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[发明专利]背接触太阳能电池及其制备方法-CN202211056084.1在审
发明人：张东威;吴帅;李云朋;叶枫;方亮;徐希翔 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了背接触太阳能电池及其制备方法，背接触太阳能电池包括：半导体基底；隧穿氧化层和掺杂晶硅层，隧穿氧化层在第一区域上，掺杂晶硅层在隧穿氧化层的远离半导体基底的表面上；本征非晶硅层和掺杂非晶硅层，掺杂晶硅层与掺杂非晶硅层的导电类型相反，本征非晶硅层在第二区域上，并延伸在掺杂晶硅层的远离遂穿氧化层的部分表面上，掺杂非晶硅层在本征非晶硅层的远离半导体基底的表面上；隔离结构，隔离结构包括隔离层和隔离槽。本发明既增大了背接触太阳能电池的制备工艺窗口，降低了工艺难度，又提高了掺杂区的表面钝化效果，从而使太阳能电池的Eta、Uoc、FF均能达到与现有的HBC电池结构相当的水平。
接触太阳能电池及其制备方法

[实用新型]一种印刷金属电极的钝化太阳能电池-CN201822233558.0有效
发明人：林建伟;包杰;吴伟梁;刘志锋;陈嘉;吴兴华 -专利权人：泰州中来光电科技有限公司
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种印刷金属电极的钝化太阳能电池，包括N型晶体硅基体，所述N型晶体硅基体的背表面从内到外依次包括n+掺杂多晶硅层、背钝化减反射薄膜、n+金属电极；所述N型晶体硅基体靠近所述n+掺杂多晶硅层的一侧形成有掺杂多晶硅带尾层延长金属接触区域掺杂多晶硅层的带尾，增加掺杂原子在晶体硅中扩散的深度，降低金属接触区域的复合；保持非金属接触区域的掺杂多晶硅层带尾较浅，降低非金属接触区域的复合；工艺简单，第一区域和第二区域的n+掺杂多晶硅层通过一次掺杂即可完成
掺杂多晶硅层带尾钝化太阳能电池金属接触区域印刷金属电极非金属接触复合本实用新型掺杂多晶硅减反射薄膜掺杂原子第二区域第一区域电阻损失工艺过程金属电极金属接触开路电压一次掺杂转换效率背表面产业化晶体硅钝化电池扩散

[发明专利]钝化接触电池及其制备方法和钝化接触结构及其制备装置-CN202011052711.5在审
发明人：杜哲仁;马丽敏;陈嘉;季根华;乔振聪;林建伟 -专利权人：泰州中来光电科技有限公司
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：该制备方法包括：S1、对硅片进行预处理，以在硅片表面形成介质层；S2、将硅片放入设置有靶材的PVD工艺腔中，并在PVD工艺腔内通入气体，以在介质层上制备掺杂非晶硅层；其中，靶材的个数为n，n≥2，n个靶材中至多存在一个不含掺杂源的靶材，其余靶材均为含掺杂源靶材，每个含掺杂源靶材的掺杂源浓度各不相同；靶材从工艺腔的炉口到炉尾沿着硅片的前进方向依次排放；掺杂非晶硅层为至少包含两层掺杂非晶硅层的复合掺杂非晶硅层，两层掺杂非晶硅层的掺杂浓度不同；S3、对硅片进行退火处理，以激活掺杂非晶硅层，形成多晶硅层；S4、对硅片进行后处理，完成电池片的制备。
钝化接触电池及其制备方法结构装置

[发明专利]硅基电光调制器的补偿掺杂方法及其硅基电光调制器-CN202211396933.8在审
发明人：史弘康;方舟;李磊;张晓波;陈泽 -专利权人：希烽光电科技（南京）有限公司
申请日： 2022-11-09 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： G02B6/134 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基电光调制器的补偿掺杂方法，使用III‑V族元素离子垂直注入的方法进行主掺杂构造P‑N结，通过斜向离子注入的方式进行调制区补偿掺杂；本发明还公开一种硅基电光调制器，包括依次堆叠的硅衬底、隐埋氧化硅层、顶层硅波导调制区和顶层覆盖氧化硅层，顶层硅波导调制区的硅波导沿第一方向依次包括n型重掺杂区、n型主掺杂区、p型主掺杂区和p型重掺杂区，其中补偿掺杂后形成的n‑型轻掺杂区和p‑型轻掺杂区分别位于波导脊区两侧上方优点，波导调制区补偿掺杂降低此类硅基电光调制器的插入损耗，且不会明显影响调制器的调制效率；斜向离子注入显著减少制作掩膜和对准校正的次数，降低制作成本，减小对准误差，有助于提高器件的良率。
电光调制器补偿掺杂方法及其

[发明专利]一种硼掺杂发射极的制备方法-CN202210824735.0有效
发明人：全成;刘荣林;童卫红;杜哲仁;林建伟 -专利权人：泰州中来光电科技有限公司
申请日： 2022-07-14 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能电池技术领域，公开一种硼掺杂发射极的制备方法，包括：对n型硅片进行清洗和制绒处理；在硅片正面的绒面制备硼掺杂的非晶硅层；进行退火处理，以在硅片正面依次形成硼掺杂发射极和多晶硅层，再降温并通氧，使多晶硅层正面形成硼硅玻璃层，硅片背面形成二氧化硅层；去除二氧化硅层，抛光使硅片的背面形成平坦形貌；去除硼硅玻璃层和多晶硅层，以使硼掺杂发射极露出，且硼掺杂发射极的正表面的硼掺杂浓度不小于其硼掺杂浓度最大值的该方法将硼掺杂的非晶硅层作为硼掺杂发射极的掺杂源和牺牲层，实现区别于传统制备方法的硼掺杂ECV曲线，进而实现更低表面复合和更优界面金属电极接触，并实现更低的体区复合。
一种掺杂发射极制备方法

[发明专利]一种掺杂单晶硅的直拉生长方法及掺杂单晶硅-CN202210984351.5在审
发明人：王文华;杨东;赵鹏 -专利权人：银川隆基硅材料有限公司
申请日： 2022-08-16 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本申请提供了一种掺杂单晶硅的直拉生长及掺杂单晶硅，涉及太阳能光伏技术领域，其中，所述方法包括：在掺杂单晶硅处于等径生长阶段时，获取所述掺杂单晶硅的实际等径生长长度；根据所述实际等径生长长度，调整拉晶工艺参数本申请通过调整等径生长阶段的拉晶工艺参数，控制减小掺杂元素在掺杂单晶硅轴向浓度分布差异，提高单晶硅轴向电阻率均匀性。
一种掺杂单晶硅生长方法

[实用新型]硅异质结太阳电池-CN201720708354.0有效
发明人：王伟;田宏波;赵晓霞;王恩宇;宗军;李洋;杨瑞鹏;周永谋 -专利权人：国家电投集团科学技术研究院有限公司
申请日： 2017-06-16 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型公开了硅异质结太阳电池，该硅异质结太阳电池包括n型晶硅衬底；第一轻掺杂n型氢化非晶硅层；重掺杂p型氢化非晶硅发射极层；第一透明导电氧化物层；第二轻掺杂n型氢化非晶硅层；重掺杂n型氢化非晶硅背场层该硅异质结太阳电池采用轻掺杂的氢化非晶硅替代本征非晶硅作为钝化层，可以在保证良好的界面钝化作用的前提下，显著改善串联电阻，提高电池性能。
硅异质结太阳电池

[发明专利]一种异质结电池及其制备方法-CN202210550502.6在审
发明人：毛卫平;陈宇;王进;任明冲;张杜超;蔡涔;杨伯川 -专利权人：东方日升新能源股份有限公司
申请日： 2022-05-18 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结电池及其制备方法，属于异质结电池领域，包括晶体硅层，所述晶体硅层正面从内向外依次设置本征非晶硅层、第一掺杂非晶硅层、第一透明导电层、第一金属电极；所述晶体硅层背面从内向外依次设置第二掺杂非晶硅层、第二透明导电层、第二金属电极，所述晶体硅层背面与所述第二掺杂非晶硅层之间设置有超薄介质膜层和掺杂多晶硅层。本发明在晶体硅层背面设置超薄介质膜层与掺杂多晶硅层，非晶硅层沉积过程中，能避免翻片导致晶体硅层未镀膜面暴露于大气中或接触自动化传送部件，降低表面氧化或污染的影响。
一种异质结电池及其制备方法

[实用新型]一种异质结电池-CN202221215212.8有效
发明人：毛卫平;陈宇;王进;任明冲;张杜超;蔡涔;杨伯川 -专利权人：东方日升新能源股份有限公司
申请日： 2022-05-18 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种异质结电池，属于异质结电池领域，包括晶体硅层，所述晶体硅层正面从内向外依次设置本征非晶硅层、第一掺杂非晶硅层、第一透明导电层、第一金属电极；所述晶体硅层背面从内向外依次设置第二掺杂非晶硅层、第二透明导电层、第二金属电极，所述晶体硅层背面与所述第二掺杂非晶硅层之间设置有超薄介质膜层和掺杂多晶硅层。本实用新型在晶体硅层背面设置超薄介质膜层与掺杂多晶硅层，非晶硅层沉积过程中，能避免翻片导致晶体硅层未镀膜面暴露于大气中或接触自动化传送部件，降低表面氧化或污染的影响。
一种异质结电池

[发明专利]多晶硅薄膜太阳能电池及其制作方法-CN201210529896.3有效
发明人：杨瑞鹏;张开军;付建明;连春元 -专利权人：杭州赛昂电力有限公司
申请日： 2012-12-06 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种多晶硅薄膜太阳能电池及其制作方法，所述多晶硅薄膜太阳能电池的制作方法包括：提供基板；在所述基板的表面形成第一电极层；在所述第一电极层表面形成第一掺杂类型多晶硅层；在所述第一掺杂类型多晶硅层表面形成第二掺杂类型多晶硅层；在所述第二掺杂类型多晶硅层表面形成应力层，所述应力层的应力类型与第二掺杂类型多晶硅层的掺杂类型相对应；在所述应力层表面形成第二电极层。所述多晶硅薄膜太阳能电池的制作方法能够有效提高多晶硅薄膜太阳能电池的转换效率。
多晶薄膜太阳能电池及其制作方法

[实用新型]太阳能电池-CN202022978596.6有效
发明人：崔巍;李慧;吴坚;蒋方丹 -专利权人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团股份有限公司
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本申请提供了一种太阳能电池，包括硅基底、依次设置在所述硅基底表面的隧穿层与掺杂多晶硅层，所述掺杂多晶硅层的厚度设置为10～50nm；所述太阳能电池还包括设置在所述掺杂多晶硅层背离所述硅基底一侧表面上的氧化铝膜层本申请太阳能电池通过在掺杂多晶硅层表面设置一层氧化铝膜层，进而能够减小所述掺杂多晶硅层的厚度，降低吸光损失；且所述掺杂多晶硅层的制备时间也得以缩减，提高设备产能。
太阳能电池

[发明专利]一种超薄结晶硅薄膜太阳电池及其制备方法-CN201110050956.9有效
发明人：于洪宇;栗军帅 -专利权人：于洪宇;栗军帅;迟海滨
申请日： 2011-03-03 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种超薄结晶硅薄膜太阳电池及其制备方法，所述超薄结晶硅薄膜太阳电池由下而上依次包括衬底、底层掺杂结晶硅层、本征结晶硅层、纳米硅结构光吸收层、顶层掺杂结晶硅层、透明顶电极。所述超薄结晶硅薄膜太阳电池的制备步骤包括：在衬底上沉积底层掺杂结晶硅层；在上述制备的底层掺杂结晶硅层上沉积本征结晶硅层；在上述制备的本征结晶硅层上制备纳米硅结构光吸收层；在上述制备的纳米硅结构光吸收层表面沉积顶层掺杂结晶硅层；将透明顶电极覆盖于在上述顶层掺杂结晶硅层上。本发明在不额外增加抗反射层的前提下，利用纳米硅结构光吸收层提高光吸收和光生载流子收集的效率，从而提高超薄结晶硅薄膜太阳电池的光电转换效率。
一种超薄结晶薄膜太阳电池及其制备方法

[发明专利]一种感光二极管及其CMOS图像传感器-CN201510503639.6在审
发明人：李世彬;陈乐毅;李杭倩;王美娟;张鹏;蒋亚东 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2015-08-17 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： H01L31/102 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种感光二极管，包括第一掺杂区、第二掺杂区和第三掺杂区，第二掺杂区位于第一掺杂区和第三掺杂区之间，第一掺杂区和第三掺杂区的掺杂类型相反，第二掺杂区的掺杂浓度小于第一掺杂区和第三掺杂区的掺杂浓度，第三掺杂区上形成有黑硅层，该黑硅层为感光二极管的感光区域。本发明的实施例中，感光二极管中使用黑硅层作为感光区域，黒硅层对可见-近红外光的吸收率能达到近100%，大大提高了感光二极管对光的吸收率和灵敏度，并且结构简单。
一种感光二极管及其 cmos 图像传感器

[发明专利]多晶硅层掺杂的方法-CN200910055939.7有效
发明人：刘金华 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-08-05 - 公布日： 2011-03-23 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅层掺杂的方法，在衬底上形成N阱、隔离区和P阱，并在衬底表面沉积栅氧化层和多晶硅层后，该方法包括：采用离子注入工艺对P阱上方和N阱上方的多晶硅层进行掺杂，且所掺杂的离子类型为P型元素；在N阱上方的多晶硅层上施加掩膜，并采用离子注入工艺对P阱上方的多晶硅层进行掺杂，且所掺杂的离子类型为N型元素，N型元素的剂量大于所掺杂的P型元素的剂量。采用该方法能够简化多晶硅层掺杂的工艺流程。
多晶掺杂方法

[发明专利]一种掺杂结构的制作方法、太阳能电池及其组件、系统-CN202210973963.4在审
发明人：林文杰;邱开富;王永谦;陈刚 -专利权人：浙江爱旭太阳能科技有限公司;珠海富山爱旭太阳能科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请适用于太阳能电池技术领域，提供了一种掺杂结构的制作方法、太阳能电池及其组件、系统。掺杂结构的制作方法包括：在硅衬底上制备掺杂层，作为掺杂源；利用激光进行掺杂，在硅衬底形成掺杂结构。如此，由于将掺杂层作为掺杂源并利用激光进行掺杂以形成掺杂结构，故不需要额外的高温工艺，可以提高硅衬底的少子寿命，大大简化工艺和降低成本。
一种掺杂结构制作方法太阳能电池及其组件系统