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[发明专利]一种光刻机-CN201910326298.8在审
发明人：李代甫 -专利权人：柳江
申请日： 2019-04-23 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及光刻机技术领域，尤其涉及一种光刻机，包括激光器和掩模座、晶片座；其中激光器由第一反射镜、第二反射镜、增益介质和泵浦装置组成；第一反射镜为全反射镜，第二反射镜为部分反射镜，激光器产生的激光通过第二反射镜分光输出；其中掩模座布置在所述激光器的谐振光路上，用于安装光刻掩模，晶片座布置在所述激光器的输出光路上，用于安装光刻晶片。光刻机工作时，掩模布置在所述掩模座上，晶片布置在所述晶片座上；谐振光穿过掩模上的孔、缝完成谐振，输出的激光投射到晶片上对晶片进行曝光。
反射镜激光器光刻机晶片晶片座掩模座谐振光泵浦装置光刻掩模激光投射全反射镜掩模布置增益介质输出谐振输出光分光光刻掩模激光穿过曝光

[发明专利]光刻用掩模护层-CN200410062426.6无效
发明人：永田爱彦 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2004-07-07 - 公布日： 2005-03-09 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：本发明提供一种具有实用性的光刻用掩模护层，其对于例如200至300纳米的远紫外线，尤其是200纳米以下的真空紫外线的短波长的光具有高透光率及耐旋光性。光刻用掩模护层是至少具有掩模护层膜、张贴该掩模护层膜的护层框，以及设于该掩模层框的另一端面具有粘接层的光刻用掩模护层，其特征为：所述掩模护层膜是由氟掺杂氧化硅及含氟树脂的复合构造制成。
光刻用掩模护层

[发明专利]一种具有多掩模的光刻机硅片台系统-CN200910172951.6有效
发明人：朱煜;张鸣;汪劲松;田丽;徐登峰;尹文生;段广洪;胡金春;许岩 -专利权人：清华大学
申请日： 2009-09-11 - 公布日： 2010-04-14 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种具有多掩模的光刻机硅片台系统，该系统含有基台，至少一个硅片台，一组光学透镜和掩模台系统。掩模台系统包括掩模台基座、掩模运动台和掩模承载台，所述的掩模台基座的长边为Y方向，短边为X方向；掩模运动台在掩模台基座上沿Y方向作直线运动，掩模承载台在掩模运动台上沿X方向作直线运动；在所述的掩模承载台上沿X方向至少设置两个掩模版安装槽和两个掩模版，每个掩模版安装槽内放置一个掩模版。本发明对现有光刻机掩模台系统改进后，更换掩模后可以减少一次对准的时间，此外，在曝光过程中还节省了一次步进的时间，降低了成本，进而提高了光刻机的曝光效率。
一种具有多掩模光刻硅片系统

[实用新型]具有多掩模的光刻机硅片台系统-CN200920173484.4无效
发明人：朱煜;张鸣;汪劲松;田丽;徐登峰;尹文生;段广洪;胡金春;许岩 -专利权人：清华大学
申请日： 2009-09-11 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：具有多掩模的光刻机硅片台系统，该系统含有基台，至少一个硅片台，一组光学透镜和掩模台系统。掩模台系统包括掩模台基座、掩模运动台和掩模承载台，所述的掩模台基座的长边为Y方向，短边为X方向；掩模运动台在掩模台基座上沿Y方向作直线运动，掩模承载台在掩模运动台上沿X方向作直线运动；在所述的掩模承载台上沿X方向至少设置两个掩模版安装槽和两个掩模版，每个掩模版安装槽内放置一个掩模版。本实用新型对现有光刻机掩模台系统改进后，更换掩模后可以减少一次对准的时间，此外，在曝光过程中还节省了一次步进的时间，降低了成本，进而提高了光刻机的曝光效率。
具有多掩模光刻硅片系统

[发明专利]具有改善电子束光刻邻近效应功能的掩模版及其制备方法-CN202211588556.8在审
发明人：罗先刚;赵博文;高平;岳伟生;张涛;赵泽宇 -专利权人：中国科学院光电技术研究所
申请日： 2022-12-09 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： G03F1/20 文献下载
摘要：本公开提供一种具有改善电子束光刻邻近效应功能的掩模版及其制备方法，该掩模版包括：衬底(1)；掩模吸收层(2)，由低原子序数材料构成，以降低电子束光刻过程中入射电子束(4)与掩模吸收层(2)中低原子序数材料原子核碰撞的概率，改善电子束光刻过程中的光学邻近效应。本公开的掩模版通过选择由低原子序数材料构成掩模吸收层(2)，降低了电子束入射过程中入射电子束(4)与掩模吸收层(2)中元素原子核碰撞的概率，从而减少了背散射电子返回电子束光刻胶层(3)的概率，由此改善了电子束光刻过程中的光学邻近效应
具有改善电子束光刻邻近效应功能模版及其制备方法

[发明专利]液晶显示装置阵列基板的制造方法-CN200710121529.9有效
发明人：宋泳珍 -专利权人：北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2007-09-07 - 公布日： 2009-03-11 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：本发明涉及一种液晶显示装置阵列基板的制造方法，包括在基板上依次沉积透明电极层和栅金属层，沉积光刻胶，采用第一掩模板进行掩模、蚀刻后，形成由栅金属层和透明电极层构成的栅线、栅电极和像素电极，去除剩余光刻胶；依次沉积栅绝缘层、非晶硅层和重掺杂非晶硅层，沉积光刻胶，采用第二掩模板进行掩模、蚀刻后，使栅绝缘层覆盖栅线并去掉像素电极上的栅金属层；沉积数据金属层，沉积光刻胶，采用第三掩模板进行掩模、蚀刻后，形成数据线，源漏电极及其间隔区域，去除剩余光刻胶。本发明通过减少掩模板数到3次，使得总工程的容量大大增加，所用的时间缩短，产品成品率提高，从而降低产品成本。
液晶显示装置阵列制造方法

[发明专利]光刻掩模和用于生成光刻掩模的方法-CN200610055091.4无效
发明人： T·亨克尔;R·克勒;C·内尔谢尔;K·伦纳 -专利权人：英飞凌科技股份公司
申请日： 2006-03-03 - 公布日： 2006-09-06 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：用于在衬底上对抗蚀剂层进行光刻制图的具有第一区域(50、52、54、56)以及第二和第三区域(60、62、64、66、70、72、74、76)的光刻掩模，在第一区域中光刻掩模(14)具有不透明层，第二和第三区域在光刻掩模的光学厚度方面不同且在其中光刻掩模至少是半透明的光刻掩模包括具有交替布置并且被第一区域(50)环绕的多个第二区域(62、64)和多个第三区域(72、74)的第一段(44)，用于以小于预定临界距离的距离光刻生成抗蚀剂开口(34、36)。该光刻掩模还包括具有多个第三区域(70、76)的第二段(42、46)，每个第三区域都被第二区域环绕，该第二区域被多重连接的第一区域环绕，用于以大于预定临界距离的距离光刻生成抗蚀剂开口(32、38)。
光刻用于生成方法

[发明专利]一种基于无掩模直写光刻的薄膜微结构加工方法-CN201910906867.6有效
发明人：罗先刚;王炯;蒲明博;马晓亮;李雄;赵泽宇 -专利权人：中国科学院光电技术研究所
申请日： 2019-09-24 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于无掩模直写光刻的薄膜微结构加工方法，包括以下步骤：步骤S1、工艺工装盘加工：采用具有稳定物理、化学性质的材料，通过光学、机械加工方法，加工用于薄膜微结构加工的工艺工装盘；步骤S2、薄膜刚性化：将薄膜通过粘结剂固定于工艺工装盘之上，使薄膜在各方向拉应力的作用下产生刚性化效果；步骤S3、无掩模直写光刻：通过涂胶、曝光、显影、刻蚀等光刻工艺流程，在薄膜上加工微结构图案。
一种基于无掩模直写光刻薄膜微结构加工方法

[发明专利]极紫外光刻掩模缺陷检测系统-CN201210104156.5有效
发明人：李海亮;谢常青;刘明;李冬梅;牛洁斌;史丽娜;朱效立 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-04-10 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： G03F1/44 文献下载
摘要：本申请涉及半导体学中的集成电路光刻领域，公开了一种极紫外光刻掩模缺陷检测系统，包括：极紫外光源、极紫外光传输部分、极紫外光刻掩模、光子筛、采集及分析系统。所述极紫外光源发出的点光源光束经过所述极紫外光传输部分聚焦到所述极紫外光刻掩模上；所述极紫外光刻掩模发出散射光并照明所述光子筛；所述光子筛形成暗场像并传送到所述采集及分析系统。本申请利用光子筛的体积小、易加工、低成本和分辨率强的特性代替了加工难度极大、成本高昂和体积大的史瓦西透镜，实现成本较低、体积较小并且分辨率强的极紫外光刻掩模缺陷检测装置。
紫外光刻缺陷检测系统

[发明专利]一种混合线条的制造方法-CN201110460558.4有效
发明人：唐波;闫江 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-12-31 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种混合线条的制造方法，该方法包括以下步骤：在底层上依次形成材料层和硬掩模层；在所述硬掩膜层上形成光刻胶层，所述光刻胶层对光学曝光和电子束曝光都敏感，并分别利用光学曝光和电子束曝光对所述光刻胶层进行曝光，显影后形成第一光刻胶图形和电子束曝光胶图形，其中第一光刻胶图形通过光学曝光形成，电子束曝光胶图形通过电子束曝光形成；以所述第一光刻胶图形和电子束曝光胶图形为掩模，对所述硬掩模层刻蚀形成对应的第一硬掩模图形和第二硬掩模图形；以所述第一硬掩模图形和第二硬掩模图形为掩模，刻蚀所述材料层，形成第一线条和第二线条。本发明将同一层次图形按线条大小进行拆分，大线条用普通光学曝光，小线条用电子束曝光，在不影响图形质量的前提下大幅缩减曝光时间；采用特殊的光刻胶，只需涂布一次光刻胶即可实现普通光学曝光和电子束曝光。
一种混合线条制造方法

[发明专利]精细线条制备方法-CN201210395105.2有效
发明人：孟令款;李春龙;贺晓彬 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-10-17 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本发明公开了一种精细线条制备方法，包括：在衬底上形成结构材料层和硬掩模层；在硬掩模层上形成电子束光刻胶，执行电子束曝光形成电子束光刻胶图形；以电子束光刻胶图形为掩模，刻蚀形成硬掩模图形；以硬掩模图形为掩模依照本发明的方法，采用材质不同的多层硬掩模层并且合理调整刻蚀反应条件，防止了电子束光刻胶侧壁粗糙度传递到下层的结构材料层，有效降低了线条的粗糙度，提高了工艺的稳定性，降低了器件性能的波动变化。
精细线条制备方法

[发明专利]制造光刻用掩模的方法-CN201811258198.8在审
发明人：陈建诚;李信昌;陈嘉仁;沈仓辉;许呈韶;何彦政;张世明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-10-26 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： G03F1/76 文献下载
摘要：在一种制造光刻用掩模的方法中，获取电路图案数据；根据电路图案数据计算图案密度，其中图案密度是每预定区域的总图案区域；为图案密度低于临界密度的区域产生虚拟图案数据；根据电路图案数据及虚拟图案数据产生掩模绘图数据；根据掩模绘图数据，以电子束光刻设备的电子束于掩模坯料基板上所形成的光刻胶层上绘制图案；以及以显影液显影经绘图的光刻胶层，当光刻胶层以电子束曝光且经过显影，虚拟图案数据内所包含的多个虚拟图案并不会转印为掩模图案
虚拟图案掩模光刻胶层电路图案数据绘图数据图案光刻显影电子束电子束光刻设备电子束曝光绘制图案获取电路数据产生图案区域图案数据掩模坯料掩模图案预定区域显影液基板转印绘图制造

[发明专利]降低光掩模板条纹的方法及装置-CN201410211477.4有效
发明人：邓振玉;张沛;李跃松 -专利权人：深圳清溢光电股份有限公司
申请日： 2012-12-03 - 公布日： 2017-09-08 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：本发明适用于光掩模生产领域，尤其涉及降低光掩模板条纹的方法及装置，所述方法包括下述步骤按照光刻机设备的光斑大小，光束数量计算图形由于光束能量差异造成的条纹的图形收缩系数；根据所述收缩系数对图形中的所有顶点进行收缩，得到收缩图形；根据所述收缩图形在将收缩图形进行光刻前，在设备上使用相反系数进行反补。本发明通过对产生光掩模板条纹的原因，对光掩模板进行光刻前光刻采用的图形进行反补，使得光刻后反补的效果抵消了由于误差导致的出现条纹的情况，使得降低光掩模板出现条纹的情况。
降低模板条纹方法装置

[发明专利]光刻装置-CN201711315833.7有效
发明人：金度亨;金成洙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-12-12 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种光刻装置。该光刻装置包括：掩模版，具有彼此相反的第一表面和第二表面以及形成在第一表面上的图案区域；掩模版台，面对掩模版的第二表面，掩模版台用于夹住掩模版；在容纳掩模版和掩模版台的腔室内的保护导体；以及电源，用于供给电压到保护导体
光刻装置

[发明专利]一种掩模版的制备方法-CN202310340788.X在审
发明人：张政 -专利权人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G03F1/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种掩模版的制备方法，包括：根据预设掩模版的掩模图案，以逐级放大的方式设计M级掩模图案直至一级掩模图案，M为大于或等于1的整数；采用直写工艺利用一级掩模图案制作一级掩模版；采用光刻工艺，由一级掩模版以逐级缩小的方式制作二级掩模版直至M级掩模版，再由M级掩模版制作预设掩模版，预设掩模版的精度高于直写工艺及光刻工艺的精度。本发明中，通过精度相对较低的直写工艺及光刻工艺制备精度较高的预设掩模版，而且可利用上述过程中的一级至M级掩模版批量制备高精度的预设掩模版，有利于提高制备预设掩模版的生产效率及降低成本。
一种模版制备方法