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[实用新型]晶圆封装结构-CN201120032108.0有效
发明人：陶玉娟;石磊;高国华 -专利权人：南通富士通微电子股份有限公司
申请日： 2011-01-30 - 公布日： 2011-09-28 - 主分类号： H01L23/13 文献下载
摘要：本实用新型涉及晶圆封装结构，包括载板，所述载板上设有胶合层，所述胶合层上粘合有由被封装器件所组成的封装单元，所述载板上粘合有被封装器件的一面设有密封所述被封装器件的封料层，在所述封料层表面对应于被封装单元之间设有凹槽与现有技术相比，本实用新型请求保护的晶圆封装结构，将封装层的整片封装分解成多个小封装块以降低封装层的内应力，进而避免封料层在晶圆封装的后续过程中出现翘曲变形，提高了晶圆封装成品的质量。
封装结构

[发明专利]晶圆键合方法以及背照式图像传感器的形成方法-CN202210850359.2有效
发明人：陶磊;王厚有;王棒 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆键合方法以及背照式图像传感器的形成方法，所述晶圆键合方法包括：提供一晶圆键合结构，晶圆键合结构包括器件晶圆和承载晶圆，器件晶圆包括第一衬底和位于第一衬底上的第一键合层，所述承载晶圆包括第二衬底和位于第二衬底上的第二键合层，所述第一键合层与所述第二键合层之间键合；对晶圆键合结构进行气泡检查并判断气泡是否合格；若不合格，对晶圆键合结构进行解键合处理以获得分离的器件晶圆和承载晶圆，再对解键合处理后的器件晶圆进行氢退火工艺处理，以去除第一键合层中的水分子，然后对器件晶圆和承载晶圆进行重新键合。在返工流程中，通过氢退火工艺降低了器件晶圆第一键合层中的水分子，降低了重新键合后的气泡。
晶圆键合方法以及背照式图像传感器形成

[实用新型]一种用于晶圆抛光过程中的压力环的固定装置-CN202320144743.0有效
发明人：陆基益;李汉生;蔡雪良;还胜钦 -专利权人：昆山中辰矽晶有限公司
申请日： 2023-01-13 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： B24B29/02 文献下载
摘要：本实用新型是一种用于晶圆抛光过程中的压力环的固定装置。所述装置包括：抛光机压头，用以真空吸附的硬质薄片；用以将压力环固定到硬质薄片上的背胶，用以调整晶圆受压的可调压力环。结合现有工艺需求，一方面解决了晶圆抛光过程中更换压力环的繁琐的过程，提升了效率，改善了晶圆品质。另一方面也避免了压力环位移、形变造成的晶圆的额外损失。
一种用于抛光过程中的压力固定装置

[发明专利]双Finfet晶体管及其制备方法-CN201410018637.3有效
发明人：亢勇;陈邦明 -专利权人：上海新储集成电路有限公司
申请日： 2014-01-15 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种双Finfet晶体管，包括一衬底晶圆；设置于所述衬底晶圆上方的绝缘层；贯穿所述绝缘层覆盖所述衬底晶圆上表面的一背栅偏置结构和一栅极结构，设置于所述背栅偏置结构表面及空隙处的第一氧化层，设置于所述栅极结构表面的第二氧化层本发明还提供了该双Finfet晶体管的制备方法，采用本发明的技术方案，能够准确控制Fin沟道的宽度，改善沟道至衬底之间的漏电流，满足器件和电路的性能和功耗要求，且制造工艺简单，同时避免使用昂贵的SOI晶圆
finfet 晶体管及其制备方法

[发明专利]基座组件及反应腔室-CN201810628962.X在审
发明人：郭浩;贾强;王涛;郑金果;赵梦欣;王宽冒;蒋秉轩;张璐;徐奎 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2018-06-19 - 公布日： 2019-12-27 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供的基座组件及反应腔室，包括基座，基座中设置有气体通道，在承载面上形成有凹道，凹道与气体通道的出气端连通，用于在晶圆置于承载面上时，向晶圆的下表面与承载面之间的凹道通入热交换气体，本发明提供的基座组件还包括流量控制器，通过流量控制器来控制自气体通道的出气端流出的热交换气体的流量，使得当晶圆置于承载面上并对晶圆进行背吹时，不会因为热交换气体的流量过大而将晶圆吹走，同时，由于无需使用按压部件对晶圆进行按压固定，因此晶圆的上表面能够全面进行工艺，而不会影响晶圆的后续工艺。
晶圆热交换气体通道凹道流量控制器基座组件出气端承载按压按压部件反应腔室后续工艺承载面上表面下表面连通流出

[发明专利]一种影像传感器的制造方法-CN201310011790.9有效
发明人：李平 -专利权人：陆伟
申请日： 2013-01-11 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及一种影像传感器的制造方法，包括器件晶圆平整度研磨，器件晶圆的键合，器件晶圆背面减薄，器件晶圆背面表面研磨，淀积，彩色滤光片和微透镜的安装，所述器件晶圆背面表面处理采用射频发生器发出的射频激发去耦合化等离子体氧化物产生等离子对器件晶圆背面表面进行缺陷处理在背照式影像传感器的制造过程中，利用射频发生器发出的射频对去耦合化等离子体氧化物产生等离子对器件晶圆背面表面进行缺陷处理，减小了器件晶圆背面表面缺陷，提升了器件的性能。
一种影像传感器制造方法

[发明专利]一种高频器件集成模块和模组-CN202110788987.8在审
发明人：李立伟;杨云春;陆原;马琳 -专利权人：赛莱克斯微系统科技（北京）有限公司
申请日： 2021-07-13 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种高频器件集成模块和模组，包括：衬底晶圆；两个待集成高频器件，设置在衬底晶圆上，两个待集成高频器件之间通过微同轴传输结构连接；封盖晶圆，设置有空腔，且设置有空腔的一侧覆盖在衬底晶圆上以形成气密空间，使两个待集成高频器件置于气密空间内；其中，衬底晶圆和/或封盖晶圆设置有第一导电通孔，待集成高频器件通过第一导电通孔与外部附属器件连接，外部附属器件处于气密空间之外。
一种高频器件集成模块模组

[发明专利]一种背照式图像传感器的晶圆级封装方法及其封装结构-CN201510412091.4有效
发明人：靖向萌;冯光建 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2015-07-14 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及一种背照式图像传感器的晶圆级封装方法及其封装结构，它包括以下步骤：在CIS晶圆的正面键合负载晶圆，以负载晶圆为支撑减薄CIS晶圆，并在CIS晶圆的背面添加滤光镜和微透镜；在CIS晶圆的背面用透光胶进行覆盖，通过透光胶对滤光镜和微透镜进行保护；以透光胶为支撑减薄负载晶圆；在负载晶圆的背面做出引线；把透光胶进行减薄，减薄后切割得到单一芯片，封装方法结束。本发明直接用一层透光胶覆盖在感光区域做保护封盖，并以此做支撑来做后续的引线工艺，通过研磨和抛光把透光胶磨平，最后切割晶圆成单一的芯片，本发明降低了工艺难度和成本，同时降低了芯片的厚度。
一种背照式图像传感器晶圆级封装方法及其结构

[发明专利]一种晶圆背电极的制作方法及其晶圆-CN200810198322.6有效
发明人：胥小平;戴春明;张富启;晏承亮;沓世我;赖小军;黄海文 -专利权人：广东风华高新科技股份有限公司;肇庆风华新谷微电子有限公司
申请日： 2008-09-02 - 公布日： 2009-01-21 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种在背面采用丝网印刷涂覆了粘合剂的晶圆及其背电极的制作方法，制作步骤包括准备晶圆，并在后续步骤中保持晶圆平坦；采用丝网印刷在晶圆背面涂覆粘合剂并烘干；将涂覆好粘合剂的晶圆放到划片蓝膜上；分离；粘结并固化已分离的晶圆五个步骤。本发明消除了晶圆制作中易出现的镶边现象，粘结浆料的用量减少了1/3，粘结桨料成本大幅度降低了10％左右；并且保障了芯片背面电极涂覆表面的平整，易于切割划片，保证了晶圆在共晶焊线时芯片电极结合的强度，大大节约了生产的时间成本本发明所述的背面涂覆粘合剂的晶圆，可以长期保存，提高了对存货的质量控制。
一种晶圆背电极制作方法及其

[发明专利]一种提高薄膜CMP抛光厚度均匀性的方法-CN202110524096.1有效
发明人：欧欣;陈阳;黄凯 -专利权人：上海新硅聚合半导体有限公司
申请日： 2021-05-13 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及晶圆制造技术领域，本发明公开了一种提高薄膜CMP抛光厚度均匀性的方法。该抛光方法通过先对薄膜晶圆进行第一CMP抛光，使该薄膜晶圆形成中间薄边缘厚的状态，再对第一CMP抛光后的薄膜晶圆的边缘进行倒角，从而使得边缘区域晶圆整体厚度变小，能够改变晶圆在CMP背压气囊下方的受力分布，再对其进行第二CMP抛光，从而使该状态下边缘去除量大于中间部分去除量，与第一CMP抛光形成相互补偿，从而改善薄膜晶圆的厚度不均匀性。
一种提高薄膜 cmp 抛光厚度均匀方法

[发明专利]具有减小晶圆翘曲布置和结构的存储器管芯及其制造方法-CN201980085575.9在审
发明人：于继新;外山史晃;东谷政昭;张彤;葛春;李新元;J·阿尔斯迈耶;河崎基树;奥山新田;顾迅;梶原乾悟 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2019-11-27 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本发明公开了晶圆上的存储器管芯，该晶圆上的存储器管芯可包括多个存储器块，该多个存储器块包括沿不同方向延伸的位线。位线和字线的该不同取向可以改变局部应力方向以减少晶圆变形。三维存储器器件包括一对绝缘层和导电层的交替堆叠以及位于其间的背侧沟槽中的背侧接触组件。该背侧接触组件包括复合非金属核心。
具有减小晶圆翘曲布置结构存储器管芯及其制造方法

[发明专利]一种基于临近颗粒法的无背金MOSFET晶圆测试方法-CN202110217703.X有效
发明人：王煜 -专利权人：赛英特半导体技术（西安）有限公司
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：一种基于临近颗粒法的无背金MOSFET晶圆测试方法，包括以下步骤：判断N个被测MOSFET颗粒的基本功能是否正常；选择功能正常且距离被测颗粒最近的两个颗粒作为辅助颗粒；对两个辅助颗粒的栅极加载饱和开启电压，使其饱和导通；将被测颗粒漏极的测量端和加载端分别连接于两个辅助颗粒的源极上；测试无背金MOSFET晶圆大电流参数Rdson、Vfsd。本发明解决了现有测试方法对载物台的平整度和表面接触电阻要求很高的问题，能够提高对无背金MOSFET晶圆的Rdson、Vfsd大电流参数的测量精度，以较为简便的方法有效降低了测量误差。
一种基于临近颗粒无背金 mosfet 测试方法

[实用新型]一种上胶机-CN201520174459.3有效
发明人：王兵;查劲松;蔡家豪;邱智中;余学志;邱树添 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2015-03-26 - 公布日： 2015-08-19 - 主分类号： B05C9/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种上胶机，其包括承载晶圆并带动所述晶圆转动的承载座；喷吐光刻胶的喷嘴，环绕承载座设置并用于阻挡光刻胶飞溅的第一保护罩和用于阻挡背洗液飞溅的第二保护罩，第一、第二保护罩上部还设置有保护盖；对晶圆背面进行清洗的清洗装置，以及分别用于回收光刻胶和背洗液的第一回收装置和第二回收装置。通过利用第一保护罩和第二保护罩分别回收光刻胶和背洗液，以及保护盖保护光刻胶，降低其受空气污染程度，以实现光刻胶的回收再利用。
一种上胶机

[发明专利]等离子刻蚀承载装置及等离子刻蚀机-CN201910506050.X有效
发明人：丁烨滨;胡根水;孙虎;李俊生 -专利权人：华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2019-06-12 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：等离子刻蚀承载装置包括：晶圆载盘和至少两个限位件，所述晶圆载盘和所述限位件的材质均为SiC，所述晶圆载盘的体积大于所述限位件的体积，所述晶圆载盘为圆盘，各所述限位件分别可拆卸地安装于所述晶圆载盘的第一圆面，每两个所述限位件用于将晶圆片卡设在每两个所述限位件之间的第一圆面上。等离子刻蚀机包括刻蚀腔、背氦单元、真空单元、供气单元、以及承载装置，所述承载装置用于承载晶圆片，所述承载装置与所述刻蚀腔相配套，所述承载装置为前述等离子刻蚀承载装置。
等离子刻蚀承载装置

[发明专利]一种晶圆烘烤装置-CN201810920316.0在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-08-14 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及半导体生产领域，公开了一种晶圆烘烤装置，包括：加热腔室，用于容纳晶圆；加热盘，设置于所述加热腔室的底部，用于加热所述晶圆；封盖，设置于所述加热腔室的顶部，用于封闭所述加热腔室；排气管，连接于所述封盖并与所述加热腔室连通；超声波振荡器，包括设置于所述封盖内侧的多个超声波发生器和多个换能器，所述超声波发生器驱动所述换能器而产生振荡气体。该晶圆烘烤装置通过设置超声波振荡器以产生振荡气体，使得附着在加热腔室上的所有粉末被完全地振落，然后通过排气管将振落的粉末从加热腔室中排出，从而避免了粉末造成晶圆蚀刻的图案异常的问题。
一种烘烤装置