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[发明专利]一种移动式伸缩防护棚-CN202311033685.5在审
发明人：吴龙;时卫华;严波;夏宇飞;刘蔚;金益;颜飞;宋玉风;史陆兵;黄筑曦;邵宜芸;刘洋;俞刚;施晓荣;赵宏伟;王刚;严东;张华;朱鹏飞;董亦晨;陈立 -专利权人：苏州建鑫建设集团有限公司
申请日： 2023-08-16 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： E04B1/343 文献下载
摘要：本申请涉及一种移动式伸缩防护棚，涉及防护棚的领域，其包括安装架与遮挡布，安装架包括第一支撑梁架、第二支撑梁架、第三支撑梁架与若干伸缩铰接杆，第一支撑梁架、第二支撑梁架与第三支撑梁架之间通过伸缩铰接杆滑动连接，遮挡布铺设于安装架外壁，遮挡布外壁设置有与第一支撑梁架对应的第一连接板，遮挡布外壁设置有与第二支撑梁架对应的第二连接板，遮挡布外壁设置有与第三支撑梁架对应的第三连接板，第二连接板设置有支撑框支撑框中设置有加强布，第二连接板处设置有驱动加强布移动的升降组件，第三连接板处设置有驱动加强布展开的抻开组件。本申请具有减少遮挡布在伸缩防护棚未使用时收到外界环境损坏的效果。
一种移动式伸缩防护

[发明专利]一种升降式移动操作平台-CN202310930275.4在审
发明人：吴龙;时卫华;严波;夏宇飞;刘蔚;金益;颜飞;宋玉风;史陆兵;黄筑曦;邵宜芸;刘洋;俞刚;施晓荣;赵宏伟;王刚;严东;张华;朱鹏飞;董亦晨;陈立 -专利权人：苏州建鑫建设集团有限公司
申请日： 2023-07-27 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： E04G1/18 文献下载
摘要：本申请提供了一种升降式移动操作平台，涉及操作平台领域。其包括：基板以及设置于基板上的移动组件，所述基板的顶壁固定设置有两组支撑杆，两组所述支撑杆之间设置有平台板，且所述平台板与两组所述支撑杆之间设置有升降组件，所述升降组件包括：连接部和升降部。本申请具有施工方便的效果。
一种升降移动操作平台

[实用新型]智能漏电断路器-CN202022447199.6有效
发明人： 施晓荣 -专利权人：浙江正京电气有限公司
申请日： 2021-06-03 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H02H3/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及智能漏电断路器，包括壳体，所述壳体包括安装壳和固定壳、所述安装壳内设有设有输入端组件、脱扣组件、检测模块、输出端组件，所述固定壳远离安装壳的一端连接固定有照明组件；所述脱扣组件包括脱扣开关、脱扣线圈、电流信号放大器及脱扣线圈驱动电路、电流互感器；检测模块分别与脱扣组件相适配，脱扣组件和输出端组件之间设有灭弧室；所述照明组件包括照明壳、连接件、连接绳、以及放置于照明壳内并电连接的抽拉式开关、控制芯片、电源、LED灯和喇叭；由于采用了上述技术方案，智能漏电断路器，在断零或缺相的状态下自动断开电路并提醒，有效的避免电网和用电设备的安全。
智能漏电断路器

[发明专利]沟槽形栅极的金属-绝缘体-硅器件的结构和制造方法-CN201010270010.9有效
发明人：阿纳普·巴拉;多曼·皮泽尔;杰克·科雷克;施晓荣;西克·路伊 -专利权人：西利康尼克斯股份有限公司
申请日： 2003-03-24 - 公布日： 2011-02-23 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：在一种沟槽栅极型MIS器件中，在沟槽中形成与栅极的接触，从而消除了使栅极材料，通常为多晶硅，延伸至沟槽外的需要。这避免了沟槽上角的应力问题。栅极金属与多晶硅之间的接触通常在位于器件的有源区之外的栅极金属区中形成。描述了各种用于形成栅极金属与多晶硅之间的接触配置，包括其中沟槽在接触区中展宽的实施例。由于多晶硅回刻蚀至比整个器件的硅的表面低，通常不再需要多晶硅掩模，从而节省了制造成本。
沟槽栅极金属绝缘体器件结构制造方法

[发明专利]沟槽形栅极的金属－绝缘体－硅器件的结构和制造方法-CN200810149203.1有效
发明人：阿纳普·巴拉;多曼·皮泽尔;杰克·科雷克;施晓荣;西克·路伊 -专利权人：西利康尼克斯股份有限公司
申请日： 2003-03-24 - 公布日： 2009-02-18 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：在一种沟槽栅极型MIS器件中，在沟槽中形成与栅极的接触，从而消除了使栅极材料，通常为多晶硅，延伸至沟槽外的需要。这避免了沟槽上角的应力问题。栅极金属与多晶硅之间的接触通常在位于器件的有源区之外的栅极金属区中形成。描述了各种用于形成栅极金属与多晶硅之间的接触配置，包括其中沟槽在接触区中展宽的实施例。由于多晶硅回刻蚀至比整个器件的硅的表面低，通常不再需要多晶硅掩模，从而节省了制造成本。
沟槽栅极金属绝缘体器件结构制造方法

[发明专利]沟槽形栅极的MIS器件的结构和制造方法-CN03107661.0有效
发明人：阿纳普·巴拉;多曼·皮泽尔;杰克·科雷克;施晓荣;西克·路伊 -专利权人：西利康尼克斯股份有限公司
申请日： 2003-03-24 - 公布日： 2003-11-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：在一种沟槽栅极型MIS器件中，在沟槽中形成与栅极的接触，从而消除了使栅极材料，通常为多晶硅，延伸至沟槽外的需要。这避免了沟槽上角的应力问题。栅极金属与多晶硅之间的接触通常在位于器件的有源区之外的栅极金属区中形成。描述了各种用于形成栅极金属与多晶硅之间的接触配置，包括其中沟槽在接触区中展宽的实施例。由于多晶硅回刻蚀至比整个器件的硅的表面低，通常不再需要多晶硅掩模，从而节省了制造成本。
沟槽栅极 mis 器件结构制造方法