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[发明专利]紫外LED匀光装置及其应用-CN201911093963.X有效
发明人： 闫建昌;刘春岩;薛斌;郭亚楠;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2019-11-08 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： A61L2/10 文献下载
摘要：一种紫外LED匀光装置及其应用，该紫外LED匀光装置包括匀光杯，起匀光作用；设置在匀光杯内壁上的匀光杯一级台阶和匀光杯二级台阶；第二层匀光膜，设置在匀光杯二级台阶上，用于实现第一步匀光；第一层匀光膜，设置在匀光杯一级台阶上，用于实现第二步匀光；紫外LED，作为光源；以及铝基板，设置在匀光杯底部，用于固定紫外LED。本发明的紫外LED匀光装置工作电流小，装置温度低，实现过程简单，生产周期短，可应用在需要紫外LED匀光的领域，成本低廉，能够被大部分厂家和适用人群接受。
紫外 led 装置及其应用

[发明专利]一种AlGaN基紫外激光器的生长方法-CN202110716151.7有效
发明人：王军喜;王大地;郭亚楠;刘志彬;闫建昌 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-06-25 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： C30B29/68 文献下载
摘要：本发明提供一种AlGaN基紫外激光器的生长方法，通过原位热处理的方法粗化AlGaN赝晶层的表面，来缓解AlGaN厚膜的应力，显著改善晶体质量；由于表面粗化结构尺寸更小，后续AlGaN厚膜生长过程更容易合并，形成原子级平整表面，进而生长得到高质量的紫外激光器结构。
一种 algan 紫外激光器生长方法

[发明专利]一种通用LED测试装置及测试方法-CN202110650166.8有效
发明人：刘春岩;闫建昌;薛斌;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-06-10 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种通用LED测试装置及测试方法，属于LED测试技术领域，该方法包括：测试平台，测试平台内嵌有置物台，置物台内开有置物台窗口，置物台的上表面设有上层测试夹，上层测试夹连接有金属电极柱，金属电极柱的顶部位于测试平台的上方，金属电极柱的下部穿过测试平台，置物台的下底面设有下层测试夹，下层测试夹一端与金属电极柱的下部连接；测试底座，测试底座位于测试平台的下方，测试底座内设有电极柱槽，电极柱槽内设有电极触点，电极触点具有弹性，金属电极柱下部位于所电极柱槽内，且与电极触点紧密接触。
一种通用 led 测试装置方法

[外观设计]坩埚-CN202230443102.6有效
发明人：常煜鹏;刘志彬;王充;崔永强;闫建昌;李晋闽 -专利权人：山西中科潞安紫外光电科技有限公司
申请日： 2022-07-13 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： 24-02 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：坩埚。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于放置氮化铝粉末，通过物理气象传输法生成氮化铝晶体。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：组合状态图。5.本外观产品为组件产品，组件1为坩埚主体，组件2为底盖，组件3为顶盖，组件4为金属丝网。
坩埚

[发明专利]在图形衬底上生长氮化物薄膜结构及其方法-CN201811559236.3有效
发明人：魏同波;常洪亮;闫建昌;王军喜 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2018-12-18 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供了一种在图形衬底生长氮化物薄膜结构及其方法，其方法包括：在图形衬底的凹洞图形区域内生长石墨烯；在生长有石墨烯的图形衬底上生长具有空气孔隙的III族氮化物薄膜；其中，空气孔隙形成于所述图形衬底与所述III族氮化物薄膜之间，所述石墨烯上方。本发明在外延生长前，先插入了一层选区生长的表面完整度良好的单层石墨烯插入层，并且利用金属原子在无缺陷石墨烯上表面吸附率极低的特点，诱导氮化物只在平面区域成核并以三维模式生长，最终生长成在氮化物与图形衬底有极大空气孔隙的平滑薄膜，该实施工艺简单，适合在氮化物薄膜生长及光电器件和电子器件制造领域应用。
图形衬底生长氮化物薄膜结构及其方法

[发明专利]紫外LED模组-CN202210199434.3在审
发明人：刘春岩;孙雪娇;魏学成;闫建昌;王军喜 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H05B45/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种紫外LED模组，包括：若干紫外LED模块、基板、匀光薄膜、变阻器、定时开关和电源，若干紫外LED模块设在基板上，匀光薄膜覆盖若干紫外LED模块，紫外LED模块与变阻器、定时开关和电源电连，变阻器电阻可调以便调节紫外LED模块的光强，定时开关用于控制紫外LED模块的开启和关断时间。本发明提供的紫外LED模组将多个紫外LED模块组装在一起，紫外LED模组通过设置变阻器实现光强可调，通过设置定时开关实现开启和关断时间可调，提高了紫外LED的应用价值。
紫外 led 模组

[发明专利]一种在异质衬底上生长高质量氮化铝薄膜的方法-CN202011036503.6在审
发明人：魏同波;常洪亮;闫建昌;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2020-09-27 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种在异质衬底上生长高质量氮化铝薄膜的方法，包括：S1，在异质衬底上生长石墨烯薄膜；S2，等离子体处理石墨烯薄膜，使石墨烯薄膜表面形成大量悬挂键；S3，在石墨烯薄膜表面金属有机化学气相沉积氮化铝薄膜；S4，高温退火，得到表面结构平整且位错密度低的氮化铝薄膜。本发明提供的方法实施工艺简单，适合在氮化铝薄膜生长及光电器件和电子器件制造领域应用。
一种衬底生长质量氮化薄膜方法

[发明专利]可穿戴式无创光疗装置-CN202111302851.8在审
发明人：薛斌;闫建昌;刘春岩;张宁;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-11-04 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： A61N5/06 文献下载
摘要：本公开提供了一种可穿戴式无创光疗装置，包括：光动力模块，包括至少一个主动发光单元，用于辐射光子束，为光疗装置提供初始光动力，其中，至少一个主动发光单元为发光二极管、有机发光二极管、超辐射二极管、半导体激光器中的一种或多种；驱动显示模块，用于控制、显示和记录光动力模块的工作状态。本发明中所公开的可穿戴式无创光疗装置，通过将主动发光单元与荧光转换材料相结合，使得主动发光单元入射光子束的光谱成分得以调整和改变。装置结构简单合理，使用范围广，穿戴舒适度和便携性较好。
穿戴式无创光疗装置

[发明专利]一种PVT法自发形核制备AlN晶体的方法-CN202111351102.4在审
发明人：常煜鹏;刘志彬;王充;崔永强;闫建昌;李晋闽 -专利权人：山西中科潞安紫外光电科技有限公司
申请日： 2021-11-16 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明涉及一种PVT法自发形核制备AlN晶体的方法，其包括以下步骤：1）、对AlN粉末进行纯化；2）、将纯化后的AlN粉末放入坩埚（1）中，在坩埚（1）内部高度的1/5至4/5处放置金属丝网（2）并使得AlN粉末位于所述金属丝网（2）之下，然后将坩埚（1）置于石墨加热体中后放入单晶生长炉内，在常温下将单晶生长炉抽真空至10E‑6 mbar，然后在100‑1000mbar纯氮气气氛下，以100‑150℃/h的升温速率加热升温至2000‑2300℃并保温24‑72h，然后以100‑150℃/h的降温速率降至室温，从而在所述金属丝网（2）的表面自发形核生长出AlN晶体。其制备的AlN晶体的晶粒质量高且尺寸大。
一种 pvt 自发制备 aln 晶体方法

[发明专利]极性交替AlN模板的制备方法-CN202110716091.9在审
发明人：郭亚楠;蔡听松;刘志彬;闫建昌;王军喜 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-06-25 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本公开提供了一种极性交替AlN模板的制备方法，包括：在衬底表面沉积氮极性AlN；在所述氮极性AlN上沉积掩膜层；对所述掩膜层图形化，以暴露部分所述氮极性AlN；对氮极性AlN进行热处理，诱使所述掩膜层覆盖的所述氮极性AlN的极性反转，保持暴露的所述氮极性AlN的极性不变；去除所述掩膜层，得到表面极性交替的AlN结构；在表面极性交替的AlN结构上继续沉积AlN至预设厚度，得到所述极性交替AlN模板。
极性交替 aln 模板制备方法

[发明专利]具有p型极化掺杂的III族氮化物光电子器件-CN202010600335.2有效
发明人：郭亚楠;闫建昌;刘志彬;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2020-06-28 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：一种III族氮化物的p型层的极化掺杂结构，其特征在于，所述p型层通过组分渐变引入的极化诱导产生一定浓度的空穴；所述p型层中含有p型掺杂剂，且所述p型掺杂剂浓度在所述p型层内呈调制分布。本发明通过Mg受主的调制掺杂，降低外延层中Mg的平均掺杂浓度，改善材料的晶体质量、提高空穴浓度和空穴迁移率，减少光吸收损耗，最终提升使用此p型掺杂方法的光电子器件的光电性能。
具有极化掺杂 iii 氮化物光电子器件

[发明专利]一种AlN薄膜的制备方法-CN202110715860.3在审
发明人：蔡听松;郭亚楠;刘志彬;闫建昌;王军喜 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-06-25 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种AlN薄膜的制备方法，包括以下步骤：提供一衬底；在所述衬底上溅射沉积一层底层AlN薄膜层，得到一初始薄膜；多次对所述初始薄膜进行热处理制层处理，在所述初始薄膜上形成多层次层AlN薄膜层，直至所述衬底上的AlN薄膜层的总厚度达到目标值，得到AlN薄膜。在本发明提供的技术方案中，通过溅射沉积形成AlN薄膜，并通过重复进行热处理制层处理，形成AlN薄膜，获得更高晶体质量和更低应力的AlN模板，且制备工艺简单有效稳定，成本低，便于产业化应用。
一种 aln 薄膜制备方法

[发明专利]AlGaN薄膜的制备方法-CN202110715925.4在审
发明人：王军喜;张睿洁;郭亚楠;刘志彬;闫建昌 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-06-25 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本公开提供了一种AlGaN薄膜的制备方法，包括：对衬底进行热处理，以使所述衬底的生长面转变为岛状起伏结构；在所述生长面上生长多孔AlN薄膜；在所述多孔AlN薄膜上生长表面合并的AlGaN薄膜。该方法不仅可以提高外延层的晶体质量，而且可以通过多孔结构有效缓解外延层应力，进而制备高质量的AlGaN薄膜。
algan 薄膜制备方法

[发明专利]反极性垂直发光二极管及其制备方法-CN201911099376.1有效
发明人：郭亚楠;闫建昌;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2019-11-11 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：一种反极性垂直发光二极管及其制备方法，该反极性垂直发光二极管包括：基板；n型电极，位于所述基板之上；n型GaN基半导体层，位于所述n型电极之上；发光层，位于所述n型GaN基半导体层之上；p型GaN基半导体层，位于所述发光层之上；p型电极，位于所述p型GaN基半导体层之上；其中，所述n型GaN基半导体层、发光层和p型GaN基半导体层在自下而上的方向上均表现为氮极性，在自上而下的方向上均表现为金属极性。本发明综合反极性和垂直结构的优势，可有效提高p型GaN基半导体层的空穴浓度，抑制量子阱有源区的量子限制斯塔克效应，从而提高LED的辐射复合效率和内量子效率，改善LED的发光性能和可靠性。
极性垂直发光二极管及其制备方法

[发明专利]提高LED倒装芯片光提取效率的方法-CN202010600418.1有效
发明人：郭亚楠;刘志彬;闫建昌;李晋闽;王军喜 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2020-06-28 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：一种提高LED倒装芯片光提取效率的方法，包括以下步骤：提供具有第一表面和第二表面的一透明衬底；采用Al靶材磁控溅射技术，在不含氧的以氮气为主要溅射气氛条件下，在所述衬底的第二表面沉积一层AlN薄膜，形成AlN模板；将制得的AlN模板放入高温退火设备中进行退火处理，退火温度为1500‑2000℃，退火气氛为氮气或含氮气的混合气氛，退火时间为0.5‑10小时；将退火后的衬底和AlN模板清洗后，放入生长设备中，在所述衬底的第一表面上外延LED全结构并制作至少一个LED芯片单元；在所述LED表面覆盖保护层；将所述衬底第二表面的AlN模板浸入碱性溶液中进行腐蚀，其表面腐蚀形成微纳米结构；除去所述LED表面的保护层；进行芯片划裂，形成分立的LED倒装芯片。
提高 led 倒装芯片提取效率方法

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