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[发明专利]一种CsPbBr3-CN202310563711.9在审
发明人：王成;陈立凯;曾西平;喻东旭 -专利权人：深圳市华物光能技术有限公司
申请日： 2023-05-18 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H10K30/10 文献下载
摘要：本发明涉及新材料技术以及新能源技术领域，尤其涉及一种CsPbBr3钙钛矿太阳能电池的制备方法及应用，本发明具体是在聚酰亚胺膜上制备导电膜，构建耐高温柔性透明电极，然后在其表面依次旋涂电子传输层、CsPbBr3钙钛矿层及碳电极，组装成CsPbBr3钙钛矿太阳能电池。本发明以6FDA和/或PMDA为原料制备的聚酰亚胺膜作为基层，耐高温350℃，透光率超过85％，雾度小于4％，满足了CsPbBr3钙钛矿太阳能电池在制作过程中需耐高温的性能，能够很好的匹配CsPbBr3制作柔性器件。
一种 cspbbr base sub

[发明专利]一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法-CN202311139399.7在审
发明人：朱瑞;黄天宇;赵丽宸;龚旗煌 -专利权人：北京大学
申请日： 2023-09-05 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H10K30/10 文献下载
摘要：本发明属于太阳能电池技术领域，具体涉及一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法。本发明提供的钙钛矿太阳能电池，包括层叠的透明基底、自组装单分子层、吸光层、电子传输层、界面缓冲层和导电层；所述自组装单分子层为由含有咔唑基团的膦酸衍生物组成的薄膜；所述吸光层为钙钛矿薄膜，所述钙钛矿薄膜中包括含有咔唑基团的膦酸衍生物。本发明以作为自组装单分子层主要原料的含有咔唑基团的膦酸衍生物作为钙钛矿溶液的添加剂，含有咔唑基团的膦酸衍生物在调控钙钛矿结晶性能的同时还可以进入自组装单分子层，从而提高自组装单分子层的密度减少自组装单分子层的缺陷，抑制非光活性杂相的生成，提升电池光电转换效率。
一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种基于二维材料与氮化镓薄膜双异质结的光电探测器及其制备方法-CN202010554890.6有效
发明人：谷怀民;许文竹 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2020-06-17 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H10K30/10 文献下载
摘要：本发明涉及光电探测领域，公开了一种基于二维材料与氮化镓薄膜双异质结的光电探测器，包括衬底、氮化镓薄膜、钙钛矿层、第一金属电极、第二金属电极，还包括卤素基二维材料层；所述衬底上依次为第一金属电极、钙钛矿层、氮化镓薄膜、卤素基二维材料层、第二金属电极；所述的钙钛矿层与氮化镓薄膜形成异质结，所述的卤素基二维材料层与氮化镓薄膜也形成异质结；本发明提供一种基于二维材料与氮化镓薄膜双异质结的光电探测器，通过构建钙钛矿/GaN/PbI2双异质结结构，来加强PbI2/GaN界面光生载流子的高效分离，使光导增益更大；本发明还提供了一种基于二维材料与氮化镓薄膜双异质结的光电探测器的制备方法。
一种基于二维材料氮化薄膜双异质结光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种DJ相二维锡基钙钛矿薄膜晶体管及其制备方法-CN202310966444.X在审
发明人：胡袁源;仇鑫灿 -专利权人：湖南大学
申请日： 2023-08-02 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H10K30/10 文献下载
摘要：一种DJ相二维锡基钙钛矿薄膜晶体管及其制备方法，所述晶体管包括栅电极、介电层、插入层、半导体层、源电极、漏电极；所述插入层为碘化物插入层，所述半导体层为掺杂铵盐添加剂的DJ相锡基钙钛矿；所述半导体层是在所述插入层上形成；本发明通过在制备DJ相二维锡基钙钛矿半导体层前引入碘化物插入层和在钙钛矿前驱体溶液中加入铵盐添加剂来优化二维钙钛矿薄膜的结晶过程，从而提高了薄膜质量和相应器件的电学性能，最终获得了具有高迁移率和高稳定性的二维锡基钙钛矿薄膜晶体管，从而有利于推进该晶体管器件在显示、探测、突触及存储器件领域的进一步应用。
一种 dj 二维锡基钙钛矿薄膜晶体管及其制备方法

[发明专利]钙钛矿电池、其制备方法、以及包含其的光伏组件-CN202180094973.4在审
发明人：涂保;陈长松;郭永胜;陈国栋 -专利权人：宁德时代新能源科技股份有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H10K30/10 文献下载
摘要：本申请提供一种钙钛矿电池、其制备方法、以及包含其的光伏组件，钙钛矿电池包括：第一电极、第二电极、位于第一电极和第二电极之间的钙钛矿层、位于第一电极和钙钛矿层之间的有机空穴传输层、以及位于有机空穴传输层和钙钛矿层之间的无机空穴传输层，其中，无机空穴传输层的厚度H1与有机空穴传输层的厚度H2满足H1/H2≤0.4，无机空穴传输层包括无机空穴传输材料，无机空穴传输材料选自在N,N‑二甲基甲酰胺中的室温溶解度小于0.10mg/mL的无机P型半导体材料。本申请能改善有机空穴传输层和钙钛矿层界面浸润性差的问题，提高钙钛矿电池的制备成功率和光电转换效率。
钙钛矿电池制备方法以及包含组件

[发明专利]钙钛矿太阳能电池、其制备方法以及用电设备-CN202180094106.0在审
发明人：梁伟风;孙娟娟;涂保;陈长松;郭永胜;陈国栋 -专利权人：宁德时代新能源科技股份有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H10K30/10 文献下载
摘要：本申请提供一种钙钛矿太阳能电池、其制备方法、以及用电设备。本申请的钙钛矿太阳能电池依次具备：背电极、空穴传输层、界面钝化层、钙钛矿层、界面钝化层、电子传输层、导电玻璃，钙钛矿层和界面钝化层之间界面的HOMO能级为0.01‑0.4eV，HOMO能级与LUMO能级之间的能带隙为0.01‑0.4eV，所述界面钝化层含有：联苯类化合物的有机胺盐和/或并苯类化合物的有机胺盐。根据本申请的钙钛矿太阳能电池，通过采用联苯类化合物、并苯类化合物的有机胺盐对其中的钙钛矿层进行钝化，会使钙钛矿层VBM的提升，利于空穴的提取，提高载流子的传输效率，从而能够极大提高钙钛矿太阳能电池的效率与稳定性。
钙钛矿太阳能电池制备方法以及用电设备

[发明专利]一种薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池及其制备方法-CN202011422946.9有效
发明人：谭秋红;任丽;张超;张霞;赵吉玉;杨志坤;蔡武德 -专利权人：云南师范大学
申请日： 2020-12-08 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H10K30/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池及其制备方法，该太阳电池包括柔性透明导电基底、P型薄膜晶硅窗口层、柔性钙钛矿光吸收层、柔性电子传输层和柔性背电极，柔性透明导电基底由第一柔性衬底通过直流溅射法沉积透明导电金膜制成；P型薄膜晶硅窗口层设在柔性透明导电基底的背侧；柔性钙钛矿光吸收层设在P型薄膜晶硅窗口层、柔性电子传输层之间，柔性电子传输层为超薄聚乙烯亚胺薄膜修饰的二氧化锡电子传输层，柔性背电极由第二柔性衬底通过磁控溅射法沉积多层Mo薄膜形成。本发明结构设计合理，大幅提高太阳电池的柔性，制得的薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池适用于作为光伏粘贴膜使用。
一种薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池及其制备方法

[发明专利]钙钛矿太阳能电池及其制备方法-CN202310744198.3在审
发明人：葛子义;徐鹏;杨孟锦 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H10K30/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法，其中，钙钛矿太阳能电池，包括钙钛矿光吸收层，所述钙钛矿光吸收层中包括具有酰腙键的水性聚氨酯。本发明中钙钛矿太阳能电池利用具有酰腙键的水性聚氨酯，使其能够在50℃‑60℃条件下实现自身修复，从而使其具有优异的光电转换效率以及稳定性。
钙钛矿太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种太阳能电池及其制备方法-CN201911235146.3有效
发明人：朱煜剑 -专利权人：和光同程光伏科技（宜宾）有限公司
申请日： 2019-12-05 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H10K30/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种太阳能电池及其制备方法，该方法包括以下步骤：在n型硅片的上表面制备硅纳米线阵列，接着对所述n型硅片的上表面进行钝化处理，接着在所述n型硅片的表面依次制备第一Spiro‑OMeTAD层、第二Spiro‑OMeTAD层、第三Spiro‑OMeTAD层、金属银薄层、PEDOT:PSS层，在各Spiro‑OMeTAD层以及PEDOT:PSS层的退火过程中通过将热处理后的n型硅片立刻置于低温环境中，并进行低温处理一段时间，通过低温处理可以将Spiro‑OMeTAD和PEDOT:PSS紧紧贴附于硅纳米线的表面，接着在所述n型硅片上制备正面电极以及背面电极。
一种太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种低维自解体晶种调控的钙钛矿太阳能电池及其制备方法-CN202311059284.7在审
发明人：马柱;刘千羽;杜卓维;张倩;李炎林 -专利权人：西南石油大学
申请日： 2023-08-22 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H10K30/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种低维自解体晶种调控的钙钛矿太阳能电池及其制备方法，该钙钛矿太阳能电池从下至上依次包括导电玻璃衬底、电子传输层、钙钛矿光吸收层、空穴传输层和金属电极层，所述钙钛矿光吸收层采用两步法旋涂制备，并在第一部分碘化铅前驱体溶液中添加低维自解体晶种，调控钙钛矿晶粒生长，同时晶种自解体释放阳离子钝化钙钛矿薄膜缺陷。本发明可以提供低维自解体晶种调控的高质量钙钛矿晶体，提升钙钛矿晶粒尺寸，同时晶种自解体释放有机阳离子钝化钙钛矿薄膜内部缺陷，可以显著提升钙钛矿太阳能电池的光电转换效率和稳定性。
一种解体调控钙钛矿太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种硅基外延钙钛矿异质PN结光电探测器及制备方法-CN202311117696.1在审
发明人：王爱伟;于颖;曹丙强 -专利权人：济南大学;核芯光电科技（山东）有限公司
申请日： 2023-09-01 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H10K30/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基外延钙钛矿异质PN结光电探测器及制备方法，所述硅基外延钙钛矿异质PN结光电探测器包括依次连接的上电极、钙钛矿层、单晶硅衬底和下电极；所述钙钛矿层通过脉冲激光沉积方法沉积在所述单晶硅衬底表面并形成异质PN结；本发明通过脉冲激光沉积技术在单晶硅衬底上形成钙钛矿层，能够实现结晶度高、晶格匹配、缺陷少的钙钛矿外延薄膜的大规模制备，进而得到很好晶体结构的的硅/钙钛矿异质结。
一种外延钙钛矿异质 pn 光电探测器制备方法

[发明专利]一种上转换钝化材料、钙钛矿太阳能电池及其制备方法-CN202210268026.9在审
发明人：刘童;解俊杰;吴兆;李子峰;孙朱行;刁一凡;徐琛 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2022-03-17 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H10K30/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种上转换钝化材料、钙钛矿太阳能电池及其制备方法，所述上转换钝化材料含有改性红荧烯，所述改性红荧烯的结构如式1所示，其中，各R1、R2、R3、R4、R5和R6相同或不同，且各自独立地选自路易斯酸基团和/或路易斯碱基团。本发明的上转换钝化材料可以提升钙钛矿太阳能电池光电转换效率和稳定性。#imgabs0#
一种转换钝化材料钙钛矿太阳能电池及其制备方法

[发明专利]有机光检测器-CN201780061392.4有效
发明人： W·米切尔;L·陈;T·库尔 -专利权人：天光材料科技股份有限公司
申请日： 2017-10-02 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H10K30/10 文献下载
摘要：本发明涉及包含含有电子受体和电子给体的光活性层的有机光检测器(OPD)，所述受体是n型半导体，其是不含富勒烯部分的小分子，所述电子给体是p型半导体，其是包含给体和受体单元的共轭共聚物。
有机检测器

[发明专利]太阳能电池及其制作方法-CN202010277758.5有效
发明人：夏锐;高纪凡;陈达明;陈奕峰 -专利权人：天合光能股份有限公司
申请日： 2020-04-08 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H10K30/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种太阳能电池，包括：基底；电子传输层，设于基底上；光吸收层，设于电子传输层上；空穴传输层，设于光吸收层上；以及电极，设于空穴传输层上；其中，光吸收层为宽带隙钙钛矿材料。
太阳能电池及其制作方法

[发明专利]一种太阳能电池及其制作方法-CN202310955040.0在审
发明人：唐鹏宇;郝力强;穆欣炬;马中生;刘宏俊 -专利权人：义乌清越光电技术研究院有限公司;苏州清越光电科技股份有限公司
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H10K30/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能电池及其制作方法。太阳能电池包括：衬底；透明电极层，透明电极层位于衬底之上，透明电极层包括多个透明电极，相邻两个透明电极之间形成间隔；多个导电连接体；发电功能层，被导电连接体隔为多个发电功能单元，每一发电功能单元设置在相邻两个导电连接体之间的区域；顶电极层，顶电极层包括多个顶电极，多个顶电极与多个发电功能单元一一对应设置，每一顶电极的一侧与对应的导电连接体接触设置，顶电极的另一侧与导电连接体不接触。本发明设计的太阳能电池制造工艺简单，降低了对发电功能单元下方的透明电极造成损伤，提高了良率。
一种太阳能电池及其制作方法

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