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- [发明专利]一种沟道处理方法及存储介质-CN202310826153.0在审
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杨欣;郭振强;黄鹏;孙少俊
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华虹半导体（无锡）有限公司
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2023-07-06
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2023-10-24
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H01L21/762
- 本发明属于微电子技术领域，尤其涉及一种沟道处理方法及存储介质；于紧前的沟槽成型步骤形成基础拓扑即沟槽隔离结构（111），于内缩PB（Pull Back）的沟槽上进一步构造处置层的介质结构，即第五膜结构（050）；进而可结合沟槽隔离结构（111）的物理特征，例如浅沟槽隔离结构STI（Shallow Trench Isolation），生成功能单元，又如存储介质；其中，第五膜结构（050）可采用去耦合等离子氮化工艺DPN（Decoupled Plasma Nitridation）来构造，可有效缓冲高宽比制程HARP（High Ratio Process）在沟道产生的应力，亦可确保特定载流子的迁移率；其方法可有效改善静态随机存储器SRAM（Static Random Access Memory）的失配（Mismatch）特性，提升器件的一致性（Uniformity）、减少漏电并提升产品良率；其方法及产品的制备无须添置步骤，可在原制程上灵活升级。
- 一种沟道处理方法存储介质
- [发明专利]改善图像滞后的CIS器件-CN202110897329.2在审
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杨欣;孙少俊;黄鹏
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华虹半导体（无锡）有限公司
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2021-08-05
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2021-12-10
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H01L27/146
- 本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种改善图像滞后的CIS器件。改善图像滞后的CIS器件，所述改善图像滞后的CIS器件包括：多个光电二极管，每个光电二极管通过一传输门与浮动区连接，所述光电二极管中产生的信号电子通过所述传输门传送至所述浮动区中；所述光电二极管包括第一导电类型掺杂区，和位于所述第一导电类型掺杂区相邻上方的第二导电类型掺杂区；在靠近所述传输门位置处的第一导电类型掺杂区部分形成第一导电类型掺杂区A部分，所述第一导电类型掺杂区其他部分为第一导电类型掺杂区B部分；所述第一导电类型掺杂区A部分的掺杂浓度大于所述第一导电类型掺杂区B部分的掺杂浓度。
- 改善图像滞后cis器件
- [发明专利]CIS器件的源漏通孔刻蚀方法-CN202011421466.0在审
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孙少俊;张栋;杨欣
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华虹半导体（无锡）有限公司
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2020-12-07
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2021-04-09
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H01L27/146
- 本申请公开了一种CIS器件的源漏通孔刻蚀方法，涉及半导体制造领域。该方法包括提供制作有CIS器件的衬底；在衬底上依次形成第一金属硅化物阻挡层、第二金属硅化物阻挡层、通孔刻蚀停止层、层间介质层；通过光刻工艺定义源/漏通孔图案，CIS器件的源/漏区位于栅极结构的两侧；根据源/漏通孔图案，按第一刻蚀选择比自对准刻蚀层间介质层；根据源/漏通孔图案，按第二刻蚀选择比自对准刻蚀通孔刻蚀停止层和第二金属硅化物阻挡层；根据源/漏通孔图案，刻蚀第一金属硅化物阻挡层，形成源漏通孔；解决了目前小关键尺寸的CIS器件容易出现性能不达标的问题；达到了优化CIS产品的通孔工艺窗口，保证产品性能的效果。
- cis器件源漏通孔刻蚀方法
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