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[实用新型]一种快恢复二极管-CN201520928417.4有效
发明人：崔峰敏 -专利权人：傲迪特半导体（南京）有限公司
申请日： 2015-11-20 - 公布日： 2016-08-03 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：一种快恢复二极管，硅晶片尺寸为2.7mm×1.8mm，厚度为270±10μm，低掺杂的N型硅衬底上设有高掺杂P型硅基区，形成PN结，所述低掺杂的N型硅衬底呈圆角长方体状，所述N型硅衬底上有4个环形结构，外环为高掺杂N型硅发射区，高掺杂P型硅基区和外环高掺杂N型硅发射区中间有三个高掺杂P型硅基环，所述N型硅衬底、高掺杂P型硅基区、高掺杂P型硅基环和高掺杂N型硅发射区上有碳纳米管（CNT）层，所述碳纳米管层、高掺杂P型硅基区和高掺杂N型硅发射区上沉积金属Al作为阳极，N型硅衬底的背面沉积金属Ag作为阴极，所述电极外设有保护膜。
一种恢复二极管

[发明专利]一种用于多晶硅薄膜的激光掺杂方法-CN201910473109.X在审
发明人：陈达明;陈奕峰;王尧;刘成法;何宇;邹杨;夏锐;林文杰;袁玲;龚剑 -专利权人：天合光能股份有限公司
申请日： 2019-05-31 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于多晶硅薄膜的激光掺杂方法，包括以下步骤：在硅片衬底的表面生长一层氧化硅层；在氧化硅层上沉积多晶硅薄膜，所述多晶硅薄膜为原位掺杂的多晶硅薄膜或本征多晶硅薄膜，若为本征多晶硅薄膜时，在本征多晶硅薄膜上引入掺杂源；采用激光辐照多晶硅薄膜。对于原位掺杂的多晶硅薄膜，采用激光辐照多晶硅薄膜，以激活掺杂原子。若对于需外部引入掺杂源的多晶硅薄膜，采用激光辐照，将掺杂剂推入多晶硅薄膜以实现掺杂。本发明可以实现多晶硅薄膜掺杂的低温化，本发明可以实现多晶硅薄膜的局域掺杂。
一种用于多晶薄膜激光掺杂方法

[发明专利]侧壁阻挡结构及制造方法-CN200310117008.8无效
发明人： S·格恩哈特;J·利安;A·希利格尔;R·布鲁赫豪斯;U·韦尔豪森;N·内格尔 -专利权人：英飞凌技术股份有限公司
申请日： 2003-11-27 - 公布日： 2004-07-07 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明包括具有穿过CP接触的多晶硅塞的晶片。由相对重掺杂多晶硅层和相对轻掺杂多晶硅层形成多晶硅塞。相对轻掺杂多晶硅层穿过相对重掺杂多晶硅层以超出相对重掺杂多晶硅层向晶片表面延伸。为了减小在多晶硅塞的表面氧化，阻挡层覆盖相对轻掺杂多晶硅层的顶部和侧壁。通过在CP接触中沉积相对重掺杂多晶硅层、沉积相对轻掺杂多晶硅层穿过相对重掺杂多晶硅层和沉积阻挡层覆盖相对轻掺杂多晶硅层的顶部和侧壁来制造晶片以减小在多晶硅塞表面的氧化。
侧壁阻挡结构制造方法

[发明专利]一种单晶硅制备方法及装置-CN202110354816.4有效
发明人：欧子杨;尚伟泽;张昕宇;白枭龙 -专利权人：浙江晶科能源有限公司
申请日： 2021-04-01 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本申请涉及光伏领域，提供一种单晶硅制备方法及装置，其中，方法包括以下步骤：将掺杂剂、多晶硅原料以及重掺杂硅原料放入坩埚中，重掺杂硅原料平铺设于坩埚底部，掺杂剂与多晶硅原料混合并铺设于重掺杂硅原料上；将坩埚置于单晶炉内，对单晶炉进行抽真空操作后通入保护气体，并在保护气体作用下熔化多晶硅原料及掺杂剂，得到硅熔体，控制重掺杂硅原料不熔化；当硅熔体温度稳定后，将晶种浸入硅熔体中，之后依次进行引晶，放肩，等径生长阶段，其中，在等径生长过程中，由上往下熔化至少部分重掺杂硅原料，使得重掺杂硅原料中的掺杂元素进入硅熔体中以实现再次掺杂。本申请的单晶硅制备方法及装置，降低单晶硅含氧量，提高硅棒电阻率集中度。
一种单晶硅制备方法装置

[发明专利]掺杂多晶硅层的形成方法以及半导体器件的形成方法-CN201510053246.X有效
发明人：林静;禹国宾 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2015-02-02 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：一种掺杂多晶硅层的形成方法以及半导体器件的形成方法，其中掺杂多晶硅层的形成方法包括：向反应腔室内提供硅源气体、掺杂源气体以及中性原子源气体，形成掺杂多晶硅层，其中，所述掺杂源气体提供掺杂离子，所述中性原子源气体提供中性原子，且在形成掺杂多晶硅层的过程中，掺杂多晶硅层中的中性原子适于阻止掺杂离子凝聚，掺杂离子适于对硅原子具有吸附作用。本发明提高了形成的掺杂多晶硅层表面平坦度，避免在掺杂多晶硅层表面形成鼓包缺陷。
掺杂多晶形成方法以及半导体器件

[实用新型]IGBT模块用快恢复整流二极管-CN202023327304.9有效
发明人：崔峰敏 -专利权人：傲迪特半导体（南京）有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：本实用新型涉及IGBT模块用快恢复整流二极管，低掺杂的N型硅衬底上设有高掺杂P型硅基区，形成PN结，低掺杂的N型硅衬底呈圆角长方体状，所述N型硅衬底上有3个环形结构，外环为高掺杂N型硅环，高掺杂P型硅基区和外环高掺杂N型硅环中间有两个高掺杂P型硅基环，所述N型硅衬底、高掺杂P型硅基区、高掺杂P型硅基环和高掺杂N型硅环上沉积氮掺杂碳纳米层，所述P型硅基环顶端包裹在氮掺杂碳纳米层内。本实用新型的IGBT模块用快恢复整流二极管采用氮掺杂碳纳米层和三个环形结构，内环的硅基环顶端略陷入氮掺杂碳纳米层内降低有源区对基区的注入，增加和碳纳米层的接触面积，形成的二极管结构反向恢复时间短，性能稳定
igbt 模块恢复整流二极管

[实用新型]半导体器件-CN202121930118.6有效
发明人：叶长福;蔡亚萤;吕佐文;陈旋旋;上官明沁 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2021-08-17 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体器件，包括设置于所述基板表面内并延伸至所述基板内部的接触孔；覆盖所述接触孔内壁和所述基板上表面的硅晶种层；覆盖所述硅晶种层远离所述基板的表面的第一磷掺杂硅层；覆盖所述第一磷掺杂硅层远离所述硅晶种层的表面的第二磷掺杂硅层；其中，所述第二磷掺杂硅层的磷掺杂量不同于所述第一磷掺杂硅层的磷掺杂量；所述硅晶种层、所述第一磷掺杂硅层和所述第二磷掺杂硅层的总厚度大于或等于所述接触孔的深度；在所述接触孔位置处，所述第一磷掺杂硅层和所述第二磷掺杂硅层的界面处形成有至少一个空洞空洞位于第一磷掺杂硅层和第二磷掺杂硅层的界面处，使得在上述膜层图案化过程中，不会对上面的膜层产生影响。
半导体器件

[发明专利]晶体管制造方法-CN201210265042.9有效
发明人：赵猛 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-07-27 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种晶体管制造方法，在不增加器件尺寸的前提下，形成了掺杂的锗硅层-无掺杂的锗硅层或者掺杂的碳硅层-无掺杂的碳硅层的应变沟道区，一方面利用锗、碳与硅的不同晶格特点造成应变沟道区与其下方的半导体衬底的晶格失配，使得应变沟道区中产生应力；另一方面通过掺杂的锗硅层或掺杂的碳硅层作为反型层，无掺杂的锗硅层或无掺杂的碳硅层阻挡有掺杂的锗硅层或掺杂的碳硅层中的掺杂离子扩散，有效改善了短沟道效应，进而增大晶体管器件的载流子迁移率
晶体管制造方法

[实用新型]纵向双扩散金属氧化物场效应晶体管终端结构-CN201120391462.2有效
发明人：孙伟锋;祝靖;张龙;钱钦松;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2011-10-14 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种纵向双扩散金属氧化物场效应晶体管终端结构，包括：兼做漏区的N型重掺杂硅衬底，在N型重掺杂硅衬底的下表面设置有漏极金属，在N型重掺杂硅衬底的上表面设有N型掺杂硅外延层，在N型掺杂硅外延层上设有超结结构，所述的超结结构包括P型掺杂硅柱状区域和N型掺杂硅柱状区域，P型掺杂硅柱状区域和N型掺杂硅柱状区域交替排列，在所述的超结结构上设有二氧化硅层，其特征在于，在P型掺杂硅柱状区域顶部设有一排第一二氧化硅区域，在N型掺杂硅柱状区域顶部设有一排第二二氧化硅区域。
纵向扩散金属氧化物场效应晶体管终端结构

[发明专利]压电MEMS硅谐振器及其形成方法、电子设备-CN202110475600.3有效
发明人：张孟伦;杨清瑞;宫少波 -专利权人：广州乐仪投资有限公司
申请日： 2021-04-29 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种压电MEMS硅谐振器及其形成方法，以及电子设备。该压电MEMS硅谐振器包括：硅基底；下空腔，下空腔的顶平面高于或者低于基底的顶平面；位于下空腔之上的保留硅层；位于保留硅层之上的压电层和上电极。形成方法包括：提供硅基底；在硅基底之上依次形成牺牲硅层、保留硅层、压电层和上电极；开刻蚀窗，去除牺牲硅层以形成下空腔，其中，牺牲硅层为第二掺杂浓度P型掺杂的情况下，硅基底与保留硅层二者中之一为普通N型掺杂，二者中另一为第一掺杂浓度P型掺杂，或者，牺牲硅层为第二掺杂浓度N型掺杂的情况下，硅基底与保留硅层二者中之一为普通P型掺杂，二者中另一为第一掺杂浓度N型掺杂，所述第一掺杂浓度大于所述第二掺杂浓度。
压电 mems 谐振器及其形成方法电子设备

[实用新型]一种高压整流二极管-CN201520928435.2有效
发明人：崔峰敏 -专利权人：傲迪特半导体（南京）有限公司
申请日： 2015-11-20 - 公布日： 2016-08-03 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：一种高压整流二极管，硅晶片尺寸为3.3mm×3.3mm，厚度为252±15μm，低掺杂的N型硅衬底上设有高掺杂P型硅基区，形成PN结，所述低掺杂的N型硅衬底呈圆角正方体状，所述N型硅衬底上有3个环形结构，外环为高掺杂N型硅发射区，高掺杂P型硅基区和外环高掺杂N型硅发射区中间有高掺杂P型硅基双环结构，所述N型硅衬底、高掺杂P型硅基区、高掺杂P型硅基环和高掺杂N型硅发射区上有碳纳米管（CNT）层，所述碳纳米管（CNT）层、高掺杂P型硅基区和高掺杂N型硅发射区上沉积金属Al作为阳极，N型硅衬底的背面沉积金属Ag作为阴极，所述电极外设有保护膜。
一种高压整流二极管

[发明专利]太阳能电池的制备方法-CN201911253664.8在审
发明人：陈海燕;邓伟伟 -专利权人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团股份有限公司
申请日： 2019-12-09 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本申请提供一种太阳能电池的制备方法，包括在硅片的一侧表面制备隧穿层，再于所述隧穿层表面依次制备第一掺杂多晶硅层、第二掺杂多晶硅层，所述第一掺杂多晶硅层的掺杂浓度小于第二掺杂多晶硅层的掺杂浓度，并经后续退火得到掺杂多晶硅层本申请通过对掺杂多晶硅层的制备过程进行优化，先在靠近隧穿层的位置制备掺杂浓度较低的第一掺杂多晶硅层，再层叠制备掺杂浓度较高的第二掺杂多晶硅层，后续高温退火形成掺杂多晶硅层的过程中，能够减小对隧穿层钝化效果的影响
太阳能电池制备方法

[发明专利]一种太阳能电池的制备工艺-CN201811207806.2有效
发明人：陈孝业;蒋秀林 -专利权人：晶澳太阳能有限公司;晶澳（扬州）太阳能科技有限公司
申请日： 2018-10-17 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能电池的制备工艺，包括以下步骤：S1：在硅基体的至少一个表面上设置本征硅层；S2：在所述本征硅层上设置掺杂源层；S3：使与所述本征硅层预设区域对应位置处的所述掺杂源层的掺杂源分解出掺杂离子并使所述掺杂离子进入所述本征硅层的预设区域，在所述本征硅层的预设区域形成掺杂区域，同时在所述掺杂区域上形成有含掺杂源的氧化硅保护层；S4：去除所述本征硅层上设置有掺杂源层的未掺杂区域，在所述硅基体的至少一个表面上形成局部掺杂硅层。该工艺利用激光完成局部掺杂多晶硅层或非晶硅层，工艺简洁可行。
一种太阳能电池制备工艺

[发明专利]一种半导体器件及其制作方法-CN202211097989.3在审
发明人：彭志高;柴亚玲;顾子琨 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2022-09-08 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L29/49 文献下载
摘要：该半导体器件包括：衬底；位于衬底表面的外延层；位于外延层的远离衬底一侧的栅氧层；位于栅氧层的远离衬底一侧的第一掺杂多晶硅层；位于第一掺杂多晶硅层的远离衬底一侧的第二掺杂多晶硅层；位于第二掺杂多晶硅层的远离衬底一侧的第三掺杂多晶硅层；第一掺杂多晶硅层、第二掺杂多晶硅层和第三掺杂多晶硅层中的掺杂元素包括磷，栅氧层中包括掺杂元素，掺杂元素包括磷；其中，第二掺杂多晶硅层中磷元素的掺杂浓度大于第三掺杂多晶硅层中磷元素的掺杂浓度。本申请提供的半导体器件及其制作方法具有生长多晶硅层的速率更快的效果。
一种半导体器件及其制作方法

[发明专利]一种TOPCon电池及其制备方法-CN202310633834.5在审
发明人：金竹;毛卫平;杨阳;周晓炜;张明明;叶风;付少剑;潘利民 -专利权人：滁州捷泰新能源科技有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种TOPCon电池及其制备方法，属于TOPCon电池技术领域，包括单晶硅片，其背面从内到外依次设置有隧穿层、掺杂多晶硅层、背面减反射层和背面金属电极；掺杂多晶硅层为磷掺杂的多晶硅，包括第一掺杂多晶硅区域和第二掺杂多晶硅区域；第二掺杂多晶硅区域厚度、掺杂浓度均小于第一掺杂多晶硅区域。将掺杂多晶硅层分成两个区域，并分别对其厚度、掺杂浓度等进行设计，第一掺杂多晶硅区域具有较高掺杂浓度和厚度，既能避免浆料烧结过程隧穿氧化层被破坏，降低金属接触区复合电流，又能保证较低的金属接触电阻；第二掺杂多晶硅区域具有较低的掺杂浓度和厚度，能降低非金属区掺杂多晶硅的光寄生吸收，尤其是降低自由载流子吸收。
一种 topcon 电池及其制备方法