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[发明专利]一种单晶硅高通量微针结构-CN201910277913.0在审
发明人：蔡晓雨 -专利权人：苏州泽矽能电子科技有限公司
申请日： 2019-04-08 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： A61M37/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种单晶硅高通量微针结构，包括单晶硅衬底、单晶硅微针针体阵列和通量孔，所述单晶硅微针针体阵列均匀分布在所述单晶硅衬底上表面，所述通量孔为单个或多个，贯穿设置于所述单晶硅衬底上，所述通量孔和所述单晶硅微针针体阵列互不干涉，所述单晶硅微针针体阵列中的微针针体为实心针体，所述实心针体轴线与单晶硅衬底表面垂直，所述实心针体为圆锥状或多棱锥状，所述单晶硅微针针体阵列排布形式为蜂窝型、方型或三角型中的一种。具有结构强度大、加工成本低、成品率高、一致性好的优点，并且在微针周围分布有多个贯通孔，用于持续提供药液进行皮下渗透，具有不断针、高通量的优点。
单晶硅微针针体阵列高通量实心针通量微针结构衬底衬底上表面衬底表面持续提供互不干涉排布形式一致性好成品率多棱锥蜂窝型贯通孔体轴线圆锥状方型皮下针体垂直贯穿加工

[发明专利]一种基于切削过程仿真的单晶铜微铣削力预测方法-CN201910850915.4有效
发明人：卢晓红;栾贻函;贾振元;侯鹏荣;薛靓;任宗金 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2019-09-10 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： G05B19/401 文献下载
摘要：本发明属于微小零件精密高效加工领域，特别涉及一种基于切削过程仿真的单晶铜微铣削力预测方法。由于单晶铜材料的特殊性，本发明首先综合考虑了晶体变形运动学、晶体塑性本构关系，率相关晶体的硬化规律等因素对于微铣削单晶铜的影响；然后对本构方程的增量形式进行了推导，采用Fortran语言编写了单晶铜VUMAT用户材料子程序，将晶体塑性本构引入到有限元仿真中；最后采用ABAQUS软件对单晶铜微铣削过程进行仿真建模，实现了单晶铜微铣削力预测。本发明以有限元切削仿真为基础，实现单晶铜微铣削力的准确预测，为研究单晶铜微铣削过程提供技术支撑，提高单晶铜微铣削加工精度与效率，具有实际应用价值。
一种基于切削过程仿真单晶铜微铣削预测方法

[实用新型]一种单晶硅高通量微针结构-CN201920463684.7有效
发明人：蔡晓雨 -专利权人：苏州泽矽能电子科技有限公司
申请日： 2019-04-08 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： A61M37/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种单晶硅高通量微针结构，包括单晶硅衬底、单晶硅微针针体阵列和通量孔，所述单晶硅微针针体阵列均匀分布在所述单晶硅衬底上表面，所述通量孔为单个或多个，贯穿设置于所述单晶硅衬底上，所述通量孔和所述单晶硅微针针体阵列互不干涉，所述单晶硅微针针体阵列中的微针针体为实心针体，所述实心针体轴线与单晶硅衬底表面垂直，所述实心针体为圆锥状或多棱锥状，所述单晶硅微针针体阵列排布形式为蜂窝型、方型或三角型中的一种。具有结构强度大、加工成本低、成品率高、一致性好的优点，并且在微针周围分布有多个贯通孔，用于持续提供药液进行皮下渗透，具有不断针、高通量的优点。
单晶硅微针针体阵列实心针通量高通量衬底本实用新型衬底上表面衬底表面持续提供互不干涉排布形式微针结构一致性好成品率多棱锥蜂窝型贯通孔体轴线圆锥状方型皮下针体垂直贯穿加工

[发明专利]在蓝宝石衬底上制备微纳米图形的方法-CN201310196493.6无效
发明人：董鹏;王军喜;闫建昌;张韵;曾建平;孙莉莉;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-05-24 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种在蓝宝石衬底上制备微纳米图形的方法，包括以下步骤：步骤1：在一蓝宝石衬底上制备一单晶薄膜；步骤2：在单晶薄膜上旋涂一层光刻胶；步骤3：在光刻胶上制备一有序排列的微纳米球单层膜；步骤4：利用微纳米球的聚光作用，通过光刻机对光刻胶进行曝光；步骤5：去掉微纳米球单层膜，并显影出有序排列的光刻胶微纳米孔阵列；步骤6：通过干法刻蚀将微纳米孔阵列转移到单晶薄膜上，在单晶薄膜上形成单晶薄膜微纳米孔阵列；步骤7：利用单晶薄膜微纳米孔阵列作为掩膜，湿法腐蚀蓝宝石衬底，从而在蓝宝石衬底上获得有序的微纳米图形阵列；步骤8：去除单晶薄膜掩膜后，完成制备。
蓝宝石衬底制备纳米图形方法

[发明专利]冷冻电镜单晶样品的制备方法及冷冻电镜单晶样品-CN202210427566.7在审
发明人：权泽卫;吴小雨;徐斌;罗志山 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2022-04-22 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： G01N23/2202 文献下载
摘要：本发明公开了一种冷冻电镜单晶样品的制备方法及冷冻电镜单晶样品，涉及冷冻电镜领域，该方法包括依据单晶样品的晶面特性分离单晶样品，以减小单晶样品的厚度尺寸，获得破碎单晶；在破碎单晶上施加剪切力，使破碎单晶穿晶断裂，在第一微栅载网上形成细化晶粒；从第一微栅载网上去除不规则的细化晶粒，获得目标取向晶面的目标细化晶粒；通过第二微栅载网与第一微栅载网在目标细化晶粒的两侧施加作用力，使目标细化晶粒粘附于第二微栅载网朝向第一微栅载网的一侧表面本发明解决了如何提高冷冻电镜用于电子束敏感单晶样品表征时样品制备可控性的问题，实现了控制电子束敏感单晶样品的减薄，获得目标晶面薄层样品。
冷冻电镜单晶样品制备方法

[发明专利]氮化物系薄膜复合结构体及其制造方法-CN201880052361.7有效
发明人：平崎贵英;末次大辅;大熊崇文 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2018-11-21 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：氮化物系薄膜复合结构体具有块状单晶、多个氮化物微晶和非晶质的氮化物薄膜。多个氮化物微晶设置在块状单晶上，与块状单晶的晶体结构具有特定的取向关系。氮化物薄膜设置在块状单晶上，包围氮化物微晶且覆盖块状单晶的表面。
氮化物薄膜复合结构及其制造方法

[发明专利]一种钛酸锶单晶微球的制备方法-CN202010601276.0有效
发明人：刘旭东;王磊;毕孝国;孙旭东;惠宇;王兴安;那兆霖 -专利权人：大连大学
申请日： 2020-06-29 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： C30B29/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种钛酸锶单晶微球的制备方法，包括如下步骤：1)取高纯钛酸锶粉体为制备微球的原料；2)将步骤1)中的钛酸锶粉体通过给料系统的振动机构送入原料仓中，并在氧气作用下经过燃烧器的喷嘴进入微球生长炉的生长室中，原料粉体在氢氧火焰中飘浮，经过加热熔化、结晶长大过程，最终在重力作用下自由落在微球接收盘内，即得钛酸锶单晶微球；3)将步骤2)中获得的钛酸锶单晶微球放入氧化气氛的高温炉中退火，即得透明的钛酸锶单晶微球本发明采用的焰熔法制备方法，单晶微球在生长过程中不与坩埚容器接触，避免其它杂质的污染，制备得到的单晶微球品质非常高，也可以采用这种制备方法用来制备其它高温氧化物单晶微球。
一种钛酸锶单晶微球制备方法

[发明专利]聚苯胺修饰的介孔单晶二氧化钛微球及其制备方法和应用-CN201610042772.0有效
发明人：汤琳;邓垚成;曾光明;王佳佳;王敬敬;刘雅妮;魏雪 -专利权人：湖南大学
申请日： 2016-01-22 - 公布日： 2018-10-26 - 主分类号： B01J31/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种聚苯胺修饰的介孔单晶二氧化钛微球及其制备方法和应用，该聚苯胺修饰的介孔单晶二氧化钛微球包括聚苯胺和介孔单晶二氧化钛微球，聚苯胺通过苯胺的氧化聚合作用吸附在介孔单晶二氧化钛微球表面。其制备方法为：将介孔单晶二氧化钛微球超声分散到盐酸溶液中，加入苯胺，搅拌，加入过硫酸铵与盐酸溶液的混合物，搅拌，得到聚苯胺修饰的介孔单晶二氧化钛微球。本发明还提供了聚苯胺修饰的介孔单晶二氧化钛微球在光催化降解染料中的应用。本发明的聚苯胺修饰的介孔单晶二氧化钛微球具有制备工艺简单，光催化性能稳定，光催化效果好，可见光利用率高，可催化多种染料类污染物等优点。
苯胺修饰介孔单晶二氧化钛微球及其制备方法应用

[发明专利]含有微纳米级石墨烯包覆的单晶正极材料的锂离子电池电极-CN202010742385.4有效
发明人：王欣全;步绍宁;杜萍;王浩;温宇;张永龙;于春奇;王哲;刘晓雨;徐昊;刘嫄嫄;邬素月;李来强 -专利权人：宁夏汉尧石墨烯储能材料科技有限公司;宁夏航汉石墨烯技术研究院（有限公司）
申请日： 2020-07-29 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： H01M4/62 文献下载
摘要：本发明涉及锂离子电池相关的技术领域，更具体地，本发明提供一种含有微纳米级石墨烯包覆的单晶正极材料的锂离子电池电极，制备原料包括微纳米级石墨烯包覆的单晶正极材料、导电剂、粘结剂以及集流体；其中，微纳米级石墨烯包覆的单晶正极材料的制备原料包括石墨烯与单晶正极材料，单晶正极材料为层状单晶结构。本发明提供一种含有微纳米级石墨烯包覆的单晶正极材料的锂离子电池电极，单晶正极材料在包覆前后晶型、粒径分布基本一致，当满足这样条件下的微纳米级石墨烯包覆的正极材料作为电池电极的制备原料时，有利于优化电池的综合性能
含有纳米石墨烯包覆正极材料锂离子电池电极

[发明专利]一种单晶半导体基片的截面快速制作及亚表面微裂纹检测方法-CN201310643511.0有效
发明人：潘继生;陈森凯;路家斌;阎秋生 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2013-12-05 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本发明是一种单晶半导体基片的截面快速制作及亚表面微裂纹检测方法，包括以下步骤：将单晶半导体基片清洗干净；将单晶半导体基片沿着待检测面同一直线方向加工出一个或者多个微沟槽；在单晶半导体基片微沟槽的背面裂开施加压力，使单晶半导体基片在力的作用下沿着微沟槽方向裂成两半，完成单晶半导体基片截面的制样；将裂开的单晶半导体基片的检测截面水平放在光学显微镜下观察，移动单晶半导体基片使待检测面与检测截面的交界线出现在可视区域，调整光学显微镜镜头倍率，拍出截面上目标区域该区域的光学显微图片，测量检测截面上的裂纹到待检测面与检测截面的交界线的最大距离，完成单晶半导体基片亚表面微裂纹检测工作。
一种半导体截面快速制作表面裂纹检测方法

[发明专利]生长可弯曲柔性稀土单晶光纤的坩埚及微下拉法生长可弯曲柔性稀土单晶光纤的方法-CN202011463746.8在审
发明人：薛冬峰;陈昆峰;潘婷钰 -专利权人：中国科学院长春应用化学研究所
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： C30B15/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于微下拉法生长可弯曲柔性稀土单晶光纤的坩埚，所述坩埚的底部通过锥形孔与毛细管相连通；所述锥形孔的大孔位于所述坩埚底部，所述锥形孔的小孔与毛细管相连通；所述坩埚的底部为平面；所述稀土单晶包括钇铝石榴石单晶或掺杂钇铝石榴石单晶本发明设计的具有特殊结构的坩埚，靠近底端开孔的坩埚内壁和毛细孔采用锥形管连接设计，保障熔体流动性，实现了可弯曲单晶光纤的可控生长。本发明还提供了微下拉法中稀土单晶光纤生长速率的计算方法，建立微下拉生长模型，利用特殊结构的坩埚配套温度场结构结合理论计算，实现了可弯曲单晶光纤的微下拉法生长，最终得到了高品质的柔性单晶光纤。
生长弯曲柔性稀土光纤坩埚下拉方法

[发明专利]具有沟槽阵列结构的微纳单晶柔性光电探测器及其制备-CN202011488706.9有效
发明人：许晓斌;叶子龙;胡焱;徐秀真;方明赫;熊煜婷;吉振凯;王家宝;严文远 -专利权人：同济大学
申请日： 2020-12-16 - 公布日： 2023-02-10 - 主分类号： H10K30/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有沟槽阵列结构的微纳单晶柔性光电探测器及其制备，制备方法包括以下步骤：1)制备具有沟槽阵列微纳结构的硅模板；2)采用热压印方式将硅模板上的沟槽阵列微纳结构转移至柔性基底上；3)在柔性基底上制备钙钛矿微纳单晶；4)在柔性基底的钙钛矿微纳单晶上磁控溅射Cu电极，即得到具有沟槽阵列结构的微纳单晶柔性光电探测器。
具有沟槽阵列结构微纳单晶柔性光电探测器及其制备

[发明专利]一种超细金刚石单晶微粉的制备方法-CN201410390630.4有效
发明人：孙方宏;张韬;张文骅;沈彬;郭睿;张志明;郭松寿 -专利权人：上海交通大学;上海交友钻石涂层有限公司;苏州交钻纳米超硬薄膜有限公司
申请日： 2014-08-08 - 公布日： 2018-05-29 - 主分类号： C30B25/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种超细金刚石单晶微粉的制备方法，包括以下步骤：以机械破碎法得到的金刚石微粉作为籽晶，采用光刻胶超声振动均匀分散金刚石晶种工艺，将籽晶均散在硅基衬底表面，金刚石微粉的粒度为M0/1～M6/12；应用热丝化学气相沉积法对经过播种籽晶的硅基衬底进行沉积，获得金刚石单晶颗粒；采用化学腐蚀硅基衬底结合高速离心沉降颗粒工艺处理获得的金刚石单晶颗粒，以获得超细单晶金刚石微粉。采用本发明可以获得超细金刚石单晶微粉。
微粉超细金刚石硅基衬单晶籽晶金刚石单晶金刚石微粉制备热丝化学气相沉积法高速离心沉降单晶金刚石机械破碎法超声振动工艺处理化学腐蚀金刚石光刻胶超细晶种沉积播种应用

[发明专利]双片型单向液体微泵及其制造方法-CN02150822.4无效
发明人：汤玉生 -专利权人：汤玉生
申请日： 2002-11-29 - 公布日： 2004-06-16 - 主分类号： F04B43/04 文献下载
摘要：一种双片型单向液体微泵及其制造方法，所述的微泵由阳极氧化电压切换技术和单晶硅薄膜转移技术制造，阳极氧化电压切换技术的加工区域是多次相互交叠的，单晶硅薄膜转移技术采用SOI硅片实现单晶硅薄膜转移。利用此技术制造的微泵所占的有效空间体积及其泵腔体死空间最小，利用此技术能够使微泵、微阀和微沟道网络同步制造，使新设计的硅膜微泵结构便于在片上型微流体系统中应用。
双片型单向液体及其制造方法

[发明专利]基于导电纳米带电极的微纳单晶场效应晶体管及制备方法-CN201310218714.5有效
发明人：童艳红;汤庆鑫;蔡彬;裴腾飞;程娇 -专利权人：东北师范大学
申请日： 2013-06-04 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： H01L29/772 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于导电纳米带电极的微纳单晶场效应晶体管，由作为栅极的衬底、位于衬底上的绝缘层，位于绝缘层上的源电极和漏电极，源漏电极之间的半导体微纳单晶组成，其特征在于：源电极和漏电极之间放置有一半导体微纳单晶材料，与源电极和漏电极形成连接结构，在连接结构两端的源电极和漏电极分别与半导体微纳单晶材料的两端相连，形成良好接触，两电极间的半导体微纳单晶的长度为3~30μm。其采用导电纳米带作为微纳器件的电极，一方面克服了微纳单晶场效应晶体管在电极制备过程中所产生的污染、辐射损伤等缺点，减小了器件的漏电流，增加了器件工作的可靠性和稳定性，另一方面也有利于微纳器件在未来向小型化和集成化的方向发展
基于导电纳米电极微纳单晶场效应晶体管制备方法

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