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[发明专利]半导体器件及其制备方法-CN202311037731.9在审
发明人：黄鑫;陈旋旋;袁梦洁;吴家伟 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2023-08-17 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件，包括衬底、位于衬底上的源极结构、位于源极结构上的漏极结构、贯穿漏极结构并延伸至源极结构内的通道孔、覆盖通道孔的内壁上露出的源极结构和/或漏极结构的金属硅化物层、覆盖通道孔的内壁及金属硅化物层的通道层以及位于通道层上并填充通道孔的栅极结构。栅极结构可作为闸极，并由通道层环绕在栅极结构的外侧壁上，通道层作为闸极通道，在缩小器件几何尺寸的基础上能够保证器件的性能。金属硅化物层可以降低漏极结构和/或源极结构与通道层之间的肖特基势垒，从而进一步提高器件的性能。相应的，本发明还提供了该半导体器件的制备方法。
半导体器件及其制备方法

[发明专利]一种用于气压检测的气囊、气囊控制系统及方法-CN201711476753.X有效
发明人：李建国;张海建;姜士伟;刘伯锋;陈旋旋;佟文旭;徐华琛;廖香成;王大文;薛耀辉 -专利权人：上海邦邦机器人有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G01L11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于气压检测的气囊、气囊控制系统及方法，气囊包括：内部设有腔体的气囊本体；气囊本体设有用于检测腔体内气压的压力传感器；气囊本体与气泵连通；气囊本体设有导通或封闭大气环境的第一阀门。气囊控制系统包括：控制器、气囊和气泵；气囊包括：内部设有腔体的气囊本体；气囊本体设有用于检测腔体内气压的压力传感器；气囊本体与气泵连通；气囊本体设有导通或封闭大气环境的第一阀门；控制器，分别与压力传感器、第一阀门和气泵连接。本发明通过对每个气囊设置压力传感器，能够提升气压参数的检测的精确度和测量可靠性，根据比较结果调节每个气囊的气压，便于有效、高效的控制气囊，提升充/放气的效率。
一种用于气压检测气囊控制系统方法

[发明专利]半导体器件的形成方法-CN202310369444.1在审
发明人：黄友杰;叶长福;上官明沁;陈旋旋 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2023-04-07 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本申请公开一种半导体器件的形成方法，包括：形成牺牲层，设置在衬底上；进行第一蚀刻工艺，移除部分牺牲层，形成多个第一凹槽；形成第一介质层；进行第二蚀刻工艺，移除多个第一凹槽外的所述第一介质层，形成第一隔离结构，所述第一隔离结构中存在缝隙；进行第三蚀刻工艺，刻蚀所述多个第一隔离结构，以去除所述多个第一隔离结构顶端的部分介质材料，暴露所述缝隙；形成第二介质层，覆盖所述多个第一隔离结构和所述牺牲层，所述第二介质层填充各个所述缝隙的至少部分空间；进行第四蚀刻工艺，移除所述第二介质层的顶部，直至暴露所述牺牲层，形成第二隔离结构。本申请能够使隔离结构中的缝隙得到消除或者有效减小，具有更稳定的性能。
半导体器件形成方法

[发明专利]半导体器件的制备方法及半导体器件-CN202110943002.4有效
发明人：叶长福;蔡亚萤;吕佐文;陈旋旋;上官明沁 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2021-08-17 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体器件的制备方法及半导体器件，该制备方法包括将所述反应腔室加热至第二预设温度，在所述硅晶种层上方形成第一磷掺杂硅层；将所述反应腔室加热至第三预设温度，在所述第一磷掺杂硅层上方形成第二磷掺杂硅层；其中，所述第二磷掺杂硅层的磷掺杂量不同于所述第一磷掺杂硅层的磷掺杂量，所述硅晶种层、所述第一磷掺杂硅层和所述第二磷掺杂硅层的总厚度大于或等于所述接触孔的深度。位线插塞的半导体层的应力变化和尺寸收缩得到控制，半导体层的平坦度大大提升，这样形成的空洞尺寸较小，且沿靠近基板的方向移动，即使在半导体层平坦化减薄之后，空洞也不会对上面的膜层产生影响。
半导体器件制备方法

[实用新型]存储器件-CN202221913780.5有效
发明人： 陈旋旋;上官明沁;叶长福;吕佐文 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2022-07-22 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种存储器件。存储器件包括基底、多个沟槽、氧化物半导体层、栅极介电层和多个字线结构。基底包括多个有源区与位于有源区之间的隔离结构，且有源区含有硅。多个沟槽设置在有源区与隔离结构中。氧化物半导体层共形地设置在各沟槽中，而栅极介电层设置在该氧化物半导体层上且位于各沟槽中。多个字线结构设置在栅极介电层上且分别位于多个沟槽中，且栅极介电层的至少一部分设置在氧化物半导体层与各字线结构之间。存储器件的制造方法包括形成多个沟槽，在各沟槽中共形地形成氧化物半导体层，在氧化物半导体层上形成栅极介电层，在栅极介电层上形成多个字线结构。如此，可达到改善存储器件操作表现的效果。
存储器件

[外观设计]枪座绕线器-CN202230820868.1有效
发明人：黄志明;陈旋旋 -专利权人：上海挚达科技发展股份有限公司
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： 08-99 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：枪座绕线器。2.本外观设计产品的用途：用于新能源汽车充电枪挂枪、绕线等。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
枪座绕线器

[发明专利]一种可自动调节的脚踏板、及脚踏板的自动调节方法-CN201711476752.5有效
发明人：李建国;刘伯锋;张海建;姜士伟;陈旋旋;佟文旭;徐华琛;廖香成;王大文;薛耀辉 -专利权人：上海邦邦机器人有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： A63B23/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种可自动调节的脚踏板，包括脚踏底板，还包括：沿预设方向相对设置在脚踏底板上的用于固定脚的第一挡板及第二挡板；第一挡板和第二挡板之中至少一个为可滑动挡板；脚踏板还包括：用于驱动可滑动挡板于预设方向移动的驱动机构、脚部位置测量装置及中央处理器；中央处理器分别与脚部位置测量装置及驱动机构电连接。此外，本发明还公开了一种脚踏板的自动调节方法。本发明的脚踏板可以根据不同用户的脚的大小自动调节可滑动挡板的位置，无需手动去调节，从而起到固定用户脚部的作用，避免滑动造成的意外。
一种自动调节脚踏板方法

[外观设计]粉底刷外壳-CN202230676500.2有效
发明人： 陈旋旋;张富荣;陈志强 -专利权人：中山尚洋科技股份有限公司
申请日： 2022-10-13 - 公布日： 2023-02-21 - 主分类号： 04-02 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：粉底刷外壳。2.本外观设计产品的用途：用于粉底刷的外壳。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
粉底外壳

[实用新型]半导体器件和存储器-CN202221110832.5有效
发明人：黄鑫;吴家伟;叶长福;童宇诚;陈旋旋;吕佐文 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2022-05-09 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本申请公开一种半导体器件和存储器，其中半导体器件包括：衬底，所述衬底内设有导电插塞，所述衬底包括沟槽，所述沟槽暴露至少部分所述导电插塞；互连接触结构，位于所述沟槽暴露的导电插塞表面，以为所述导电插塞提供互连接触面。本申请能够降低半导体器件中对应互连接触结构的电阻率，提高互连接触结构的导电性能。
半导体器件存储器

[发明专利]存储器件以及其制造方法-CN202210866481.9在审
发明人： 陈旋旋;上官明沁;叶长福;吕佐文 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2022-07-22 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储器件以及其制造方法。存储器件包括基底、多个沟槽、氧化物半导体层、栅极介电层和多个字线结构。基底包括多个有源区与位于有源区之间的隔离结构，且有源区含有硅。多个沟槽设置在有源区与隔离结构中。氧化物半导体层共形地设置在各沟槽中，而栅极介电层设置在该氧化物半导体层上且位于各沟槽中。多个字线结构设置在栅极介电层上且分别位于多个沟槽中，且栅极介电层的至少一部分设置在氧化物半导体层与各字线结构之间。存储器件的制造方法包括形成多个沟槽，在各沟槽中共形地形成氧化物半导体层，在氧化物半导体层上形成栅极介电层，在栅极介电层上形成多个字线结构。如此，可达到改善存储器件操作表现的效果。
存储器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202210501518.8在审
发明人：黄鑫;吴家伟;叶长福;童宇诚;陈旋旋;吕佐文 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2022-05-09 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请公开一种半导体器件及其形成方法，包括：提供衬底，所述衬底内设有导电插塞，所述衬底包括沟槽，所述沟槽暴露至少部分所述导电插塞；在所述沟槽内的导电插塞顶部形成金属层；进行退火工艺处理，所述导电插塞顶部的金属层形成金属硅化物；对所述金属硅化物进行减氧处理，以减少所述金属硅化物中的金属氧化物；去除减氧处理后剩余的金属层。本申请能够降低半导体器件中对应互连接触结构的电阻率，提高互连接触结构的导电性能。
半导体器件及其形成方法

[实用新型]一种塑胶件包胶成型用治具-CN202123233050.9有效
发明人：潘雷;陈旋旋;于赢浩 -专利权人：苏州友隆橡塑精密制造有限公司
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： B29C33/44 文献下载
摘要：本实用新型涉及包胶辅助模具领域，具体是一种塑胶件包胶成型用治具，包括中模板和下底座；所述下底座设置于中模板的下方，所述中模板上方设置有摆料治具，所述摆料治具内部设置有挡板，且摆料治具顶端两侧安装有提手；所述下底座上方设置有顶出治具，且顶出治具顶端设置有多组顶出件；所述顶出治具与下底座之间设置有固定机构，所述固定机构包括下模板、装配板和稳定杆，所述下模板安装于下底座的上表面，所述装配板安装于顶出治具的下表面；通过固定机构的设计，以便于将顶出治具和下模板之间进行固定，同时可将其进行分离操作，提高了拆装便捷性的同时，确保了装置整体的使用效果。
一种塑胶件包胶成型用治具

[实用新型]一种基电池片可调节背铝自动注浆新型导流管-CN202122243245.5有效
发明人： 陈旋旋 -专利权人：天合光能（宿迁）光电有限公司
申请日： 2021-09-15 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： B41F15/40 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基电池片可调节背铝自动注浆新型导流管，涉及设备配件技术领域，包括流出管道，所述流出管道的背面固定连接有暂存箱，所述暂存箱的顶部固定连接有导流管，所述导流管的侧面固定连接有固定装置，所述流出管道包括管道外壳，所述管道外壳的背面与暂存箱的正面固定连接。本实用新型通过二号电机带动转动杆转动，从而使齿轮转动，齿轮的转动与齿牙不断啮合从而带动环块进行旋转，解决了现有丝网二号机铝浆自动加浆机导流管为单点注出，易造成网板两侧浆料不均，导致虚印及缺失等印刷不良，同时注浆工程中，注浆液较为粘稠，导致部分浆液容易在流出管道出现浆液残留的问题，达到了提高注浆工作效率的效果。
一种电池调节自动新型导流

[实用新型]半导体存储装置-CN202123011925.0有效
发明人：叶长福;陈旋旋;上官明沁;冯立伟 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2021-12-01 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本申请公开一种本半导体存储装置，来优化最终生产的存储装置的电性。本申请提供的一种半导体存储装置包括：衬底，上表面形成有接触窗，内部形成有有源区，所述有源区暴露于所述接触窗；阻挡层，位于所述衬底上表面；衬垫，位于所述接触窗内，上表面高于所述阻挡层的上表面，且所述衬垫并与所述接触窗暴露的有源区相接触，且所述衬垫至少包括第一材料层，所述第二材料层的最下表面低于所述第一材料层的最上表面。
半导体存储装置

[发明专利]半导体存储器结构及制备方法-CN202210307627.6在审
发明人：叶长福;陈旋旋;吕佐文 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2022-03-25 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L27/11568 文献下载
摘要：本申请公开一种半导体存储器结构及制备方法，能够减小位线栅极的电荷造成半导体存储器结构电性毁损的几率。所述半导体存储器结构的制备方法包括以下步骤：提供衬底，所述衬底表面形成有多个接触窗，所述接触窗内形成有堆叠结构，且所述堆叠结构的上表面高于所述衬底的上表面；对所述堆叠结构的侧壁表面进行氮化处理；在所述堆叠结构的侧壁表面形成第一侧墙；对所述第一侧墙进行氧化处理。
半导体存储器结构制备方法

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