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[发明专利]一种形成MIM电容器结构的方法及MIM电容器-CN201110138130.8有效
发明人：郑春生;张亮;胡友存;陈玉文 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-05-26 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明一种形成MIM电容器结构的方法及MIM电容器，其第一金属层间绝缘层上覆盖第二金属层间绝缘层和第三金属层间绝缘层，其中在第一金属层间绝缘层的顶部设置的凹槽中沉积有金属层；在第二金属层间绝缘层中设有多个通孔，在通孔中依次沉积有下电极金属层、绝缘层和上电极金属，所述金属层与部分通孔中所沉积的下电极金属层电性接触，以及所有通孔中填充的上电极金属均相互电性连接；在第三金属层间绝缘层中设置的第一通孔中填充的金属将所述上电极金属电性导出至第三金属层间绝缘层外，作为一个电容端子，在第二金属层间绝缘层和第二金属层间绝缘层中设置的第二通孔中填充的金属将所述金属层电性导出至第三金属层间绝缘层外，作为另一个电容端子。
一种形成 mim 电容器结构方法

[发明专利]三维封装用金属间化合物填充的垂直通孔互连结构及制备方法-CN201210041014.9有效
发明人：于大全 -专利权人：江苏物联网研究发展中心
申请日： 2012-02-22 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明涉及一种三维封装用金属间化合物填充的垂直通孔互连结构及制备方法，其包括衬底，所述衬底内设有至少一个垂直贯通穿透衬底的通孔；所述通孔的内壁生长有绝缘层，并在所述生长绝缘层的通孔内填充有金属间化合物层，所述金属间化合物层与绝缘层间设有粘附层。本发明衬底内设有至少一个垂直贯通的通孔，通孔的内壁上生长有绝缘层，并在通孔内填充金属间化合物层，金属间化合物层与绝缘层间具有粘附层；通过金属间化合物层能够完成三维堆叠中所需的电连接，整个形成制作过程方便
三维封装金属化合物填充垂直互连结构制备方法

[发明专利]硅通孔的形成方法-CN201110109844.6有效
发明人：洪中山 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-04-28 - 公布日： 2012-10-31 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种硅通孔的形成方法，包括：提供硅衬底，在硅衬底上形成层间介质层；在层间介质层上形成硬掩模结构，所述硬掩模结构包括依次位于层间介质层上的第一硬掩模层、第二硬掩模层，所述第一硬掩模层包含金属；形成依次贯穿所述硬掩模结构、层间介质层、且底部位于硅衬底中的通孔；向所述通孔底部、侧壁及硬掩模结构上沉积绝缘材料，形成覆盖所述通孔底部、侧壁及硬掩模结构的绝缘层；依次去除位于硬掩模结构上的绝缘层、位于第一硬掩模层上的第二硬掩模层，直至露出所述第一硬掩模层；向所述通孔中填充导电材料；通过CMP去除第一硬掩模层直至露出层间介质层。本发明硅通孔的形成方法可改善所形成的硅通孔的性能。
硅通孔形成方法

[发明专利]包含MIM电容的后端结构的形成方法-CN202110718860.9在审
发明人：杨宏旭;刘俊文;陈华伦 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请公开了一种包含MIM电容的后端结构的形成方法，该MIM电容为台阶型，该MIM电容形成于第二层间介质中，第二层间介质形成于介质层上，介质层形成于第一层间介质上，第一层间介质中形成有金属连线，MIM电容的第二电极上方的层间介质的高度高于第一电极上方的层间介质的高度，第一电极上方的层间介质的高度高于金属连线上方的层间介质的高度，该方法包括：进行刻蚀，使第一目标区域的第一电极暴露，第二目标区域的第二电极暴露，第三目标区域的金属连线暴露，在第一目标区域形成第一通孔，在第二目标区域形成第二通孔，在第三目标区域形成第三通孔；形成金属层，金属层填充第一通孔、第二通孔和第三通孔；进行平坦化处理。
包含 mim 电容后端结构形成方法

[发明专利]具有衬底通孔的半导体器件和制造具有衬底通孔的半导体器件的方法-CN201980078619.5在审
发明人：伯恩哈德·勒夫勒;托马斯·博德纳;耶格·西格特 -专利权人： AMS有限公司
申请日： 2019-12-20 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：金属间电介质(3)和嵌入金属间电介质(3)中的金属层(4)布置在半导体材料的衬底(1)上。通孔(7)形成在衬底中，并且将接触金属层(4')之一的接触区(4*)的金属化层(9)施加在通孔中。在通孔的底部处部分地去除金属化层(9)、包括接触区(4*)的金属层(4')和金属间电介质(3)，以便形成穿透金属间电介质并延伸到通孔的孔(16)。连续钝化层(12)布置在通孔(7)和孔(16)内的侧壁上，并且金属化层(9)围绕孔(16)接触接触区(4*)。因此，避免存在通常在中空衬底通孔的底部处形成的层的薄膜。
具有衬底半导体器件制造方法

[发明专利]硅通孔的测试器件及其测试方法-CN201510653699.6有效
发明人：冯军宏;甘正浩 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2015-10-10 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：一种硅通孔的测试器件及其测试方法，其中测试结构包括：本发明利用层间介质层中的无应力点和硅通孔获得第一区域，在第一区域内外以及无应力点设置测试结构以获得相应位置层间介质层的击穿特性，通过比较不同位置层间介质层的击穿特性，判断所述硅通孔的测试器件中应力与离子扩散对层间介质层的影响，实现了将硅通孔的测试器件中应力与离子扩散对层间介质层的影响的分别测试，方便快捷。
硅通孔测试器件及其方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201910733450.4有效
发明人：蒋莉 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2019-08-09 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，其中，形成方法包括：提供衬底，衬底包括第一区和第二区，衬底上形成栅极结构和源漏掺杂区；在衬底上形成第一层间介质层；在第一区的第一层间介质层内形成若干金属插塞；在第一层间介质层上形成第二层间介质层；刻蚀第二层间介质层，在第一区形成露出金属插塞的第一通孔，在第二区形成露出第一层间介质层的第二通孔；在第一通孔内填充满第一钨层；在第一钨层上、第二层间介质层上、第二通孔的侧壁及底部形成粘合层；在第二通孔内填充满第二钨层本发明通过选择性沉积法在第一通孔内填充第一钨层，使形成的钨塞电阻值较小；另外，在第二通孔填充第二钨层，使第二层间介质层平整，从而有利于提高半导体的性能。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]金属互连结构及其形成方法-CN201410050434.2有效
发明人：周鸣 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2014-02-13 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：其中所述金属互连结构的形成方法包括：在半导体衬底上形成扩散阻挡层；在所述扩散阻挡层上形成第一层间介质层；在所述第一层间介质层上形成刻蚀停止层；在所述刻蚀停止层上形成第二层间介质层；依次蚀刻所述第二层间介质层、刻蚀停止层和第一层间介质层直至形成露出所述扩散阻挡层的通孔；蚀刻所述第二层间介质层直至形成与所述通孔贯通的沟槽，所述沟槽底部剩余第一厚度的所述第二层间介质层；沿所述通孔蚀刻所述扩散阻挡层直至所述通孔贯穿所述扩散阻挡层；在所述通孔和所述沟槽内填充满金属材料。所述形成方法形成的金属互连结构提高了层间介质层的击穿电压。
金属互连结构及其形成方法

[发明专利]印刷线路板、电子器件和线路连接方法-CN201480005938.0有效
发明人：柏仓和弘 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 2014-01-08 - 公布日： 2018-01-19 - 主分类号： H01P3/08 文献下载
摘要：印刷线路板被提供有线路层、第一地层、第二地层、接地通孔、信号通孔、第一间隙和第二间隙。线路层具有信号线。第一地层具有第一地平面。第二地层位于线路层和第一地层之间并且具有第二地平面。接地通孔穿过线路层、第一地层和第二地层并且被连接到第二地平面。信号通孔穿过线路层、第一地层和第二地层并且被连接到信号线。第一间隙被形成在第一地层中，位于信号通孔和接地通孔附近，并且将第一地平面与信号通孔和接地通孔分离。第二间隙被形成在第二地层中，位于信号通孔附近，并且将第二地平面与信号通孔分离。
印刷线路板电子器件线路连接方法

[发明专利]一种显示面板及其制备方法-CN201911189227.4有效
发明人：马应海;俞凤至;候旭;刘少伟;顾维杰;张振宇 -专利权人：云谷（固安）科技有限公司
申请日： 2019-11-28 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明中的显示面板，包括：堆叠设置的基板、第一介质层、功能层、第二介质层以及层间介质层，第二介质层包括第一阻挡膜，在第一条件下，第一阻挡膜的刻蚀速率大于层间介质层的刻蚀速率以及第二介质层的刻蚀速率，在第二条件下，第一阻挡膜的刻蚀速率小于层间介质层的刻蚀速率以及第二介质层的刻蚀速率；第一通孔，第一通孔自层间介质层延伸至功能层，且第一通孔贯穿层间介质层以及第一阻挡膜；第二通孔，第二通孔自层间介质层延伸至第一介质层，且第二通孔贯穿层间介质层以及第一阻挡膜。
一种显示面板及其制备方法

[发明专利]硅通孔的形成方法-CN201110338467.3有效
发明人：蒋莉 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-10-31 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种硅通孔的形成方法，包括：提供硅衬底，所述硅衬底上形成有层间介质层和贯穿所述层间介质层、且底部位于硅衬底中的通孔；形成覆盖所述通孔底部、侧壁及层间介质层的停止层；向所述通孔中填充导电材料，去除多余导电材料至露出层间介质层；对所述硅衬底进行第一次晶圆背面磨削，直至露出停止层；对所述硅衬底进行第二次晶圆背面磨削，直至露出导电材料，形成硅通孔。本发明硅通孔的形成方法改善了现有硅通孔形成工艺中因晶圆背面磨削工艺难控制和晶圆内部形态不均匀而造成的晶圆上大量MOS晶体管失效，保持晶圆背面平整，提高了所形成硅通孔环路的良品率。
硅通孔形成方法

[发明专利]形成半导体器件结构的方法-CN201010263287.9有效
发明人：聂佳相 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-08-19 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种形成半导体器件结构的方法，依次包括：提供前端器件结构，在前端器件结构上形成层间介质层，在层间介质层中形成通孔以及位于通孔上方的沟槽；在通孔、沟槽以及层间介质层的表面上依次形成第一阻挡层和第二阻挡层；采用溅射刻蚀工艺去除第一阻挡层和第二阻挡层位于通孔底部的部分；在通孔、沟槽以及层间介质层的表面上形成第三阻挡层，以形成半导体器件结构优选地，溅射刻蚀工艺步骤分两步进行。根据本发明，不仅能够解决由于通孔底部存在TaN层而产生的接触电阻增加的问题，还能够提高半导体器件的抗电迁移性。
形成半导体器件结构方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202011017177.4在审
发明人：呼翔 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2020-09-24 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供衬底、沟道结构、电源轨道线、栅极结构、源漏掺杂区以及层间介质层；形成贯穿位于部分电源轨道线上的层间介质层的导电通孔，包括底部通孔和位于底部通孔上的顶部通孔；在底部通孔中形成与电源轨道线相接触的底部插塞；在底部插塞上形成填充顶部通孔的填充介质层；对层间介质层和填充介质层进行刻蚀，形成贯穿源漏掺杂区顶部的层间介质层的互连槽、以及暴露出顶部通孔；对顶部通孔和互连槽进行填充，形成位于顶部通孔中且与底部插塞相接触的顶部插塞、以及位于互连槽中且与源漏掺杂区相接触的源漏互连层，顶部插塞与底部插塞构成导电插塞。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]接触孔形成方法-CN201010111143.1有效
发明人：杨昌辉;奚裴;肖海波 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2010-02-10 - 公布日： 2011-08-10 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：公开了一种接触孔形成方法，包括步骤：提供半导体结构，其包括衬底；位于衬底中及衬底上的MOS器件；覆盖MOS器件和衬底的层间介质层，所述层间介质层包括氧化物层和位于所述氧化物层上的氮化物层；对所述层间介质层进行刻蚀，刻蚀停止在衬底表面，在所述层间介质层中形成通孔，所述刻蚀的同时在通孔内形成刻蚀聚合物；对所述刻蚀聚合物和所述通孔暴露的衬底进行干法刻蚀，使所述通孔延伸至衬底内；用酸性溶液清洗，去除所述通孔内剩余的刻蚀聚合物该方法在减小对接触孔侧壁的损伤，提高了接触孔底部的接触电特性。
接触形成方法

[发明专利]线路板的层间导通结构与其制造方法-CN202110609941.5在审
发明人：张启民;陈庆盛;黄俊瑞;廖伟宇;林宜平 -专利权人：欣兴电子股份有限公司
申请日： 2021-06-01 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H05K1/11 文献下载
摘要：本发明是一种线路板的层间导通结构与其制造方法。该层间导通结构适于形成在线路板中，其中线路板包括两条走线与位于这些走线之间的绝缘部。绝缘部具有通孔。层间导通结构位于通孔中，并连接这些走线。层间导通结构包括柱体与一对凸出部。这些凸出部分别位于通孔的两端，并连接柱体与这些走线。这些凸出部分别凸出于这些走线的外表面。各个凸出部具有凸出曲面，其中凸出曲面与通孔的轴心之间的距离小于通孔的半径。如此，强化层间导通结构与走线之间相连接的部分的结构可被强化，降低或避免裂痕的形成。
线路板层间导通结构与其制造方法