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[发明专利]用于制造半导体器件的光刻工艺的方法-CN200610074166.3有效
发明人：林水典;卢欣荣;罗益全 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2006-04-07 - 公布日： 2006-10-11 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种用于制造半导体器件的光刻工艺的方法。该方法包括如下步骤：定义一光刻掩模的测试临界尺寸目标；测量一掩模临界尺寸；比较掩模临界尺寸和该测试临界尺寸目标，并据以决定一临界尺寸误差；依据该临界尺寸误差决定一光刻光基准能量；以及依据该光刻光基准能量曝光一晶片
用于制造半导体器件光刻工艺方法

[发明专利]光刻机掩模的优化方法-CN201610077507.6有效
发明人：王磊;王向朝;李思坤;杨朝兴 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2016-02-03 - 公布日： 2017-12-12 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种光刻机掩模的优化方法，该方法利用离散余弦变换将基于像素表示的掩模信息转换到频域，截取低频部分作为优化变量并将其编码为粒子，将理想图形与当前掩模对应的光刻胶像每一点差异的平方和作为评价函数，通过粒子群优化算法优化掩模图形本发明可以有效提高光刻系统的成像质量，具有原理简单、易于实现、收敛速度较快、优化后的掩模可制造性强的优点。
光刻机掩模优化方法

[发明专利]多重成像光刻装置以及方法-CN200910047580.9有效
发明人：蔡燕民 -专利权人：上海微电子装备有限公司
申请日： 2009-03-13 - 公布日： 2009-08-19 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提出一种多重成像光刻装置及其方法，多重成像光刻装置包括照明光源、掩模台、掩模、投影物镜、工件台、基底及其它测量装置，且多重成像光刻装置还包括二元相位光栅，二元相位光栅设置于掩模和投影物镜之间。本发明多重成像光刻装置及其方法，利用二元相位光栅可以将硅片上多个曝光视场同时曝光，不需要消耗曝光视场之间的步进运动时间以及稳定时间，是一种高产率的光刻方法及光刻装置。
多重成像光刻装置以及方法

[发明专利]快闪存储器件的制造方法-CN200710130367.5无效
发明人：沈贵潢;郑宇荣 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2007-07-18 - 公布日： 2008-03-12 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：一种制造快闪存储器件的方法包括：提供衬底，所述衬底具有绝缘层、绝缘层上方的第一掩模层、第一掩模层上方的第二掩模层、第二掩模层上方的第一光刻胶图案，所述第一光刻胶图案具有第一间距。在所述第一光刻胶图案上方提供材料层。蚀刻所述材料层以使所述材料层转化为具有第二间距的材料层图案，所述第二间距小于所述第一间距。利用所述材料层图案蚀刻所述第二硬掩模层，以形成沿第一方向延伸的第二硬掩模层图案。蚀刻第二光刻胶图案，所述第二光刻胶图案限定未暴露的第一区域和暴露的第二区域，所述第二区域沿着与所述第一方向正交的第二方向延伸。利用所述第二光刻胶图案蚀刻所述第一硬掩模层，以形成具有有角形状的第一硬掩模层图案。
闪存器件制造方法

[发明专利]增大光刻工艺窗口的方法、电子设备和存储介质-CN202111636322.1在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：全芯智造技术有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本公开的示例实施例提供了增大光刻工艺窗口的方法、电子设备和存储介质。该方法包括：确定成本函数，成本函数表示光刻工艺窗口的成本，成本表示在光刻工艺窗口的条件下，利用掩模而在晶圆上形成的图形与期望在晶圆上形成的图形之间的差异；确定成本函数相对于掩模的成本梯度图，成本梯度图表示掩模的成本梯度的分布，成本梯度表示成本的变化；以及基于成本梯度图，在掩模上放置亚分辨率辅助图形SRAF。本公开的实施例能够增大光刻工艺窗口，从而改善光刻质量。
增大光刻工艺窗口方法电子设备存储介质

[发明专利]石英/AZ光胶紫外光光刻掩模的制备方法-CN200510060784.8无效
发明人：孔泳;陈恒武 -专利权人：浙江大学
申请日： 2005-09-15 - 公布日： 2006-03-01 - 主分类号： G03F1/08 文献下载
摘要：一种石英/AZ光胶紫外光光刻掩模的制备方法，其特征是：使用的光刻掩模材料是AZ光胶和石英基片。使用标准光刻技术，将预先设计好的图形从菲林片上转移到涂覆有AZ光胶的石英基片上，通过显影除去经过曝光的AZ光胶，经洗静，烘干后，即可制得载有设计图形的石英/AZ光胶紫外光光刻掩模。该紫外光光刻掩模可用于以200－360nm的紫外光作为光源来实现图形的精确转移。本发明具有工艺简单，成本低，制备周期短的优点。
石英 az 紫外光光刻制备方法

[发明专利]一种双深度浅沟道隔离槽及其制备方法-CN201910407317.X有效
发明人：杨渝书;伍强;李艳丽 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司
申请日： 2019-05-15 - 公布日： 2021-07-02 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种双深度浅沟道隔离槽及其制备方法，双深度浅沟道隔离槽的制备方法包括：提供一衬底，衬底上依次形成有硬掩模层和图形化的第一光刻胶层；以图形化的第一光刻胶层为掩模，刻蚀形成第一开口和第二开口，再去除第一光刻胶层；在硬掩模层上形成图形化的第二光刻胶层；以图形化的第二光刻胶层和硬掩模层为掩模，刻蚀形成第二隔离槽的第一部分，再去除所述第二光刻胶层；以硬掩模层为掩模，刻蚀形成第二隔离槽的第二部分和第一隔离槽，使得感光区的第一隔离槽和逻辑区的第二隔离槽同时形成
一种深度沟道隔离及其制备方法

[发明专利]刻蚀方法-CN201410301926.4有效
发明人：张海洋;周俊卿 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-06-27 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供一种刻蚀方法，包括：提供衬底；在衬底上形成刻蚀材料层；在刻蚀材料层上形成硬掩模，硬掩模包括依次形成于刻蚀材料层上的第二硬掩模以及第一硬掩模；图形化第一硬掩模，在第一硬掩模中形成图案，并露出部分第二硬掩模；以第一硬掩模为掩模刻蚀第二硬掩模，将图案转移到第二硬掩模中；以具有图案的第二硬掩模为掩模，刻蚀材料层。本发明的有益效果在于：相对于现有技术完全以第一光刻胶来刻蚀硬掩模的方式，减少第一光刻胶的者减少被刻蚀程度，从而尽量地避免了因第一光刻胶过薄而导致在硬掩模中形成的图案不够精确的问题。
硬掩模刻蚀刻蚀材料光刻胶图案衬底掩模图案转移图形化

[发明专利]一种图形传递方法-CN201911120598.7在审
发明人：杨渝书;伍强;李艳丽 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2019-11-15 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本发明提供了一种图形传递方法，包括以下步骤：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成硬掩模层和图形化极紫外光刻胶层；以所述图形化极紫外光刻胶层为掩模，刻蚀所述硬掩模层，并将图形化极紫外光刻胶层中的图形传递至所述硬掩模层中，以形成图形化硬掩模层，所述图形化硬掩模层具有开口；在所述开口中形成填充层；以及去除所述硬掩模层，以暴露出所述半导体衬底，所述半导体衬底上保留所述开口中的填充层，以实现图形化极紫外光刻胶层中的低密度图形的负向传递
极紫外光刻硬掩模层图形化衬底胶层半导体图形化硬掩模层开口图形传递填充层密度图形负向刻蚀掩模去除传递暴露保留

[发明专利]一种微纳米结构定点缺陷掺杂的方法及NV色心传感器-CN202011178199.9在审
发明人：王孟祺;王亚;孙浩宇;叶翔宇;余佩;刘航宇;王鹏飞;石发展;杜江峰 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2020-10-28 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种基于自对准工艺的微纳米结构定点缺陷掺杂的方法，包括：S1，在晶体衬底表面依次形成牺牲层、光刻胶层；S2，根据微纳米图形在光刻胶层光刻出掩模孔；S3，通过掩模孔对牺牲层各向同性刻蚀，将掩模孔图形放大至牺牲层；S4，对掩模孔下方裸露的晶体表面进行离子注入掺杂；S5，去除光刻胶层，沉积掩模材料；S6，去除牺牲层，牺牲层中微纳米放大图形转移为掩模材料图形；S7，对裸露晶体表面进行刻蚀，去除表面掩模材料并退火形成特定缺陷
一种纳米结构定点缺陷掺杂方法 nv 色心传感器

[发明专利]复合材料异质结的制备方法-CN202111081892.9在审
发明人：张浩;何珂;李琳;冯硝;宋文玉;苗文韬;姜钰莹;杨帅;臧运祎;耿祖汗;仝冰冰 -专利权人：北京量子信息科学研究院;清华大学
申请日： 2021-09-15 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： H01L39/24 文献下载
摘要：该制备方法包括以下步骤：在衬底上镀掩模，在掩模上甩预设厚度的HSQ Fox‑系列电子束光刻胶，经曝光显影后在掩模上形成光刻胶三维图形。在掩模及光刻胶三维图形上甩正性电子束光刻胶，经电子束曝光显影后在掩模上形成凹槽，刻蚀除去凹槽中的掩模，除去正性电子束光刻胶。利用分子束外延技术在所述凹槽中的衬底上生长第一相材料，使光刻胶三维图形相对第二相材料束流方向倾斜预设角度，使光刻胶三维图形的投影部分遮挡部分第一相材料，在未遮挡部分原位生长第二相材料以形成异质结；第一相材料为半导体纳米线
复合材料异质结制备方法

[发明专利]一种改善掩模版光刻图形离焦的方法-CN202210394303.0在审
发明人：詹海娇;高松 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2022-04-14 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： G03F1/70 文献下载
摘要：本发明提供一种改善掩模版光刻图形离焦的方法，提供未沉积任何遮光材料的掩模版玻璃基板；根据产品的图形设计布局，对具有不同聚焦值的光刻图形对应在掩模版上的区域的玻璃基板进行刻蚀，各区域间刻蚀深度的差值与对应光刻图形间的聚焦值差值保持一致；对刻蚀后的掩膜版玻璃基板进行遮光材料沉积；根据产品的图形设计布局对掩膜版进行曝光和刻蚀，将图形转移到掩模版上，得到制备的掩膜版；使用制备的掩模版对晶圆进行曝光，将制备的掩模版上图形转移至晶圆上；通过线宽测量扫描电子显微镜对所述光刻图形的关键尺寸进行测量，检测晶圆表面不同光刻胶厚度区域的光刻图形是否均在最佳曝光位置，若某些光刻图形的最佳聚焦值有差，则需根据测量结果对掩膜版玻璃基板的刻蚀深度进行调整。
一种改善模版光刻图形方法

[发明专利]一种光刻方法及系统-CN202310752944.3有效
发明人：李海峰;张祥平;王恒;吕燕;何盼盼 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2023-06-26 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种光刻方法及系统，属于集成电路制造领域。所述光刻方法包括以下步骤：依据掩模版上掩模图形的密度，将掩模版划分为多个曝光区域，每个所述曝光区域中掩模图形的密度在预设范围以内；获取所述掩模版上掩模图形的聚焦点范围；依据所述聚焦点范围获取最佳对焦范围；以及对每个所述曝光区域进行曝光，在曝光时，依据每个所述曝光区域中所述掩模图形的密度，调节所述掩模版至透镜的位置，使所述掩模图形的聚焦点位于所述最佳对焦范围。通过本发明提供的一种光刻方法及系统，可增大疏密程度不同的掩模图形的共同工艺窗口的大小。
一种光刻方法系统

[发明专利]光刻方法-CN201010022586.3无效
发明人：朴世镇 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-01-08 - 公布日： 2011-07-13 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：一种光刻方法，包括：将设计图形拆分成第一掩模版图和第二掩模版图，所述第一掩模版图和所述第二掩模版图重叠的区域为设计图形；采用所述第一掩模版图对硅片进行曝光显影，所述硅片至少包括待刻蚀层和位于所述待刻蚀层表面的硬掩模层，通过第一次刻蚀将所述第一掩模版图转移至所述硅片的硬掩模层上；在所述硬掩模层和所述待刻蚀层的表面形成第二光刻胶层，将所述第二掩模版图转移至所述第二光刻胶层上，并基于所述第二光刻胶层和所述硬掩模层进行第二次刻蚀本发明上述实施方式可应用于掩模版的制作，也可应用于芯片产品的生产，可利用现有的工艺条件获得尺寸小与分辨率的图案，提高了产品的良率。
光刻方法

[发明专利]大马士革结构的制作方法-CN201210238207.3无效
发明人：王冬江;周俊卿;张海洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-07-10 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种大马士革结构的制作方法，包括：在半导体衬底上依次形成介电层、第一硬掩模层、具有第一开口的图形化的第二硬掩模层、第三硬掩模层及具有第二开口的图形化的光刻胶层；以图形化的光刻胶层为掩模进行刻蚀，形成图形化的第三硬掩模层，其具有暴露出部分第一硬掩模层的第三开口；去除图形化的光刻胶层，以图形化的第三硬掩模层为掩模进行刻蚀，形成通孔；去除图形化的第三硬掩模层，以图形化的第二硬掩模层为掩模进行刻蚀，形成沟槽。在灰化去除图形化的光刻胶层时，介电层仍被第一硬掩模层覆盖，因此，含氧的灰化气体无法进入介电层中，防止了含氧的灰化气体使介电层的成分、结构发生变化，使介电层的介电常数不会增大。
大马士革结构制作方法