[发明专利]生长可弯曲柔性稀土单晶光纤的坩埚及微下拉法生长可弯曲柔性稀土单晶光纤的方法在审

专利信息
申请号: 202011463746.8 申请日: 2020-12-11
公开(公告)号: CN112626611A 公开(公告)日: 2021-04-09
发明(设计)人: 薛冬峰;陈昆峰;潘婷钰 申请(专利权)人: 中国科学院长春应用化学研究所
主分类号: C30B15/08 分类号: C30B15/08;C30B15/10;C30B15/20;C30B29/28
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 刘乐
地址: 130022 吉*** 国省代码: 吉林;22
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摘要: 发明提供了一种用于微下拉法生长可弯曲柔性稀土单晶光纤的坩埚,所述坩埚的底部通过锥形孔与毛细管相连通;所述锥形孔的大孔位于所述坩埚底部,所述锥形孔的小孔与毛细管相连通;所述坩埚的底部为平面;所述稀土单晶包括钇铝石榴石单晶或掺杂钇铝石榴石单晶。本发明设计的具有特殊结构的坩埚,靠近底端开孔的坩埚内壁和毛细孔采用锥形管连接设计,保障熔体流动性,实现了可弯曲单晶光纤的可控生长。本发明还提供了微下拉法中稀土单晶光纤生长速率的计算方法,建立微下拉生长模型,利用特殊结构的坩埚配套温度场结构结合理论计算,实现了可弯曲单晶光纤的微下拉法生长,最终得到了高品质的柔性单晶光纤。
搜索关键词: 生长 弯曲 柔性 稀土 光纤 坩埚 下拉 方法
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