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[发明专利]具有反射结构的太阳能电池-CN200810184937.3无效
发明人：方宣尹;郭昭显;黄建福 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2008-12-23 - 公布日： 2010-06-30 - 主分类号： H01L31/075 文献下载
摘要：一种具有反射结构的太阳能电池，包括堆栈的正面电极、P型层、本征层、N型层以及背面电极，其特征在于：N型层为低折射率材料层，且低折射率材料层的折射率低于本征层的折射率。另外，N型层还可以是一种多层结构。这个多层结构是由多个以低折射率与高折射率互相堆栈的膜所构成，且于多层结构中与本征层接触的是低折射率膜，其中低折射率膜的折射率低于本征层的折射率。
具有反射结构太阳能电池

[发明专利]阻塞性睡眠呼吸暂停低通气综合征易感基因ADIPOQ的变异位点及其检测方法和用途-CN201710272577.1有效
发明人：魏永祥;秦彦文;杨颂;李坤;郭俊;杨云云;袁先道;焦晓璐;朱苗苗 -专利权人：首都医科大学附属北京安贞医院;北京市心肺血管疾病研究所
申请日： 2017-04-24 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： C12Q1/6883 文献下载
摘要：本发明涉及分子生物学和医学领域，本发明公开了一个阻塞性睡眠呼吸暂停低通气综合征易感基因ADIPOQ的变异位点及其检测方法和该变异位点在阻塞性睡眠呼吸暂停低通气综合征易感性检测方面的用途，此外还公开了一种通过检测该变异位点基因型来预测阻塞性睡眠呼吸暂停低通气综合征患病风险的方法，包括抽提样品的基因组DNA、特异性扩增、检测、变异位点基因型分析等步骤，当所述位点发生基因型变异时阻塞性睡眠呼吸暂停低通气综合征的患病风险增加。本发明还公开了一种检测阻塞性睡眠呼吸暂停低通气综合征易感性的试剂盒。
阻塞性睡眠呼吸暂停低通气综合征变异位点检测易感基因分子生物学基因型变异基因型分析特异性扩增易感性检测基因组DNA 风险增加医学领域基因型试剂盒易感性种检测抽提位点预测

[实用新型]一种基于碳化硅的肖特基PIN二极管-CN202022141553.2有效
发明人：陈利;陈译;陈彬 -专利权人：厦门芯一代集成电路有限公司
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于碳化硅的肖特基PIN二极管，该器件包括：半导体衬底，在半导体衬底上的N型重掺杂区，在N型重掺杂区上的N型轻掺杂区和低掺杂本征半导体区，在N型轻掺杂区上的金属区，在低掺杂本征半导体区上的P型掺杂区，在P型掺杂区、低掺杂本征半导体区和金属区的上表面的正极，在N型重掺杂区上表面的负极，在N型轻掺杂区上表面的硅氧化物绝缘区。该器件通过金属区和N型轻/重掺杂区构成的肖特基二极管，和P型掺杂区、低掺杂本征半导体区和N型重掺杂区构成的PIN二极管，可以有效地降低该半导体器件的开关损耗和提高其开关速度。
一种基于碳化硅肖特基 pin 二极管

[发明专利]一种p型GaN层的生长方法和外延结构及其生长方法-CN202210219884.4在审
发明人：李国强 -专利权人：广州市众拓光电科技有限公司
申请日： 2022-03-08 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种p型GaN层的生长方法和外延结构及其生长方法，涉及半导体材料技术领域；包括周期循环生长的本征GaN层和高掺GaN层，或低掺GaN层和高掺GaN层；所述p型GaN层的生长方法包括以下步骤：1)生长本征GaN层或低掺GaN层，生长温度为850‑950℃；2)在所述本征GaN层或低掺GaN层上生长高掺GaN层；3)在所述高掺GaN层上周期循环生长本征GaN层/低掺GaN层和高掺GaN层，得到p型GaN层本发明的高掺GaN层为低温下通Mg源生长p‑GaN后高温退火，得到的p型GaN层能改善p型层材料的质量，有效改善了有源发光层延伸的Pits、表面粗糙等缺陷，提高Mg的激活效率，减少接触电阻。
一种 gan 生长方法外延结构及其

[发明专利]光生伏打装置-CN200510105632.5有效
发明人：寺川朗 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2005-09-28 - 公布日： 2006-04-05 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：本发明是一种在n型单晶硅基板和含有氢的p型非晶硅层之间，设置了含有氢的实质本征非晶硅层的光生伏打装置，在该装置中，在所述p型非晶硅层和所述本征非晶硅层之间，设有氢浓度比所述本征非晶硅层的氢浓度低的捕获层利用该捕获层抑制氢从本征非晶硅层向p型非晶硅层扩散。
光生伏打装置

[实用新型]一种基于碳化硅的槽型肖特基PIN二极管-CN202022141624.9有效
发明人：陈利;陈译;陈彬 -专利权人：厦门芯一代集成电路有限公司
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于碳化硅的槽型肖特基PIN二极管，该器件包括：半导体衬底，半导体衬底上的N型重掺杂区，N型重掺杂区上的N型轻掺杂区，N型轻掺杂区上的金属区，该金属区设在N型轻掺杂区中间，N型轻掺杂区和金属区上表面的硅氧化物区，硅氧化物区上的P型掺杂区和低掺杂本征半导体区，该低掺杂本征半导体区设在P型掺杂区两侧，覆盖P型掺杂区上表面、且贯穿P型掺杂区并延伸至金属区上表面的正极，低掺杂本征半导体区上表面的绝缘区，N型重掺杂区上表面的负极该器件通过金属区和N型轻/重掺杂区构成的肖特基二极管，和P型掺杂区、低掺杂本征半导体区和N型重掺杂区构成的PIN二极管，有效地降低该器件的开关损耗和提高其开关速度。
一种基于碳化硅槽型肖特基 pin 二极管

[发明专利]一种本征阻燃型丙烯酸酯类低聚物以及丙烯酸酯结构胶-CN202110166475.8有效
发明人：罗勇;黄成生 -专利权人：东莞市德聚胶接技术有限公司
申请日： 2021-02-04 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： C08G63/91 文献下载
摘要：一种本征阻燃型丙烯酸酯类低聚物以及一种丙烯酸酯结构胶，所述本征阻燃型丙烯酸酯类低聚物首先通过丙烯酸和五氯化膦间的反应制备不饱和膦酸酯，然后利用不饱和膦酸酯、环氧丙烯酸、长链二元酸之间的缩聚反应制备出本征阻燃型丙烯酸酯类低聚物，将其应用到丙烯酸酯结构胶中能够制备出本征阻燃型的丙烯酸酯结构胶，这种结构胶具有优异的阻燃性能。本发明意外的发现不饱和硅烷单体的加入提高丙烯酸酯结构胶的耐湿热老化性能，同时其还可以协同本征阻燃型丙烯酸酯类低聚物使丙烯酸酯结构胶的阻燃性能进一步提升。
一种阻燃丙烯酸酯类低聚物以及结构胶

[发明专利]一种光电探测器及其制备方法-CN202310447173.7在审
发明人：蔡文必;陈柏翰;王文平 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：本发明公开了一种光电探测器及其制备方法，包括衬底、N型掺杂层、本征层、P型掺杂层、N电极和P电极，N电极设置在N型掺杂层上，P电极设置在P型掺杂层上；自下而上N型掺杂层、本征层、P型掺杂层依次设在衬底上，在本征层与P型掺杂层交界处具有至少一个P型离子注入区，P型离子注入区向本征层延伸，P电极形成入射光窗口，P型离子注入区位于入射光窗口下方；或者，自下而上P型掺杂层、本征层、N型掺杂层依次设在衬底上，在本征层与N型掺杂层交界处具有至少一个N型离子注入区，N型离子注入区向本征层延伸，N电极形成入射光窗口，N型离子注入区位于入射光窗口下方。本发明可以同时兼顾低电容，高吸收效率以及高响应速度。
一种光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种用于预测母猪二胎综合征的SNP分子标记及其应用-CN202210665302.5在审
发明人：李千军;崔茂盛;张丰霞;马墉;李宁;郑梓;穆淑琴;孙红梅 -专利权人：天津市农业科学院
申请日： 2022-06-13 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： C12Q1/6883 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于预测母猪“二胎综合征”的SNP分子标记及其应用，属于分子标记检测技术领域。本发明首次发现猪第12号染色体上第43594186bp位点的SNP分子标记与母猪“二胎综合征”发生相关，基因型为AA时，母猪“二胎综合征”发生率较高；基因型为AC或CC时，母猪“二胎综合征”发生率较低。利用本发明所述SNP分子标记，不仅可以在种猪早期快速预测“二胎综合征”的发生情况，同时还可用于低“二胎综合征”发生率种猪的选育。本发明对于无“二胎综合征”母猪选育具有重要的意义。
一种用于预测母猪二胎综合征 snp 分子标记及其应用

[发明专利]一种本征可拉伸n型有机界面材料及其制备方法与应用-CN202110700189.5有效
发明人：赖文勇;闵洁;李祥春;王倩;陈劲 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2021-06-23 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： C08G77/388 文献下载
摘要：本发明公开一种本征可拉伸n型有机界面材料及其制备方法与应用。该材料以n型受体单元、胺基、溴或氯封端的聚甲基硅氧烷为原料，通过聚合反应制备得到。本发明提供了一种本征可拉伸n型有机界面材料，其制备方法是通过化学交联的方式将受体单元引入到直链型弹性材料中，在提高本征可拉伸性能的同时实现优异的电子传输特性以及高的电子迁移率。该本征可拉伸n型界面材料同时解决了传统有机界面材料本征不可拉伸性问题和传统界面材料电子迁移率低的问题。该类界面材料作为n型有机界面层材料，制备得到高稳定性、高拉伸性、高效率的有机光电器件。
一种拉伸有机界面材料及其制备方法应用

[实用新型]一种超宽带平坦的全光纤型圆起偏器-CN202220230204.4有效
发明人：任凯利;姚柯新;韩艳;梁磊;韩冬冬;郑益朋;王勇凯;刘继红;董军 -专利权人：西安邮电大学
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： G02B6/024 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种超宽带平坦的全光纤型圆起偏器，所述全光纤型圆起偏器为双螺旋啁啾型手征长周期光纤光栅，所述双螺旋啁啾型手征长周期光纤光栅若干双螺旋手征长周期光纤光栅依次连接形成；其中，所述双螺旋手征长周期光纤光栅的光栅周期位于其工作在色散转折点时对应的光栅周期范围内；所述双螺旋啁啾型手征长周期光纤光栅的光栅周期随着光纤轴位置变化。该全光纤圆起偏器工作在色散转折点附近，可以实现超宽带圆偏振滤波特性，同时对光纤光栅引入啁啾效应，使得光栅周期随着光纤轴位置变化，可以实现平坦滤波特性，从而实现工作带宽平坦、带宽较宽、体积小、成本低的全光纤型圆起偏器
一种宽带平坦光纤型圆起偏器

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200410079861.X无效
发明人：丰田泰之;曾根高真一 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2004-09-23 - 公布日： 2005-03-30 - 主分类号： H01L29/72 文献下载
摘要：一种半导体器件，具有低电阻的N型半导体基板(101)、形成在该N型半导体基板(101)上的N型的并且电阻比半导体基板(101)高的集电层(102)、与该集电层(102)具有接合面的P型的本征基区(104)、与该本征基区(104)具有接合面的N型的发射区(105)，其中，本征基区(104)的沿其周围，被从集电层(102)到达N型半导体基板(101)的绝缘槽(103)覆盖。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种超宽带平坦的全光纤型圆起偏器及制作方法-CN202210101888.2在审
发明人：任凯利;姚柯新;韩艳;梁磊;韩冬冬;郑益朋;王勇凯;刘继红;董军 -专利权人：西安邮电大学
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： G02B6/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种超宽带平坦的全光纤型圆起偏器及制作方法，制作方法包括：根据双螺旋手征长周期光纤光栅将纤芯基模耦合至高阶包层模所满足的第一相位匹配条件计算其工作在色散转折点时的光栅周期范围；对双螺旋手征长周期光纤光栅引入啁啾，得到双螺旋啁啾型手征长周期光纤光栅；根据光栅周期范围获取双螺旋啁啾型手征长周期光纤光栅中每个光栅段的光栅周期；在局部坐标系中建立双螺旋啁啾型手征长周期光纤光栅的目标耦合方程；根据光栅段输出端与输入端的振幅关系，结合目标耦合方程，计算每个光栅段的长度；根据光栅周期和长度制作得到全光纤型圆起偏器。该制作方法可以制作得到工作带宽平坦、带宽较宽、体积小、成本低的全光纤型圆起偏器。
一种宽带平坦光纤型圆起偏器制作方法

[发明专利]PIN二极管及其制造方法-CN201010504117.5有效
发明人：周正良;徐炯;刘冬华 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2010-10-12 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：本发明公开了一种PIN二极管，有圆片状N型阴极，圆片状N型阴极的中间部分上方生长有本征半导体，圆片状N型阴极的周边部分上方形成有圆环状N型外基区阴极，本征半导体远离N型阴极端的中央区域上方形成有圆片状P型阳极。本发明还公开了另一种PIN二极管，有圆环状N型阴极，圆环状N型阴极的中间部分上方生长有本征半导体，圆环状N型阴极的周边部分上方形成有圆环状N型外基区阴极，本征半导体远离N型阴极端的中央区域上方形成有圆片状P型阳极。本发明的PIN二极管，导通电阻低并且其制造工艺能兼容于BiCMOS工艺。本发明还公开了所述PIN二极管的制造方法。
pin 二极管及其制造方法

[发明专利]一种HJT电池及其制备方法-CN201910554740.2在审
发明人：龙会跃;成秋云;周奇瑞;罗志高;李斌 -专利权人：湖南红太阳光电科技有限公司
申请日： 2019-06-25 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种HJT电池及其制备方法，该电池包括N型硅片，其受光面和背光面上分别设有本征非晶硅层，本征非晶硅层上分别设有P型掺杂非晶硅层和N型掺杂非晶硅层，P型掺杂非晶硅层上依次设有IMO层和ITO层，N型掺杂非晶硅层上设有ITO导电膜层，ITO层和ITO导电膜层上分别设有金属栅线电极。其制备方法包括：对N型硅片进行制绒清洗，沉积/制备本征非晶硅层、P型掺杂非晶硅层、N型掺杂非晶硅层、IMO层、ITO层、ITO导电膜层、金属栅线电极。本发明HJT电池具有优异的电学性能，对于提高异质结电池的应用范围具有十分重要的意义，其制备方法具有工艺简单、量产门槛低、制备成本低、生产效率高等优点。
制备本征非晶硅层电池金属栅线电极背光异质结电池电学性能生产效率制绒清洗受光面沉积量产门槛应用

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