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[发明专利]有源矩阵基板和显示装置-CN201480049066.8在审
发明人：藤川阳介 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2014-08-27 - 公布日： 2016-04-20 - 主分类号： G09F9/30 文献下载
摘要：配线(34)具有内侧配线部(40)和外侧配线部(41)。内侧配线部(40)包含第1配线层(42)、第2配线层(43)以及连接第1配线层(42)和第2配线层(43)的连接部(44)。外侧配线部(41)包含第3配线层(45)。用多条配线(34)之中的相邻的一方配线(X)连接第2配线层(43)和第3配线层(45)，用相邻的另一方配线(Y)连接第1配线层(42)和第3配线层(45)。
有源矩阵显示装置

[发明专利]发光装置、光学装置以及测量装置-CN202011381393.7在审
发明人：井口大介;逆井一宏 -专利权人：富士胶片商业创新有限公司
申请日： 2020-12-01 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：本发明提供一种发光装置、光学装置以及测量装置，发光装置包括：配线基板，具有第一配线层、及经由绝缘层而与所述第一配线层邻接的第二配线层；以及激光部，具有阴极电极及阳极电极，搭载于所述配线基板而受到低侧驱动，其中，与所述阴极电极连接的阴极配线、及与所述阳极电极连接的阳极配线被设在所述第一配线层，连接于基准电位的基准电位配线被设在所述第一配线层及所述第二配线层，所述第二配线层的基准电位配线与所述阳极配线重合的面积，比所述第二配线层的基准电位配线与所述第一配线层的基准电位配线重合的面积大。
发光装置光学以及测量

[发明专利]配线衬底及半导体装置-CN202010768154.0在审
发明人：尾山幸史;中村三昌;佐野雄一 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2020-08-03 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明涉及一种配线衬底及半导体装置。一种配线衬底，具有：第1配线层，配置着高速配线；第2配线层，配置着传送比所述高速配线慢的信号的信号配线；及第3配线层，配置在所述第1配线层与所述第2配线层之间，包含电源配线或/及接地配线；且去除所述第1配线层的焊盘与所述信号配线不重叠的部分的所述电源配线或/及接地配线，将所述第1配线层的焊盘与所述信号配线重叠的部分的所述电源配线或/及接地配线以与所述信号配线重叠的方式配置。
衬底半导体装置

[发明专利]半导体存储装置-CN201910143424.6在审
发明人：关春海;三谷祐一郎;石原贵光 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2019-02-26 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： H01L27/11556 文献下载
摘要：实施方式的半导体存储装置具有：第1配线层；第2配线层，与第1配线层邻近配置；半导体层，设置在第1配线层与第2配线层之间；第1电荷蓄积层，设置在第1配线层与半导体层之间；以及第2电荷蓄积层，设置在第2配线层与半导体层之间第1配线层与第2配线层的第1距离比第1电荷蓄积层与第2电荷蓄积层的第2距离短。
半导体存储装置

[发明专利]图像传感器-CN202080007850.8在审
发明人：伊藤智美;山下和芳;正垣敦;朝山忍;伊藤真也;中川遥之;水田恭平;大木进;冈治;神村员人;松本拓治;西木户健树 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2020-02-28 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提供了一种图像传感器，其包括第一基板和第二基板，所述第一基板包括多个像素和多条垂直信号线以及多个第一配线层，所述第二基板包括多个第二配线层。所述第一基板和所述第二基板在所述多个第一配线层与所述多个第二配线层之间被固定在一起。第一焊盘设置在所述多个第一配线层中的一个第一配线层与所述多个第二配线层中的一个第二配线层之间，并且第二焊盘设置在所述多个第一配线层的另一个第一配线层和所述多个第二配线层中的另一个第二配线层之间。第一通孔和第二通孔将所述第一焊盘与所述多个第一配线层中的所述一个第一配线层和所述多个第二配线层中的所述一个配线层连接在一起。
图像传感器

[发明专利]半导体存储装置-CN201910675138.4有效
发明人：荒井史隆;后藤正和;近藤正树;细谷启司;百百信幸 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2019-07-24 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H10B43/10 文献下载
摘要：实施方式的半导体存储装置包含：第1配线层(33)；第1信号线(37)；第1存储单元MC，设置在第1配线层与第1信号线之间，存储第1信息；第2至第4配线层(SG0a～SGD2a)，积层在第1配线层的上方；第5至第7配线层(SG0b、CSL、及SG2b)，分别在第3方向上与第2至第4配线层分开地配置；第2信号线(45)，连接于第1信号线，并配置在第2配线层与第5配线层之间、第3配线层与第6配线层之间、及第4配线层与第7配线层之间；以及第3信号线(45)，连接于第1及第2信号线以及第6配线层，并配置在第2信号线与第5至第7配线层之间。
半导体存储装置

[发明专利]配线基板、配线基板的制造方法以及半导体封装件-CN200910140447.8无效
发明人：依田稔久;松元俊一郎;佐藤雅子 -专利权人：新光电气工业株式会社
申请日： 2009-05-15 - 公布日： 2009-11-18 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明公开一种配线基板、配线基板的制造方法以及半导体封装件。在所述配线基板中，多个配线层与多个绝缘层交替堆叠。所述配线层通过形成在所述绝缘层中的导通孔相互电连接。所述配线基板包括：连接焊盘，其布置在所述配线层中的位于最外配线层内侧的至少一个配线层上；以及外部连接端子，其布置在所述连接焊盘上并且从所述配线基板的表面突出来。所述外部连接端子穿过所述最外配线层。
配线基板制造方法以及半导体封装

[发明专利]发光装置、光学装置以及测量装置-CN202011384517.7在审
发明人：井口大介;逆井一宏 -专利权人：富士胶片商业创新有限公司
申请日： 2020-12-01 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： H01S5/026 文献下载
摘要：本发明提供一种发光装置、光学装置以及测量装置，发光装置包括：配线基板，具有第一配线层、及经由绝缘层而与所述第一配线层邻接的第二配线层；激光部，具有阴极电极及阳极电极，搭载于所述配线基板而受到低侧驱动；以及电容元件，搭载于所述配线基板，且对所述激光部供给驱动电流，其中，与所述阴极电极连接的阴极配线、及与所述阳极电极连接的阳极配线被设在所述第一配线层，连接于基准电位的基准电位配线被设在所述第二配线层，所述第二配线层的所述基准电位配线被设在与所述阳极配线重合的区域，所述阳极配线以包围所述电容元件的方式而设。
发光装置光学以及测量

[发明专利]半导体存储装置-CN201910854455.2在审
发明人：荒井史隆;细谷启司;百百信幸 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2019-09-10 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01L27/11517 文献下载
摘要：实施方式的半导体存储装置包含：第1配线(BL)；第2配线(SL)；第3配线(SG)；第4配线(WL)；第5配线(TG)；半导体层(46)，一端位于第4配线与第5配线之间，另一端连接于第1配线；存储单元(MC)；导电层，一端连接于第2配线，另一端连接于半导体层；第1绝缘层(45)，以延伸存在于第3配线与半导体层之间、第4配线与半导体层之间、及第5配线与导电层之间的方式设置；氧化物半导体层(44)，以延伸存在于第4配线与第1绝缘层之间、及第5配线与第1绝缘层之间的方式设置；以及第2绝缘层(43)，以延伸存在于第4配线与氧化物半导体层之间、及第5配线与氧化物半导体层之间的方式设置。
半导体存储装置

[发明专利]半导体装置-CN201480081265.7有效
发明人：及川隆一;落合俊彦;仮屋崎修一;萱岛祐治;木田刚 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2014-12-24 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L23/32 文献下载
摘要：半导体装置包括搭载在搭载于配线基板的中介部上且经由中介部而彼此电连接的第一及第二半导体部件。并且，中介部的多个配线层具有从作为基准的主面侧依次层叠的第一配线层、第二配线层及第三配线层。并且，在中介部的夹在第一半导体部件和第二半导体部件之间的第一区域中，第三配线层中的基准电位用配线的比例比第一配线层中的基准电位用配线的比例大。并且，在第一区域中，第一配线层中的信号用配线的比例比第三配线层中的信号用配线的比例大。
半导体装置

[发明专利]半导体存储装置-CN201910739355.5有效
发明人：清水公志郎 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2019-08-12 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H10B43/10 文献下载
摘要：实施方式的半导体存储装置具备：多个第1配线层；第2配线层，与多个第1配线层隔开配置；第3配线层，与多个第1配线层隔开配置，且在第2方向上与第2配线层相邻地配置；第1存储器柱，穿过第2配线层；第2存储器柱，穿过第3配线层；第1接触插塞，设置在第2配线层上；以及第2接触插塞，设置在第3配线层上。第2配线层包含与第1接触插塞连接的第1部分。第3配线层包含与第2接触插塞连接的第2部分。第1部分及第2部分沿着与第2方向交叉的第3方向配置。
半导体存储装置

[发明专利]配线基板的制造方法-CN201110076082.4无效
发明人：村松正树;西尾贤治;肥后一咏;佐藤裕纪;鸟居拓弥;和泉正郎 -专利权人：日本特殊陶业株式会社
申请日： 2011-03-23 - 公布日： 2011-09-28 - 主分类号： H05K3/18 文献下载
摘要：一种配线基板的制造方法，配线基板包括至少一个导体层和至少一个树脂绝缘层，所述方法包括通过利用激光照射树脂绝缘层的表面而在树脂绝缘层中形成配线沟槽的配线沟槽形成步骤，以及以使导体层的至少一部分被埋设在配线沟槽中以在配线沟槽中形成配线层的方式来形成导体层的配线层形成步骤
配线基板制造方法

[发明专利]半导体存储装置-CN202010130930.4在审
发明人：吉水康人 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2020-02-26 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L27/11519 文献下载
摘要：实施方式的半导体存储装置具备第1配线层、第2配线层、多个第3配线层、第1绝缘层、以及第1存储器柱。第2配线层与第1配线层电性连接。多个第3配线层在第1方向上的第1配线层与第2配线层之间相互在第1方向上隔开积层，且在与第1方向交叉的第2方向上延伸。第1绝缘层贯通多个第3配线层，第1配线层侧的端部与第1配线层的第1面相接，且在第2方向上延伸。第1存储器柱贯通多个第3配线层，侧面与在第2方向上延伸且朝向与第1及第2方向交叉的第3方向的第1绝缘层的第2面相接，第1配线层侧的端部与第1配线层的第1面相接，且包括：含有在第1方向上延伸的第1半导体层第1配线层的作为第1面的相反面的第3面与第2配线层的第1方向上的距离在与第1绝缘层对应的位置及与第3配线层对应的位置不同。
半导体存储装置

[发明专利]显示装置用基板、显示装置以及配线基板-CN200780051942.0有效
发明人：北角英人 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2007-12-19 - 公布日： 2009-12-30 - 主分类号： G09F9/30 文献下载
摘要：本发明提供能够提高配线设计的自由度、抑制配线不良并且使配线配置面积狭小化的显示装置用基板、显示装置以及配线基板。本发明是具有将多层层间绝缘膜和三层以上的配线层交替层叠在基板的一方主面侧的结构的显示装置用基板，上述显示装置用基板具有数据配线，上述数据配线位于作为从基板侧起第三个配线层的第三配线层或者位于比上述第三配线层更上层的配线层
显示装置用基板以及配线基板

[发明专利]立体厚膜真空荧光显示器及其制备方法-CN200410015967.3无效
发明人：陈晟;李迪 -专利权人：上海三星真空电子器件有限公司
申请日： 2004-01-19 - 公布日： 2005-07-27 - 主分类号： H01J31/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种立体厚膜真空荧光显示器及其制备方法，所述显示器基板上的绝缘层和配线层至少有二层，第一配线层嵌于第一绝缘层之中，第二配线层位于第一绝缘层之上、嵌于第二绝缘层之中，配线层之间相互绝缘，通孔层穿过绝缘层连接配线层与导电层所述方法控制绝缘层和配线层以及通孔层在基板上的布线印刷顺序依次是第一配线层、第一绝缘层、第二配线层、通孔层、第二绝缘层；控制同一绝缘层中的配线层间距大于或等于200μm、配线层与相邻通孔层间距大于或等于本发明在不增加VFD整体配线面积的情况下，提高了VFD上的配线数目，从而使新的VFD产品能够显示以往所不能显示的复杂的图形。
立体真空荧光显示器及其制备方法

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