕疵品的半导体器件；以及嵌入步骤，将具有良好的半导体器件且能够嵌入至通过将瑕疵器件区域从晶片去除而形成的去除区域中的大小的器件芯片嵌入至去除区域中，该良好的半导体器件具有与被判别为瑕疵品的半导体器件相同的功能。
晶片制造方法层叠器件芯片

[发明专利]晶片的制造方法和层叠器件芯片的制造方法-CN202111345625.8在审
发明人：金永奭;张秉得;川合章仁;寺西俊辅 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2021-11-15 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供晶片的制造方法和层叠器件芯片的制造方法，能够抑制层叠器件芯片的成品率降低。该晶片的制造方法具有如下的步骤：晶片准备步骤，准备在由相互交叉的多条间隔道划分的多个区域内分别形成有半导体器件的晶片；去除步骤，将瑕疵器件区域从晶片分离，该瑕疵器件区域包含形成于晶片的多个半导体器件中的被判别为瑕疵品的半导体器件；以及嵌入步骤，将具有良好的半导体器件且能够嵌入至通过将瑕疵器件区域从晶片分离而形成的贯通孔中的大小的器件芯片嵌入至贯通孔中，该良好的半导体器件具有与被判别为瑕疵品的半导体器件相同的功能。
晶片制造方法层叠器件芯片

[发明专利]晶片的制造方法和层叠器件芯片的制造方法-CN202111345633.2在审
发明人：金永奭;张秉得;川合章仁;寺西俊辅 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2021-11-15 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供晶片的制造方法和层叠器件芯片的制造方法，能够抑制层叠器件芯片的成品率降低。该晶片的制造方法具有如下的步骤：晶片准备步骤，准备在由相互交叉的多条间隔道划分的多个区域内分别形成有半导体器件的晶片；去除步骤，将瑕疵器件区域从晶片分离，该瑕疵器件区域包含形成于晶片的多个半导体器件中的被判别为瑕疵品的半导体器件；以及嵌入步骤，将具有良好的半导体器件且能够嵌入至通过将瑕疵器件区域从晶片分离而形成的贯通孔中的大小的器件芯片嵌入至贯通孔中，该良好的半导体器件具有与被判别为瑕疵品的半导体器件相同的功能。
晶片制造方法层叠器件芯片

[发明专利]晶片的制造方法和层叠器件芯片的制造方法-CN202111345634.7在审
发明人：金永奭;张秉得;川合章仁;寺西俊辅 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2021-11-15 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供晶片的制造方法和层叠器件芯片的制造方法，能够抑制层叠器件芯片的成品率降低。该晶片的制造方法具有如下的步骤：晶片准备步骤，准备在由相互交叉的多条间隔道划分的多个区域内分别形成有半导体器件的晶片；去除步骤，将瑕疵器件区域从晶片去除，该瑕疵器件区域包含形成于晶片的多个半导体器件中的被判别为瑕疵品的半导体器件；以及嵌入步骤，将具有良好的半导体器件且能够嵌入至通过将瑕疵器件区域从晶片去除而形成的去除区域中的大小的器件芯片嵌入至去除区域中，该良好的半导体器件具有与被判别为瑕疵品的半导体器件相同的功能。
晶片制造方法层叠器件芯片

[发明专利]晶片的制造方法和层叠器件芯片的制造方法-CN202111346656.5在审
发明人：金永奭;张秉得;川合章仁;寺西俊辅 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2021-11-15 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明提供晶片的制造方法和层叠器件芯片的制造方法，能够抑制层叠器件芯片的成品率降低。该晶片的制造方法具有如下的步骤：晶片准备步骤，准备在由相互交叉的多条间隔道划分的多个区域内分别形成有半导体器件的晶片；支承基板固定步骤，将晶片固定于支承基板；去除步骤，将瑕疵器件区域从晶片去除，该瑕疵器件区域包含形成于晶片的多个半导体器件中的被判别为瑕疵品的半导体器件；以及嵌入步骤，将具有良好的半导体器件且能够嵌入至通过将瑕疵器件区域从晶片去除而形成的去除区域中的大小的器件芯片嵌入至去除区域中并固定于支承基板，该良好的半导体器件具有与被判别为瑕疵品的半导体器件相同的功能。
晶片制造方法层叠器件芯片

[发明专利]层叠器件的制造方法-CN201610139782.6有效
发明人：儿玉祥一;前田辰秀;金永淑;川合章仁 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2016-03-11 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：层叠器件的制造方法。在本发明中，借助临时粘合材料(4)临时粘合于第1器件晶片(1)的正面(1a)的支承晶片(3)由硅晶片构成，在实施贴合晶片形成工序之后，实施临时粘合材料露出工序使临时粘合材料(4)露出时，由于不对临时粘合材料(4)进行加热，对支承晶片(3)至少进行磨削而将其去除，因此，能够容易地将支承晶片(3)从第1器件晶片(1)去除，层叠的状态的第1器件晶片(1)和第2器件晶片(2)不会产生偏移。在临时粘合材料露出工序之后，实施临时粘合材料去除工序，由于将临时粘合材料(4)从第1器件晶片(1)的器件(D)去除，因此，能够同时进行临时粘合材料(4)的去除和器件(D)的清洗。
层叠器件制造方法

[发明专利]生产系统-CN202010541339.8在审
发明人： 川合章仁 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2020-06-15 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：提供生产系统，其有效地检测生产工序中的异常。生产系统具有：对被加工物进行第1工序的加工的多个第1装置；对被加工物进行第1工序后的第2工序的加工的第2装置；记录部，其将在从第1工序到第2工序中哪个被加工物由哪个第1装置加工进行记录；以及控制单元，其控制第1装置、第2装置以及记录部。第2装置包含：检查部，其检查被加工物而发现不良；判定部，其判定由哪个第1装置进行了加工的被加工物中不良多；以及通知部，其通知判定部的判定结果。
生产系统

[发明专利]晶片的制造方法和层叠器件芯片的制造方法-CN202010434451.1在审
发明人： 川合章仁;金永奭 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2020-05-21 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01L21/98 文献下载
摘要：提供晶片的制造方法和层叠器件芯片的制造方法，能够抑制层叠器件芯片的成品率降低。该晶片的制造方法具有如下的步骤：晶片准备步骤，准备晶片，该晶片在由相互交叉的多条间隔道划分的多个区域内分别形成有半导体器件；挖除步骤，分别判别形成于晶片的多个半导体器件是良品还是次品，将包含被判别为次品的半导体器件的次品器件区域从晶片挖除；以及嵌入步骤，将具有良品的半导体器件且尺寸能够嵌入至通过挖除次品器件区域而形成的间隙中的器件芯片嵌入至间隙中，该良品的半导体器件具有与被判别为次品的半导体器件相同的功能。
晶片制造方法层叠器件芯片

[发明专利]器件的移设方法-CN201910159654.1在审
发明人：小柳将;川合章仁 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2019-03-04 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：提供器件的移设方法，能够高效地将器件从晶片移设至安装基板。一种器件的移设方法，将多个器件移设至具有多个电极的安装基板，其中，该器件的移设方法包含如下的步骤：向在基板的正面侧隔着缓冲层形成的多个器件粘贴具有扩展性的带的步骤；从基板的背面侧向缓冲层照射对于基板具有透过性且对于缓冲层具有吸收性的波长的激光束，从而破坏缓冲层的步骤；通过使带向远离基板的方向移动而使基板与多个器件分离，从而将形成于基板的多个器件转印至带的步骤；对带进行扩展以使粘贴于带的多个器件的配置与多个电极的配置对应的步骤；以及将粘贴在扩展后的带上的多个器件一并键合到多个电极的步骤。
多个器件基板缓冲层电极粘贴安装基板侧向缓冲方向移动扩展性激光束透过性吸收性波长键合晶片转印配置背面照射

[发明专利]小直径晶片的制造方法-CN201811323040.4在审
发明人：堀田秀儿;松崎荣;伊藤祝子;有福法久;冷雪青;川合章仁;小笠原舞 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2018-11-08 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：提供新的小直径晶片的制造方法，能够提高生产率，同时也能够抑制品质的降低。该小直径晶片的制造方法包含如下的工序：保护部件包覆工序，在具有一个面和另一个面并且一个面被加工成镜面的晶片的一个面上包覆第1保护部件，在晶片的另一个面上包覆第2保护部件；切出工序，从包覆有第1保护部件和第2保护部件的晶片切出多个小直径晶片；倒角工序，对小直径晶片的外周部进行倒角；以及保护部件去除工序，将第1保护部件和第2保护部件从小直径晶片去除。
保护部件小直径晶片包覆晶片切出去除制造包覆工序倒角工序直径晶片外周部成镜倒角面被加工

[发明专利]晶片的加工方法-CN201310700716.8有效
发明人：松崎荣;川合章仁;荒井一尚 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2013-12-18 - 公布日： 2018-04-06 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：本发明是晶片的加工方法，能不使器件品质降低地将树脂膜装配到各器件的背面。该方法将晶片沿间隔道分割成一个个器件并将树脂膜装配到各器件的背面，包括保护部件粘贴工序，将保护部件粘贴到晶片正面；背面磨削工序，对晶片背面进行磨削而形成为规定的厚度；树脂膜装配工序，将树脂膜装配到晶片背面；抗蚀剂膜覆盖工序，在树脂膜表面的规定的区域覆盖抗蚀剂膜；蚀刻工序，从晶片背面侧进行等离子蚀刻，沿间隔道对树脂膜进行蚀刻并对晶片进行蚀刻，沿着间隔道将树脂膜和晶片按一个个器件进行分割；抗蚀剂膜除去工序，除去覆盖在树脂膜表面的抗蚀剂膜；以及晶片支撑工序，将切割带粘贴到树脂膜侧，且通过环状框架支撑切割带外周部并剥离保护部件。
晶片加工方法

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