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[实用新型]晶圆倒片装置-CN202222848908.0有效
发明人：姚世杰;蒋同洋 -专利权人：江苏芯德半导体科技有限公司
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶圆倒片装置，包括上料载片平台、下料载片平台、转送机构和对中机构。上料载片平台承载背胶生产片架，背胶生产片架上放置晶圆；下料载片平台承载烘烤片架；转送机构用于获取背胶生产片架上的晶圆，将晶圆移动到对中机构上对中后，再转送至烘烤片架。本实用新型提供的晶圆倒片装置，将晶圆从背胶生产片架周转至烘烤片架中，实现全自动的倒片作业，降低了晶圆转送过程中被沾污、隐裂或碎片的风险，提升晶圆产品的良品率和转送速度，且提高晶圆的生产线效率。
晶圆倒片装置

[发明专利]一种用于晶圆片背胶清洗的加工方法-CN202310792500.2在审
发明人：江成陈;曹德坤 -专利权人：安徽微芯长江半导体材料有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于晶圆片背胶清洗的加工方法，包含以下步骤：a、将晶圆片放入带有超声的柠檬酸溶液中浸泡，b、晶圆片放入纯水中溢流，c、利用甩干机甩干晶圆片，d、晶圆片单片预清洗，e、晶圆片单片清洗，本发明的优点在于不需要通过擦拭的方式去除背胶晶片保护膜保护了晶片，避免了划痕、颗粒、有机物对表面的伤害及污染，本发明解决了撕下保护膜后留下的背胶清洗问题，有利于晶片防护的推广，有利于晶片有效使用面积的提升，有利于半导体行业的进步。
一种用于晶圆片背胶清洗加工方法

[发明专利]一种晶圆级白光LED芯片的切割方法-CN201310749016.8在审
发明人：封波;刘乐功 -专利权人：晶能光电(江西)有限公司
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆级白光LED芯片的切割方法，包括通过衬底转移工艺制备垂直结构的GaNLED晶圆片，激光切割晶圆片正面的切割道，形成凹槽，在晶圆片上涂布一荧光胶层并烘烤固化，对晶圆片背面减薄并蒸镀背金层，刀片背切晶圆片，切割位置与正面的凹槽相对应，沿晶圆片的凹槽进行劈裂，获得单颗白光LED芯片。本发明可以很顺利地实现晶圆级白光LED芯片的分离，不会破坏LED芯片表面的荧光胶层，避免了传统切割工艺带来的破损、崩裂现象，提高了白光LED的生产良率。
一种晶圆级白光 led 芯片切割方法

[发明专利]一种晶圆的背胶方法-CN201611264362.7有效
发明人：施建根 -专利权人：通富微电子股份有限公司
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆的背胶方法。该晶圆的背胶方法包括：提供待背胶的晶圆；提供由感光材料制成的胶膜；将胶膜贴附至晶圆的背侧上；沿晶圆的外边缘对胶膜进行曝光；利用显影液对曝光后的胶膜进行清洗，以去除晶圆的外边缘外围的胶膜。本发明能够在晶圆的背侧形成完整贴附的胶膜，避免出现漏胶。
一种方法

[发明专利]晶圆背胶的制备方法-CN201410616537.0在审
发明人：张纪阔;章国伟 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-11-05 - 公布日： 2016-06-01 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明的晶圆背胶的制备方法中，包括：提供晶圆以及预制膜；使用压膜机将所述预制膜压制在所述晶圆的背面；对所述预制膜进行加热处理，形成背胶；在所述背胶上标记所述晶圆的信息。本发明的晶圆背胶的制备方法，采用压制预制膜的方法，所述预制膜的平整度、厚度、粘稠度等可以根据要求预先制定，而且所述预制膜两面均覆盖有一防止所述预制膜被污染的保护层，使得所述预制膜不会被环境中的颗粒污染，之后在形成的背胶上标记晶圆的信息。本发明的晶圆背胶的制备方法，实现晶圆背胶的可控制备，提高工艺的可靠性。
晶圆背胶制备方法

[发明专利]一种背腐蚀切割MEMS硅晶圆片的方法-CN201710549657.7在审
发明人：韩宁;王颖;周新愿;陈运法 -专利权人：中国科学院过程工程研究所
申请日： 2017-07-07 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种背腐蚀切割MEMS硅晶圆片的方法，所述方法主要为：在MEMS硅晶圆片背面采用干法刻蚀与湿法腐蚀相结合方式，制备隔热腔的同时，对MEMS硅晶圆片进行背腐蚀形成腐蚀结构。具体步骤为：(1)在MEMS硅晶圆片背面进行光学曝光，显影得到切割线；(2)以光刻胶作为掩膜在MEMS硅晶圆片背面进行干法刻蚀，然后去除光刻胶；(3)以步骤(2)中未被干法刻蚀去除的复合层作为掩膜，对MEMS硅晶圆片背面进行湿法腐蚀，得到隔热腔和腐蚀结构。
硅晶圆片腐蚀干法刻蚀背面湿法腐蚀隔热腔光刻胶掩膜去除切割激光切割过程表面损伤机械切割结合方式碎屑污染便捷性成品率复合层切割线显影制备曝光

[发明专利]一种背照式图像传感器的晶圆级封装工艺及其封装结构-CN201510413571.2有效
发明人：冯光建;靖向萌 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2015-07-14 - 公布日： 2018-03-16 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及一种背照式图像传感器的晶圆级封装工艺及其封装结构，它包括以下步骤在CIS晶圆的正面键合上负载晶圆，以负载晶圆做支撑将CIS晶圆的背面减薄，在已经减薄的CIS晶圆的背面做上滤光镜和微透镜；在CIS晶圆的背面的边缘位置用第一粘结胶进行覆盖，在该封闭环形内用第二粘结胶进行涂布，在第二粘结胶和第一粘结胶的背面键合上封盖；以封盖做支撑将负载晶圆减薄，并在已经减薄的负载晶圆内做出导电柱，在导电柱的上端部沉积出导电层；去除第一粘结胶的粘性，使CIS晶圆和封盖分离，清洗CIS晶圆和封盖以除去第二粘结胶，最后进行切割，得到背照式图像传感器的晶圆级封装结构。本发明减小了封装片的厚度并可以使封盖重复利用。
一种背照式图像传感器晶圆级封装工艺及其结构

[发明专利]一种背照式图像传感器晶圆、芯片及其制造方法-CN201510390379.6在审
发明人：林峰;肖海波 -专利权人：豪威科技（上海）有限公司
申请日： 2015-07-03 - 公布日： 2015-12-09 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了一种背照式图像传感器晶圆、芯片及其制造方法，所述背照式图像传感器晶圆包括一片载体晶圆以及两片器件晶圆，所述两片器件晶圆分别位于所述载体晶圆的正面和背面。所述背照式图像传感器芯片由所述背照式图像传感器晶圆切割、封装得到。通过两片器件晶圆进行感光，所述背照式图像传感器晶圆和芯片便可双面感光。
一种背照式图像传感器芯片及其制造方法

[发明专利]倒装晶圆的背胶层形成方法-CN200410082440.2无效
发明人：蔡裕斌;刘智强;萧伟民 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2004-09-21 - 公布日： 2006-03-29 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明涉及一种倒装晶圆的背胶层形成方法，首先提供有一晶圆，该晶圆具有一主动表面及一对应的背面，以该晶圆的背面朝上，并提供一热固性胶饼于该晶圆的背面，接着加热一压模模具并以该压模模具压触该热固性胶饼，使该热固性胶饼流动分布于该晶圆的背面，以形成具背胶层的倒装晶圆。
倒装背胶层形成方法

[实用新型]晶圆抛光头和抛光装置-CN202320650001.5有效
发明人：姚力军;惠宏业;沈有飞;左威;赵梓聿;柏钧天 -专利权人：上海润平电子材料有限公司
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： B24B37/11 文献下载
摘要：本实用新型涉及晶圆加工技术领域，尤其涉及一种晶圆抛光头和抛光装置，晶圆抛光头包括顶板，所述顶板呈圆环状；背胶层，所述背胶层设置在所述顶板的上端，所述背胶层与所述顶板的内孔围设形成安装空间；支撑垫，所述支撑垫设置在所述安装空间中，且与所述背胶层粘接，晶圆位于所述安装空间中，所述支撑垫能够与所述晶圆抵接，使得所述晶圆与机台上的研磨材料接触；底板，所述底板与所述顶板设置有背胶层的一侧固定连接，且所述底板与研磨装置的转动轴固定连接，本实用新型能够保证装配后抛光头的平面度，从而保证研磨后晶圆的平面度满足要求。
抛光装置

[发明专利]一种GaN超薄芯片扇出型封装结构及封装方法-CN202210274190.0有效
发明人：李春阳;彭祎;刘明明;罗立辉;方梁洪 -专利权人：宁波芯健半导体有限公司
申请日： 2022-03-21 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本申请涉及一种GaN超薄芯片扇出型封装结构及封装方法，涉及半导体封装技术的领域，其包括以下步骤：于GaN晶圆的焊盘上形成电镀金属柱；将GaN晶圆从具有电镀金属柱的一侧进行切割；将GaN晶圆按照研磨厚度进行研磨；于GaN芯片上形成背胶；将背胶远离GaN芯片的一侧涂覆上粘合胶，并粘接于载体圆片上；形成塑封层，并通过研磨工艺研磨塑封层远离载体圆片的一侧以将电镀金属柱远离GaN芯片的一侧露出；在塑封后的GaN芯片远离载体圆片的一侧依次形成再布线层本申请具有通过先切割后研磨的技术，减少了研磨过程以及后续操作工程中造成晶圆隐裂或直接裂片的可能性，提高了切割的成品率和完整度的效果。
一种 gan 超薄芯片扇出型封装结构方法

[发明专利]一种晶圆背孔光刻胶填充方法-CN201710942896.9在审
发明人：王珺楠 -专利权人：成都海威华芯科技有限公司
申请日： 2017-10-11 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： H01L29/20 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种晶圆背孔光刻胶填充方法，包括以下步骤S1、采用真空加热的方式去除晶圆背孔中的水汽；S2、步骤S1结束后1min内，在晶圆背面旋涂CP值为1～50的光刻胶；S3、对晶圆进行第一次预烘烤，使得第一次旋涂的光刻胶固化；S4、在固化的光刻胶上旋涂CP值为1600～1800的光刻胶；S5、对晶圆进行第二次预烘烤，使得第二次旋涂的光刻胶固化，从而完成背孔的填充。本发明先旋涂CP值低的光刻胶，其高解析度和高流动性使其能均匀的平铺在晶圆表面，保证对背孔侧壁和背孔底部的镀金进行覆盖保护；再旋涂CP值高的光刻胶，其低解析度和低流动性使其能攀附在晶圆表面，保证对背孔附近镀金进行覆盖保护，提高了晶圆的成品率和可靠性。
一种晶圆背孔光刻填充方法

[发明专利]一种背孔过刻蚀检验方法及装置-CN202211304707.2在审
发明人：刘晓辉 -专利权人：成都海威华芯科技有限公司
申请日： 2022-10-24 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： G01B11/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种背孔过刻蚀检验方法及装置，包括：收集背孔完全刻蚀穿正面金属的不同型号的晶圆作为标准片，其中所述标准片中背孔作为标准背孔；使用光源照射所述标准片，并测得透射过标准背孔的光线，得到不同标准片的标准背孔透射光；使用与测量标准背孔相同的光源照射所述待测晶圆，根据待测晶圆中所有背孔的背孔透射光的情况判断所述待测晶圆的过刻蚀情况；所述根据待测晶圆中所有背孔的背孔透射光的情况判断所述待测晶圆是否存在过刻蚀。本发明利用光线透射晶圆背孔的方法来检验背孔是否过刻蚀，提高了检验效率和检验精度，并避免了run货风险。
一种刻蚀检验方法装置

[发明专利]一种超薄晶圆减薄工艺-CN202211688783.8在审
发明人：戴直义 -专利权人：芯钛科半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明涉及超薄晶圆制备技术领域，具体为一种超薄晶圆减薄工艺，在晶圆表面与固定载体之间通过光刻胶固定粘接，控制粘接固化的厚度均匀，经过晶圆背磨工艺后继续对研磨面进行湿法刻蚀，消除晶圆背磨损伤层后剥离固定载体并去除光刻胶；能够通过固定载体为晶圆减薄起到支撑的刚性结构作用，并且配合光刻胶保护晶圆表面在工艺过程中不受影响；通过光刻胶能够实现快速固化粘接或后期剥离，有利于提高生产效率；在背磨工艺中设有激光辐射退火工艺和湿法刻蚀工艺处理晶圆表面能够削减翘曲度，能够使其晶圆表面的平坦度更好，背磨条件使其翘曲度能够进一步降低，能够在制备超薄晶圆的过程中或的较低的翘曲度以及较好的平坦度，有利于提高成品率。
一种超薄晶圆减薄工艺

[发明专利]一种MEMS器件及其制备方法、电子装置-CN201611021606.9在审
发明人：陈福成 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2016-11-21 - 公布日： 2018-05-29 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：所述方法包括：提供晶圆，在所述晶圆的正面依次形成有振膜、牺牲层和背板；在所述晶圆的背面形成感光固化胶，以覆盖所述晶圆的背面；对所述感光固化胶进行光刻和固化，以露出部分所述晶圆的背面；对露出的所述晶圆的背面进行蚀刻，以形成背腔并露出所述振膜，同时保留剩余的所述感光固化胶。在所述方法中在所述晶圆的背面利用低温的感光固化胶(例如聚酰亚胺(polyimide)或者类似材料，其固化温度在200℃以下作为掩膜(mask)来刻蚀背腔，仅需去除聚合物(polymer)。同时所述低温的感光固化胶作为永久膜留在背面，可以增加背腔空间，提升麦克风的电容值，从而提升其低频区的敏感性。
晶圆固化胶背面感光背腔电子装置振膜制备固化蚀刻聚酰亚胺类似材料聚合物麦克风低频区牺牲层永久膜电容背板光刻刻蚀去除掩膜保留覆盖

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