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[发明专利]一种晶体管及其制作方法-CN201810927553.X有效
发明人：梅小杰;李龙;杨东;邹荣涛;杜永琴 -专利权人：深圳市金誉半导体有限公司
申请日： 2018-08-15 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶体管及其制作方法，所述述方法包括：提供第一导电类型的衬底，在所述衬底上方生长外延层；在所述外延层内形成沟槽，所述沟槽贯穿所述外延层与所述衬底连接，所述沟槽在平行于所述衬底表面的方向上以非直线的形状延伸；在所述沟槽侧壁上形成侧墙；在所述沟槽内形成第二导电类型的发射区；除去所述侧墙，形成基区沟槽；在所述基区沟槽内形成第一导电类型的基区。通过上述方法形成的晶体管成本低，且放大系数高。
一种晶体管及其制作方法

[实用新型]一种半导体芯片测试板卡-CN202022827929.5有效
发明人：林河北;梅小杰;杨东霓;杜永琴;黄寅财 -专利权人：深圳市金誉半导体股份有限公司
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种半导体芯片测试板卡，用于对测试集成电路封装件进行电性测试，包括：测试电路板和测试座，所述测试座包括第一接合单元、第二接合单元和绝缘支座，所述绝缘支座设有插接孔，所述第一接合单元围绕所述插接孔内侧布设，所述第二接合单元设于所述插接孔中心位置处。通过将测试座设置为第一接合单元和第二接合单元的结构，第一接合单元围绕所述插接孔能够内侧布设，第二接合单元设于插接孔中心位置处，能够有效的测试专用的集成电路封装件，同时对具有散热片的封装件进行有效的测试，结构简单，制造方便，成本低。
一种半导体芯片测试板卡

[实用新型]一种半导体芯片测试装置-CN202022845274.4有效
发明人：梅小杰;林河北;杨东霓;杜永琴;沈元信 -专利权人：深圳市金誉半导体股份有限公司
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种半导体芯片测试装置，用于对测试集成电路封装件进行电性测试，包括：测试电路板和测试座，所述测试座插接有至少两个接合单元，所述接合单元包括两个叠合设置的导电弹片，所述导电弹片包括依次连接的第一部、第二部和第三部，两个所述导电弹片的第二部和第三部分别重叠设置，且重叠部分通过绝缘层隔绝，两个所述第一部交错设置，所述第一部接合所述集成电路封装件，所述第三部接合所述测试电路板。通过将测试装置设置为多个接合单元的结构，其拆装方便，部件损坏时能够及时替换，其测试成本低。
一种半导体芯片测试装置

[发明专利]一种低电容静电防护芯片器件及其制备方法-CN202010968802.7有效
发明人：林河北;胡慧雄;覃尚育;杨东霓;杜永琴 -专利权人：深圳市金誉半导体股份有限公司
申请日： 2020-09-15 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种低电容静电防护芯片器件及其制备方法，所述器件包括N型衬底、P型离子注入区、N型注入区、金属层及二氧化硅层，器件制备步骤包括采用热氧化法制备氧化硅层、干法刻蚀形成沟槽、沟槽内填充二氧化硅、去除两沟槽间的二氧化硅层、注入P型离子形成P型离子注入区、热扩散形成结深、注入N型离子形成N型离子注入区、注入氧离子形成氧离子注入区、热退火形成二氧化硅层等步骤。本发明通过简单控制结深和N型注入区距离可以调整击穿电压，注入和热扩散工艺降低了界面缺陷，工艺简单，降低了制造成本，减少了PN结面积，降低了寄生电容，提升了器件开关速度，更适合在高频环境下应用。
一种电容静电防护芯片器件及其制备方法

[发明专利]高频三极管的制作方法-CN201711486060.9有效
发明人：覃尚育;胡慧雄;黄寅财;邓林波;杜永琴 -专利权人：深圳市金誉半导体股份有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明涉及一种高频三极管的制作方法。所述制作方法包括以下步骤：提供N型外延层，在N型外延层依序形成P型多晶硅与TEOS介质层；对TEOS介质层及P型多晶硅进行刻蚀，从而形成贯穿TEOS介质层及P型多晶硅并延伸至N型外延层中的发射区沟槽；在P型多晶硅底部的N型外延层表面形成P型扩散区；利用发射区沟槽对发射区沟槽的一侧的侧壁及底部进行第一次离子注入，第一次离子注入的方向相对于发射区沟槽一侧的侧壁是倾斜的；利用发射区沟槽对发射区沟槽的另一侧的侧壁及底部进行第二次离子注入，第二次离子注入的方向相对于发射区沟槽一侧的侧壁是倾斜的；利用发射区沟槽对发射区沟槽的底部进行第三次离子注入，形成位于发射区沟槽底部及侧壁的发射结。
高频三极管制作方法

[实用新型]一种堆叠式封装结构-CN202021975407.3有效
发明人：梅小杰;张泽清;杜永琴 -专利权人：深圳市金誉半导体股份有限公司
申请日： 2020-09-10 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种堆叠式封装结构，包括依次层叠设置的基板、第一芯片、第一粘接层、第二芯片、第二粘接层、第三芯片和第三粘接层，所述基板上设有第一焊接件、第二焊接件和第三焊接件，所述第一芯片与所述第一焊接件电连接，所述第二芯片与所述第二焊接件电连接，所述第三芯片与所述第三焊接件电连接，所述第二芯片与所述第一粘接层交错设置，所述第三芯片与所述第一芯片的中心在竖直方向上的投影重合。通过将第一芯片、第二芯片和第三芯片交替设置，并在芯片之间设置黏胶层，既能避免芯片打线时断裂的风险，同时也能缩小封装体积。
一种堆叠封装结构

[发明专利]一种半导体芯片测试板卡-CN202011373381.X在审
发明人：林河北;梅小杰;杨东霓;杜永琴;黄寅财 -专利权人：深圳市金誉半导体股份有限公司
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体芯片测试板卡，用于对测试集成电路封装件进行电性测试，包括：测试电路板和测试座，所述测试座包括第一接合单元、第二接合单元和绝缘支座，所述绝缘支座设有插接孔，所述第一接合单元围绕所述插接孔内侧布设，所述第二接合单元设于所述插接孔中心位置处。通过将测试座设置为第一接合单元和第二接合单元的结构，第一接合单元围绕所述差接口能够内侧布设，第二接合单元设于插接孔中心位置处，能够有效的测试专用的集成电路封装件，同时对具有散热片的封装件进行有效的测试，结构简单，制造方便，成本低。
一种半导体芯片测试板卡

[发明专利]一种半导体芯片测试装置-CN202011373396.6在审
发明人：梅小杰;林河北;杨东霓;杜永琴;沈元信 -专利权人：深圳市金誉半导体股份有限公司
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体芯片测试装置，用于对测试集成电路封装件进行电性测试，包括：测试电路板和测试座，所述测试座插接有至少两个接合单元，所述接合单元包括两个叠合设置的导电弹片，所述导电弹片包括依次连接的第一部、第二部和第三部，两个所述导电弹片的第二部和第三部分别重叠设置，且重叠部分通过绝缘层隔绝，两个所述第一部交错设置，所述第一部接合所述集成电路封装件，所述第三部接合所述测试电路板。通过将测试装置设置为多个接合单元的结构，其拆装方便，部件损坏时能够及时替换，其测试成本低。
一种半导体芯片测试装置

[发明专利]高压快恢复PIN二极管及其制造方法-CN201710571853.4有效
发明人：杨东;林河北;郑方伟;李龙;杜永琴 -专利权人：深圳市金誉半导体有限公司
申请日： 2017-07-13 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明公开了本发明提供一种高压快恢复PIN二极管及其制备方法，该PIN二极管包括：N型衬底；N型外延层，形成于所述N型衬底表面；若干P型注入区，由所述N形外延层表面向内延伸；若干P+注入区，每一P+注入区形成于对应一P型注入区；P‑注入层，形成于所述N型外延层表面；两金属层，配置在N型衬底底部、P‑注入层表面，形成电极。本发明在现有PIN二级管的基础上进行改进，在常规结构的P型注入层下增加P/P+注入区域，两个P型之间的区域作为主要导电通道。和常规结构相比，提高器件击穿电压，减小漏电。在相同击穿电压的情况下，新结构的P型区域浓度比传统结构低，能够降低正向压降。
高压恢复 pin 二极管及其制造方法

[实用新型]一种功率沟槽式MOS场效应管-CN201921230126.2有效
发明人：梅小杰;林河北;杜永琴 -专利权人：深圳市金誉半导体股份有限公司
申请日： 2019-07-30 - 公布日： 2020-02-18 - 主分类号： H01L23/02 文献下载
摘要：本实用新型属于MOS场效应管技术领域，且公开了一种功率沟槽式MOS场效应管，包括MOS场效应管本体以及罩设于MOS场效应管本体外部的外壳，所述外壳由顶盖和底座组成，所述MOS场效应管本体嵌设于底座的顶端，所述底座的顶部卡接有顶盖，所述顶盖底端的四个拐角处均固定有插杆，且四个插杆内部的中间位置处均开设有锁紧槽，所述底座顶端的四个拐角处均开设有与插杆相对应的插槽，且插槽的内部底部固定有弹簧，所述弹簧的顶端连接有推板，本实用新型采用了插拔式结构，通过插杆、插槽、锁紧杆的设置，实现效应管能够快速拆装，大大地降低了效应管的拆装难度，提高了效应管的拆装效率，有利于效应管的维护和检修，从而提高效应管的维修效率。
一种功率沟槽 mos 场效应

[实用新型]一种晶体管-CN201821312696.1有效
发明人：梅小杰;李龙;杨东;邹荣涛;杜永琴 -专利权人：深圳市金誉半导体有限公司
申请日： 2018-08-15 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种晶体管，所述晶体管包括：第一导电类型的衬底；第二导电类型的外延层，生长在所述衬底上方；第二导电类型的发射区，所述发射区贯穿所述外延层与所述衬底连接，所述发射区在平行于所述衬底表面的方向上以非直线的形状延伸；及第一导电类型的基区，所述基区贯穿所述外延层与所述衬底连接，且所述基区位于所述发射区的一侧并沿着所述发射区在平行于所述衬底表面的方向上以非直线的形状延伸。上述晶体管成本低，且放大系数高。
发射区晶体管衬底外延层基区第一导电类型衬底表面导电类型非直线平行本实用新型放大系数贯穿延伸生长

[实用新型]一种功率器件-CN201821312623.2有效
发明人：覃尚育;胡慧雄;黄寅财;邓林波;杜永琴 -专利权人：深圳市金誉半导体有限公司
申请日： 2018-08-15 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种功率器件，其包括芯片、形成在所述芯片上的金属层、形成在所述金属层上的钝化层、封装层、传感器和引线，所述钝化层上开设有传感器窗口和多个打线窗口，所述传感器设置于所述传感器窗口内且与所述金属层电连接，所述封装层包括形成在所述钝化层、所述打线窗口上的防水层和形成在所述传感器窗口上且覆盖所述传感器的聚酰亚胺层，所述引线穿过所述防水层与所述金属层电性连接在所述打线窗口内。其能保护功率器件上的传感器免受损伤。
传感器功率器件钝化层打线防水层封装层金属层芯片本实用新型传感器设置金属层电性聚酰亚胺层金属层电损伤穿过覆盖

[实用新型]一种晶体管-CN201821312403.X有效
发明人：林河北;凌浩;谭丽娟;杜永琴 -专利权人：深圳市金誉半导体有限公司
申请日： 2018-08-15 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体技术领域，具体涉及一种新型半导体晶体管，所述晶体管包括：衬底，所述衬底上设有一源区、一漏区以及连通所述源漏区的沟道区；一栅极结构，所述栅极结构是垂直结构，在晶体管开启时，源极的电子，顺着体内垂直多晶硅栅的两侧向漏极流动，从而实现其沟槽侧壁成为多条导电沟道的目的，本实用新型相比较传统的平面型晶体管结构具有更低的导通电阻，更高的电流驱动能力。
晶体管本实用新型栅极结构衬底半导体技术领域电流驱动能力平面型晶体管晶体管开启新型半导体垂直结构导电沟道导通电阻多晶硅栅沟槽侧壁传统的沟道区源漏区漏极漏区源极源区连通垂直体内流动

[发明专利]一种功率器件及其封装方法-CN201810927545.5在审
发明人：覃尚育;胡慧雄;黄寅财;邓林波;杜永琴 -专利权人：深圳市金誉半导体有限公司
申请日： 2018-08-15 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率器件，其包括芯片、形成在所述芯片上的金属层、形成在所述金属层上的钝化层、封装层、传感器和引线，所述钝化层上开设有传感器窗口和多个打线窗口，所述传感器设置于所述传感器窗口内且与所述金属层电连接，所述封装层包括形成在所述钝化层、所述打线窗口上的防水层和形成在所述传感器窗口上且覆盖所述传感器的聚酰亚胺层，所述引线穿过所述防水层与所述金属层电性连接在所述打线窗口内。还公开了一种功率器件的封装方法。其能保护功率器件上的传感器免受损伤。
传感器功率器件钝化层打线防水层封装层金属层封装芯片传感器设置金属层电性聚酰亚胺层金属层电损伤穿过覆盖

[发明专利]一种晶体管及其制作方法-CN201810927781.7在审
发明人：林河北;凌浩;谭丽娟;杜永琴 -专利权人：深圳市金誉半导体有限公司
申请日： 2018-08-15 - 公布日： 2018-12-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种新型半导体晶体管及其制造方法，所述晶体管包括：衬底，所述衬底上设有一源区、一漏区以及连通所述源漏区的沟道区；一栅极结构，所述栅极结构是垂直结构，在晶体管开启时，源极的电子，顺着体内垂直多晶硅栅的两侧向漏极流动，从而实现其沟槽侧壁成为多条导电沟道的目的，本发明相比较传统的平面型晶体管结构具有更低的导通电阻，更高的电流驱动能力。
晶体管栅极结构衬底半导体技术领域电流驱动能力平面型晶体管晶体管开启新型半导体垂直结构导电沟道导通电阻多晶硅栅沟槽侧壁传统的沟道区源漏区漏极漏区源极源区连通垂直体内流动制作制造

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