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[发明专利]具有电流阻挡层的发光二极管芯片及其制备方法-CN202110743760.1有效
发明人：孙虎;李俊生;胡根水 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2021-07-01 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本公开提供了具有电流阻挡层的发光二极管芯片及其制备方法，属于发光二极管制作领域。外延片包括衬底及依次层叠在衬底上的n型层、发光层、p型层、电流阻挡层与氧化铟锡层，电流阻挡层上具有连通至p型层的电极孔、沿电极孔的周向均匀分布的连通至p型层的电极槽，电极槽与电极孔间隔，电流阻挡层上的氧化铟锡层有避让孔。p电极位于电流阻挡层上且p电极覆盖避让孔、电极孔与电极槽，p电极的电流密度可以分散到电极孔与均匀分布的电极槽内，较为均匀且较为分散地进入p型层内以使发光二极管芯片正常发光。电流的集中度降低而分散度提高，电流过于集中而导致的电流击穿出现的可能性减小，提高发光二极管芯片的使用寿命。
具有电流阻挡发光二极管芯片及其制备方法

[发明专利]发光二极管芯片制备方法及发光二极管芯片-CN202310328012.6在审
发明人：张圣君;胡根水;孙虎;李俊生 -专利权人：华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2021-01-05 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本公开提供了发光二极管芯片制备方法及发光二极管芯片，属于发光二极管制作领域。电极包括第一Ni电极金属层之前的金属层，温度变化时，附着在光刻胶上的Ni金属的整体体积大幅收缩，使电极制备孔远离外延层的开口缓慢扩大，部分第一Ni电极金属层蒸镀到外延层，对第一Ni电极金属层之前的金属层进行包覆，避免电极金属之间相互渗透。后续第一Pt电极金属层、第二Ni电极金属层、第二Pt电极金属层、Au电极金属层也会出现放热情况，促进Ni金属缓慢收缩、光刻胶收缩，电极制备孔的开口缓慢扩大，每一层金属都可以部分蒸镀到外延层上，并对前一层电极金属进行包覆，避免间隔的金属层之间相互渗透的情况出现，保证电极的正常使用。
发光二极管芯片制备方法

[发明专利]发光二极管的制作方法及发光二极管-CN202211698402.4在审
发明人：肖和平;冯岩;胡根水;任关涛;刘康 -专利权人：华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本公开公开了一种发光二极管的制作方法及发光二极管，属于半导体技术领域。所述发光二极管的制作方法包括：制作半导体层；在所述半导体层的表面形成第一导电金属薄膜；在所述第一导电金属薄膜上形成透明导电层；在所述透明导电层上形成第二导电金属薄膜；在所述第二导电金属薄膜上形成P电极；对形成所述P电极后的所述发光二极管进行退火，以使所述第一导电金属薄膜和所述第二导电金属薄膜中的金属扩散到所述透明导电层中。
发光二极管制作方法

[发明专利]改善电压异常的发光二极管及其制备方法-CN202211729186.5在审
发明人：李云峰;胡根水;肖和平;朱迪;刘康;陈建南;朱志佳;薛龙;覃金莲 -专利权人：华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本公开提供了一种改善电压异常的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括：衬底、外延层、电极、钝化层和焊点块，外延层位于衬底上，电极位于外延层远离衬底的表面，钝化层位于外延层远离衬底的表面且覆盖部分电极的表面；电极包括依次层叠于外延层上的第一金属层和第二金属层，第一金属层包括Au金属，第二金属层不包括Au金属，钝化层具有露出第二金属层表面的通孔，第二金属层的表面具有沉孔，通孔与沉孔连通；焊点块与钝化层远离衬底的表面贴合且依次通过通孔、沉孔与第二金属层连接。本公开实施例能改善焊点块与电极接触面上易形成高电压的问题，提升发光二极管的良率。
改善电压异常发光二极管及其制备方法

[发明专利]改善键合效果的发光二极管及其制备方法-CN202211305711.0在审
发明人：肖和平;冯岩;朱迪;胡根水 -专利权人：华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2022-10-24 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本公开提供了一种发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括：衬底、键合层、外延层和第一电极，所述键合层位于所述衬底的承载面上，所述外延层和所述第一电极均位于所述键合层远离所述衬底的表面，且所述第一电极与所述外延层电性相连，所述键合层包括依次层叠在所述衬底上的第一氧化硅层和氮化硅层。本公开实施例能提升芯片的光提取效果，且降低制作成本。
改善效果发光二极管及其制备方法

[发明专利]发光二极管芯片的测试方法-CN202211305703.6在审
发明人：李云峰;胡根水;刘康;陈建南;肖和平;朱迪;张晓东;薛龙 -专利权人：华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2022-10-24 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本公开提供了一种发光二极管芯片的测试方法，属于光电子制造技术领域。该测试方法包括：对所述发光二极管芯片进行第一次正向电压测试，得到第一正向电压；对所述发光二极管芯片进行静电放电测试；对所述发光二极管芯片进行第二次正向电压测试，得到第二正向电压；根据所述第一正向电压和所述第二正向电压确定所述发光二极管芯片是否合格。避免只通过静电放电测试后的正向电压测试的结果来确定发光二极管芯片是否合格而导致的部分异常发光二极管芯片过检入库，也就避免了微型发光二极管芯片流入到后续显示模组的制作中。
发光二极管芯片测试方法

[实用新型]一种用于建筑物凸窗处的悬挑结构-CN202222397031.8有效
发明人：钟杰;胡根水;张小兵;张小亚;赵华颖;王英;吴海山;陈常思;方媛 -专利权人：中建二局第三建筑工程有限公司
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： E04G3/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于建筑物凸窗处的悬挑结构，其包括悬挑梁、连接组件、钢拉杆和脚手架；所述悬挑梁横向设置于建筑物外墙，所述悬挑梁的顶面配置有限位柱，所述脚手架套设于所述限位柱；所述连接组件设置于建筑物内墙，所述钢拉杆倾斜设置于所述悬挑梁与所述连接组件之间；所述连接组件包括固定板、连接板和衔接板，固定板通过高强螺栓固定于建筑物内墙，连接板连接于固定板并朝向建筑物的内侧设置，衔接板可拆卸地连接于所述固定板；钢栏杆的一端连接于悬挑梁，其另一端连接于衔接板。本实用新型提供的悬挑结构，其结构合理，施工便捷，通过在建筑物外墙设置悬挑梁，在建筑物内墙设置连接组件，以便在建筑物凸窗的上侧倾斜安装钢拉杆。
一种用于建筑物凸窗处结构

[实用新型]一种便携式蒸压加气混凝土砌块开槽装置-CN202222416243.6有效
发明人：钟杰;胡根水;张小兵;张小亚;王英;吴海山;方媛;范惠远;魏洁;侯丽霞 -专利权人：中建二局第三建筑工程有限公司
申请日： 2022-09-13 - 公布日： 2023-02-10 - 主分类号： B28D1/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种便携式蒸压加气混凝土砌块开槽装置，包括主杆、副杆、主握把、副握把和刀体，所述主杆和副杆首尾相接，主杆水平副杆向上倾斜，副杆尾端固定连接刀体的刀身，刀身下端具有水平的刀口，主杆的首端连接水平设置的主握把，主杆的中部连接L形的副握把。本实用新型结构简单小巧，施工灵活方便，适用于现场对蒸压加气混凝土砌块开槽。
一种便携式蒸压加气混凝土砌块开槽装置

[发明专利]反极性红光发光二极管芯片及其制备方法-CN202210270336.4在审
发明人：肖和平;朱迪;王瑞瑞;吕子如;胡根水 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2022-03-18 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本公开提供了一种反极性红光发光二极管芯片及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该反极性红光发光二极管芯片包括依次层叠的衬底、第一半导体层、发光层、第二半导体层、欧姆接触层和透明导电层，所述欧姆接触层和透明导电层之间形成欧姆接触，所述欧姆接触层远离所述第二半导体层的表面经过粗化处理，所述透明导电层的厚度不小于所述欧姆接触层的粗化深度。本公开实施例能提升芯片的光提取效果，且降低制作成本。
极性红光发光二极管芯片及其制备方法

[发明专利]金属蒸发台衬板及其制备方法、残留金属回收方法-CN202210013167.6在审
发明人：黄新雷;李俊生;胡根水;孙虎 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2022-01-07 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： C23C14/50 文献下载
摘要：本公开提供了一种金属蒸发台衬板及其制备方法、残留金属回收方法，属于光电子制造技术领域。该金属蒸发台衬板包括：板体和水溶材料层，所述水溶材料层位于所述板体用于承载工件的表面，所述水溶材料层溶于水。本公开能提高蒸镀金属电极后残留金属的回收效率，避免造成金属浪费，节省成本。
金属蒸发台衬板及其制备方法残留回收

[发明专利]发光二极管外延片的加工方法-CN202111197829.1在审
发明人：杜月欣;胡根水;任关涛;季佳俊 -专利权人：华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2021-10-14 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本公开提供了一种发光二极管外延片的加工方法，属于半导体技术领域。加工方法包括：提供一外延片；在外延片的表面涂覆一层光刻胶；根据外延片的类型，在外延片表面设置不同类型的光刻版；通过光刻版对外延片进行曝光显影，在外延片的有效芯片区域形成图案；去除光刻胶；检查外延片的有效芯片区域内的图案是否满足要求；若外延片的有效芯片区域内的图案满足要求，对外延片进行刻蚀、腐蚀、或蒸镀处理，以去除外延片的无效芯片区域。采用该加工方法，无需人工吸除无效管芯区域，避免了人工吸除无效管芯造成的人力浪费、以及后道加吸去圈造成的管芯浪费，有效的提高了芯片制程的效率，自动去除LED外延片外圈的无效管芯区域。
发光二极管外延加工方法

[发明专利]电极蒸镀设备及其方法-CN202110866782.7在审
发明人：张圣君;胡根水;孙虎;李俊生 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2021-07-29 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： C23C14/50 文献下载
摘要：本公开提供了电极蒸镀设备及其方法，属于发光二极管制作领域。镀锅包括安装板与多个支撑单元，多个支撑单元均匀分布在安装板的板面上，每个支撑单元均包括多个伸缩杆与一个衬底固定盘。将外延片的衬底安装到衬底固定盘上，由于支撑单元中多个伸缩杆的两端分别与安装板以及衬底固定盘的一个端面铰接，且多个伸缩杆呈圆周分布，控制衬底固定盘与镀锅的安装板之间的伸缩杆进行伸长或者缩短，将衬底固定盘调整到恰当的位置，避免光刻胶的遮挡并抵消重力对电极造成的偏移影响,减小电极的断层以及层之间融合的情况，可以提高最终得到的电极质量，延伸电极的使用寿命。改善了电极的包覆性，从而可改变钝化层的设计，增加了电极的可焊线面积。
电极设备及其方法

[发明专利]降低电压的发光二极管芯片及其制备方法-CN202110856930.7在审
发明人：陶刚;李俊生;胡根水;孙虎 -专利权人：华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2021-07-28 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明公开了降低电压的发光二极管芯片及其制备方法，属于发光二极管制作领域。外延片中的覆盖电流阻挡层的复合透明导电层包括依次层叠的第一透明导电子层与第二透明导电子层。第一透明导电子层覆盖电流阻挡层所有表面，第一透明导电子层具有与衬底的表面平行的第一表面，第二透明导电子层在衬底的表面的正投影的外轮廓与电流阻挡层在衬底的表面的正投影的外轮廓重合，电流的传递整体较为均匀。第二透明导电子层与p电极连通，形成良好的欧姆接触的同时实现电流的良好传导。电流整体遇到的体电阻降低，发光二极管外延片整体所需的电压则得到降低，出光率提高，亮度也得到提高。
降低电压发光二极管芯片及其制备方法

[发明专利]发光二极管外延片的粘片方法-CN202110815204.0在审
发明人：丁博文;蒋科;管成龙;李钊;葛新荣;胡根水;李俊生 -专利权人：华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2021-07-19 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本公开提供了一种发光二极管外延片的粘片方法。该粘片方法包括：在粘片机台的陶瓷盘的表面上加入石蜡；将待粘片的发光二极管外延片放置在所述陶瓷盘的表面上，所述发光二极管外延片的正面朝向所述陶瓷盘；在粘片机台的压轴的端面设置圆形垫片，所述圆形垫片的中心线与所述发光二极管外延片的中心线重合；控制所述压轴对所述发光二极管外延片施压，使所述发光二极管外延片固定在所述陶瓷盘的表面上。本公开实施例能够改善粘片后石蜡层厚度不均匀的问题，有效避免减薄切削后发光二极管外延片的厚度不一致、亮度不均的不良现象。
发光二极管外延方法

[实用新型]接线端子-CN202121437337.0有效
发明人：崔海明;郭庆;吴德明;俞益;洪迪海;吴可伟;胡根水;沈延辉 -专利权人：宁波承昊石业有限公司
申请日： 2021-06-26 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01R43/20 文献下载
摘要：本申请涉及电气连接装置的领域，具体公开了一种接线端子，其包括包括绝缘本体，所述绝缘本体包括安装件、转动件和固定件，所述转动件的一端与所述安装件的一侧铰接，所述转动件的另一端与所述固定件的一侧铰接，所述转动件夹持于所述安装件与所述固定件之间时，转动件的两侧分别与所述安装件、所述固定件抵接。本申请具有便于操作人员将导线连接于引线连接端上的效果。
接线端子

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