“黄盼宁”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果36个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]量子点材料及制备方法、组合物、发光二极管及显示装置-CN202210186331.3在审
发明人： 黄盼宁;芦子哲;黄子健 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种量子点材料及其制备方法、组合物、发光二极管及显示装置，所述量子点材料包括量子点及结合在所述量子点表面的配体，所述配体具有如下结构式：其中，R1、R2、R3分别独立选自取代或未取代的具有1至20个C原子的直链烷基、或取代或未取代的具有3至20个C原子的支链烷基；*表示与所述量子点结合的连接位点。所述量子点材料具有较高的稳定性，较少的表面缺陷，以及较低的费米能级，在使用所述量子点材料制作量子点发光层时，可以降低空穴从空穴传输层到量子点发光层的传输难度，从而有效地提高空穴传输速率，使得发光二极管的电子‑空穴传输更加平衡，进而提高发光二极管的发光效率及寿命。
量子材料制备方法组合发光二极管显示装置

[发明专利]光电器件及其制备方法-CN202111664757.7在审
发明人：洪佳婷;敖资通;芦子哲;贺晓光;黄盼宁 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H10K50/16 文献下载
摘要：本申请提供一种光电器件及其制备方法。光电器件的制备方法包括以下步骤：提供一含有底电极的衬底；在底电极上制备结构层，结构层包括电子功能层，对电子功能层进行α射线辐照。本申请通过采用具有高能量但穿透能力极低的α射线对电子功能层进行辐照，α射线的电离辐射造成电子功能层的表面效应，能达成电子功能层损伤退火的目的，降低光电器件驱动时的电子注入能力，促进器件内部电荷平衡，从而提高器件的效率和工作寿命，同时也能降低对光电器件的损伤。
光电器件及其制备方法

[发明专利]量子点溶液的提纯方法-CN202111672215.4在审
发明人： 黄盼宁;芦子哲 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：本申请公开一种量子点溶液的提纯方法，包括提供一种量子点溶液；向所述量子点溶液中加入多巴胺，得到提纯后的量子点溶液。本申请的量子点溶液的提纯方法，通过在量子点溶液中加入多巴胺，能够很好地吸附残余的镉离子以及锌离子等金属离子，还可以吸收前驱体释放出来的氧气来进行氧化自聚合反应，形成聚多巴胺的团聚沉淀，最后去除团聚沉淀，就可以得到纯度更高的量子点溶液。
量子溶液提纯方法

[发明专利]发光器件、发光器件的制备方法及显示装置-CN202111615373.6在审
发明人： 黄盼宁;芦子哲 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H10K50/16 文献下载
摘要：本申请公开了一种发光器件、发光器件的制备方法及显示装置，所述发光器件包括阳极、阴极、发光层和电子传输层，其中，阳极与阴极相对设置，发光层设置于阳极与阴极之间，电子传输层设置于发光层与阴极之间，电子传输层的材料包括具有PN异质结的半导体材料，所述半导体材料中内核的材料包括ZnTe，外壳的材料包括ZnO，有效地提高了电子传输层的稳定性，并实现发光器件的电子注入效率可控，从而提升了发光器件的综合性能，将所述发光器件应用于显示装置中，有利于提高显示装置的显示效果和稳定性。
发光器件制备方法显示装置

[发明专利]一种量子产率测量装置及其量子产率的测量方法-CN202111486091.0在审
发明人：黄子健;芦子哲;王成;黄盼宁;贺晓光 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： G01N21/64 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种量子产率测量装置及其量子产率的测量方法，该量子产率测量装置包括积分球、光源和载样设备，光源用于提供射入积分球内的激发光束；载样设备设置在积分球中；载样设备包括机架、样品台和掩膜板；样品台和掩膜板均设置在机架上，样品台用于放置待测试样品；掩膜板设有用于供激发光束穿过并照射到待测试样品的通孔，通孔的面积小于或等于4mm2。本申请还提供了基于该量子产率测量装置的量子产率的测量方法。本申请提供的量子产率测量装置、量子产率的测量方法可以提高待测试样品的荧光量子产率的测量准确性。
一种量子测量装置及其测量方法

[发明专利]QLED器件及其制备方法、显示面板-CN202111346169.9在审
发明人： 黄盼宁;芦子哲 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2021-11-15 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H10K50/115 文献下载
摘要：本申请公开了一种QLED器件及其制备方法、显示面板。所述QLED器件包括依次设置的阴极层、量子点发光层、空穴复合层和阳极层；其中，所述空穴复合层包括空穴功能层以及设置于所述空穴功能层表面上的芳香族氨基酸膜层。本申请QLED器件在空穴传输端引入芳香族氨基酸膜层形成空穴复合层，能有效地提升薄膜的成膜性以及大幅降低外界光源对QLED器件的破坏，减少器件的漏电流，提升器件的性能与寿命。
qled 器件及其制备方法显示面板

[发明专利]一种复合薄膜及其制备方法、光电器件及显示装置-CN202111209775.6在审
发明人： 黄盼宁;芦子哲 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2021-10-18 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H10K50/115 文献下载
摘要：本申请公开一种复合薄膜及其制备方法、光电器件及显示装置。本申请的复合薄膜的材料包括纳米二氧化钛和含氟化合物。含氟化合物的添加，能够与纳米二氧化钛形成Ti‑F键，从而钝化间隙钛缺陷，以及氟离子的离子半径与氧离子非常接近，因此能够弥补氧空位的缺失，钝化氧空位缺陷，进而使得包括纳米二氧化钛的复合薄膜表面更平整，界面间的接触电阻也大为降低，减小器件的漏电流。且钝化缺陷一定程度上能够抑制界面间的载流子非辐射弛豫，同时提高界面间电荷的有效传输，进而提升包含此复合薄膜的光电器件的寿命以及性能。
一种复合薄膜及其制备方法光电器件显示装置

[发明专利]一种量子点纯化系统及其应用与量子点纯化方法-CN202111192909.8在审
发明人： 黄盼宁;芦子哲 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2021-10-13 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： C09K11/65 文献下载
摘要：本申请公开了一种量子点纯化系统及其应用与量子点纯化方法，所述量子点纯化系统包括用于盛装待纯化量子点溶液的透析膜，透析膜的外表面吸附有碳量子点，碳量子点的表面连接有第一基团，透析膜的孔径小于碳量子点的粒径，且透析膜的孔径被配置为小于目标量子点的粒径，且透析膜的截留分子量被配置为大于杂质配体的分子量，杂质配体与第一基团的电性相反，量子点纯化系统能够极大程度地去除待纯化量子点溶液中的杂质配体，具有提纯效果理想的优点；所述量子点纯化方法具有纯化效果优异、操作简便、成本低廉、绿色环保以及适用于工业化生产的优点。
一种量子纯化系统及其应用方法

[发明专利]核壳结构材料及其制备方法与应用-CN202110704469.3在审
发明人： 黄盼宁;芦子哲 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2021-06-24 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种核壳结构材料及其制备方法与应用。核壳结构包括核和包裹核的壳层，核为金纳米颗粒，壳层的材料为氧化锌，壳层的外表面与有机配体键合连接。本发明可以解决核壳结构稳定性差、易团聚的问题。本发明核壳结构稳定性好，不易团聚。
结构材料及其制备方法应用

[发明专利]发光二极管及其制备方法-CN202110699597.3在审
发明人： 黄盼宁;芦子哲 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2021-06-23 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开发光二极管及其制备方法，其中，包括发光层、阴极、设置在发光层和阴极之间的第一金属氧化物层、第二金属掺杂的第一金属氧化物层，第一金属氧化物层靠近发光层所在侧设置，第二金属掺杂的第一金属氧化物层靠近阴极所在侧设置第一金属氧化物的禁带宽度第二金属掺杂的第一金属氧化物的禁带宽度。本发明在发光层与阴极之间形成能级渐变层，能够使电子传输侧层间结合更加紧密，降低器件内阻，降低器件开启电压，能够更好地控制电子传输侧的电子注入量，使得电子注入量与空穴注入量相平衡，从而提高发光二极管的发光效率和使用寿命。
发光二极管及其制备方法

[发明专利]一种复合材料及其制备方法与量子点发光二极管-CN201911425647.8有效
发明人： 黄盼宁;卢子哲 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： C09K11/65 文献下载
摘要：本发明公开一种复合材料及其制备方法与量子点发光二极管，所述复合材料包括碳量子点、有机分子连接体与金属纳米颗粒，所述碳量子点的表面结合有羟基；所述有机分子连接体的一端通过羧基与碳量子点的羟基结合，所述有机分子连接体的另一端通过具有金属键合性的官能团与金属纳米颗粒结合。本发明在保持碳量子点本身优异性能的前提下，利用金属纳米颗粒在碳量子点表面形成的表面等离子体共振，可以增强碳量子点的发光性能。利用金属纳米颗粒良好的导电性，使得碳量子点具有非常优异的导电性能。本发明复合材料的成膜性能优异，且能够有效的抑制碳量子点固态荧光淬灭的现象，具有良好的生物相容性，制备成本低，易于制备。
一种复合材料及其制备方法量子发光二极管

[发明专利]一种墨水及发光二极管-CN202110504924.5在审
发明人： 黄盼宁;芦子哲 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2021-05-10 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： C09D11/30 文献下载
摘要：本申请公开了一种墨水及发光二极管，所述墨水包括金属氧化物纳米颗粒、第一溶剂、第二溶剂和第三溶剂。所述第一溶剂的表面张力小于所述第二溶剂的表面张力，所述第二溶剂的表面张力小于所述第三溶剂的表面张力。所述第一溶剂的沸点大于所述第三溶剂的沸点，所述第二溶剂的沸点大于所述第三溶剂的沸点，所述第一溶剂与所述第二溶剂的沸点不同。本申请通过在配制墨水时，选用了表面张力具有梯度、且沸点不同的三种溶剂共同作为溶剂，使得该墨水在喷墨打印时形成马兰戈尼流，进而避免咖啡环现象。
一种墨水发光二极管

[发明专利]量子点发光二极管及其制备方法-CN201911399797.6有效
发明人： 黄盼宁;卢子哲 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L51/54 文献下载
摘要：本发明属于显示器件技术领域，尤其涉及一种量子点发光二极管，包括空穴传输层、量子点发光层及第一碳量子点层，所述第一碳量子点层设置于所述空穴传输层与所述量子点发光层之间，所述第一碳量子点层包括若干第一碳量子点。本发明实提供的量子点发光二极管，电荷传输性能好，导电性高，且量子点发光二极管性能稳定。
量子发光二极管及其制备方法

[发明专利]复合材料及其制备方法和量子点的提纯方法-CN201911390339.6有效
发明人： 黄盼宁;卢子哲 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： B01J20/22 文献下载
摘要：本发明属于量子点技术领域，具体涉及一种复合材料及其制备方法和量子点的提纯方法。该复合材料的制备方法包括如下步骤：提供活性炭前驱体；将所述活性炭前驱体与亚氨基羧酸类螯合剂混合，然后进行碳化处理，得到所述复合材料。该制备方法得到的复合材料用于吸附量子点溶液中的残余的游离金属离子，具有很好的螯合吸附效果，可以有效去除量子点溶液中的游离金属离子，在量子点提纯工艺中具有很好的应用前景。
复合材料及其制备方法量子提纯

[发明专利]电子传输复合膜及其制备方法和发光二极管-CN202011624284.3在审
发明人： 黄盼宁;芦子哲 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种电子传输复合膜及其的制备方法和发光二极管。所述电子传输复合膜包括电子传输层和与所述电子传输层邻接的电子抑制层；所述电子传输层的与所述电子抑制层邻接的表面具有羟基基团；所述电子抑制层的与所述电子传输层邻接的表面具有能够与羟基基团结合的基团。所述电子传输复合膜能够有效降低电子传输层的电子注入速率，使得电子注入与空穴注入的载流子更加平衡，而且与发光层界面亲和度好，从而显著提高发光器件的发光性能和稳定性。电子传输复合膜制备方法的条件易控，使得制备的电子传输复合膜性能稳定，制备的效率高，成本低。
电子传输复合及其制备方法发光二极管

1
2
3
下一页»
尾页
共 36 条