专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]转子和具有其的电机和洗衣机以及转子的制造方法-CN201810475091.2有效
  • 王永生;张小文;李东明 - 无锡小天鹅电器有限公司
  • 2018-05-17 - 2022-02-01 - H02K1/2753
  • 本发明公开了一种转子及具有其的电机和洗衣机以及转子的制造方法,转子包括:转子轴;转子总成,转子总成通过注塑成型;多个外磁化磁极和多个内磁化磁极,外磁化磁极和内磁化磁极交替排列,外磁化磁极的整体磁化方向向外,内磁化磁极的整体磁化方向向内;外磁化磁极包括外磁化主磁体和偶数个外磁化辅磁体,外磁化主磁体的磁化方向向外,外磁化辅磁体的磁化方向向外且朝向外磁化主磁体;内磁化磁极包括内磁化主磁体和偶数个内磁化辅磁体,内磁化主磁体的磁化方向向内,内磁化辅磁体的磁化方向向内且背向内磁化主磁体;辅磁体的磁化方向与自身径向中心线的夹角满足不小于45°且不大于90°。
  • 转子具有电机洗衣机以及制造方法
  • [发明专利]磁阻效应元件的制造方法-CN200910007723.3无效
  • 高下雅弘;高岸雅幸;岩崎仁志;中村志保 - 株式会社东芝
  • 2007-02-16 - 2009-07-22 - H01L43/12
  • 本发明的磁阻效应元件的制造方法包括下列步骤:形成构造体,该构造体包括:包括磁化方向根据外部磁场而变化的磁化自由层、磁化方向固定于一个方向磁化固定层、以及置于磁化自由层和磁化固定层之间的中间层的磁阻效应薄膜;置于磁阻效应薄膜的磁化固定层上的磁耦合层;置于磁耦合层上的铁磁层;置于铁磁层上的反铁磁层;在与磁阻效应薄膜的薄膜表面平行并与磁化固定层的磁化方向垂直的方向上对磁化自由层施加偏置磁场的偏置机构部;以及用以使电流在从磁化固定层至磁化自由层的方向上通过的一对电极;以及对磁化自由层赋予初始磁化方向,该初始磁化方向相对于磁化固定层的磁化方向的角度大于等于100°且小于160°。
  • 磁阻效应元件制造方法
  • [发明专利]确定磁性薄膜难磁化方向的测试方法-CN201510016167.1有效
  • 隋文波;薛德胜;杨德政;史智文;郭党委 - 兰州大学
  • 2015-01-13 - 2017-12-12 - G01R33/12
  • 本发明公开了一种确定磁性薄膜难磁化方向的测试方法,包括,一确定样品难磁化方向的大致方向,根据测定初始剩余磁化强度后往任意方向转动一定角度,看磁化强度的大小来确定;二确定样品的难磁化方向大致位置,根据每转动一定角度记录的磁化强度大小,当由大变小再变大时,最小点所处的位置就是难磁化的大致方向。三确定难磁化方向,将转动角度减小至5°,找到磁化强度最小的点,此位置即样品的难磁化方向。在每次转动过程中,并不是均加场饱和再降为零读取剩余磁化强度,而是转动后直接读取磁化强度的数值进行比较,有效且快速的找到样品的难磁化方向
  • 确定磁性薄膜磁化方向测试方法
  • [发明专利]磁畴壁移动元件、磁记录阵列和半导体装置-CN202080010360.3有效
  • 山田章悟;柴田龙雄;石谷优刚 - TDK株式会社
  • 2020-05-15 - 2023-08-29 - H10N50/10
  • 本实施方式的磁畴壁移动元件包括:第1铁磁性层;向第2方向延伸、能够进行磁记录的第2铁磁性层;非磁性层;以及具有第1中间层的第1导电部和具有第2中间层的第2导电部,所述第1中间层在第1方向上被与所述第2铁磁性层相接表现第1磁化方向的第1磁化区域和表现与所述第1磁化方向不同的第2磁化方向的第2磁化区域夹持,所述第2中间层在所述第1方向上被与所述第2铁磁性层相接表现所述第2磁化方向的第3磁化区域和表现所述第1磁化方向的第4磁化区域夹持,在沿着所述第1方向和所述第2方向的截断面,所述第1磁化区域的面积比所述第2磁化区域的面积大,所述第3磁化区域的面积比所述第4磁化区域的面积小。
  • 磁畴壁移动元件记录阵列半导体装置
  • [发明专利]永磁体的角度误差的校正-CN201380072429.5在审
  • F·格伦瓦尔德 - 大陆-特韦斯贸易合伙股份公司及两合公司
  • 2013-12-09 - 2015-10-07 - H01F7/02
  • 本发明涉及一种磁体装置(1),其包括至少两个彼此机械连接的子磁体(2,3),每个子磁体(2,3)的长度(12)沿着每个子磁体(2,3)的主磁化方向(4)和/或沿着子磁体(2,3)可被磁化或设置其磁化的主方向3)在关于其长度(12)的端部处的彼此对置的区域被确定为第一侧(5)和第二侧(6),其中,所述至少两个子磁体(2,3)关于其长度(12)前后相继地设置并且彼此连接,其中所述至少两个子磁体(2,3)在其磁化和/或可磁化性方面这样相对于彼此取向,使得尤其是关于整个磁体装置的磁化和/或可磁化性,一个子磁体(2)的磁化和/或可磁化性的方向与可磁化性的主磁化方向(4)和/或主方向(4)的偏差降低和/或基本上补偿另一个或相邻子磁体(3)的磁化和/或可磁化性的方向与可磁化性的主磁化方向(4)和/或主方向(4)的偏差。
  • 永磁体角度误差校正
  • [发明专利]存储元件和存储器-CN200710165918.1无效
  • 五十岚实 - 索尼株式会社
  • 2007-11-02 - 2008-05-07 - H01L43/08
  • 一种存储元件,其包括:存储层,基于磁性材料的磁化状态来存储信息;以及磁化方向固定的磁化固定层,并且在存储层和磁化固定层之间设置有非磁性层。通过沿堆叠方向施加电流以改变存储层的磁化方向来将信息记录在存储层中。磁化固定层包括多个铁磁层,在多个铁磁层之间堆叠有非磁性层,并且磁化固定层包括具有沿堆叠方向磁化分量和沿各自相反方向磁化磁化区域。这些磁化区域形成在多个铁磁层之中最接近存储层放置的至少一个铁磁层的两端处。
  • 存储元件存储器
  • [发明专利]防伪元件的检测方法和防伪检测结构-CN202111415152.4在审
  • 张岩;田子纯;周晓辉;安子腾 - 中钞特种防伪科技有限公司;中国印钞造币集团有限公司
  • 2021-11-25 - 2023-05-26 - G07D7/04
  • 本发明提供了一种防伪元件的检测方法和防伪检测结构,防伪元件包括多个磁性区域,至少一个磁性区域具有易磁化轴,易磁化轴的方向与防伪元件的基材的表面垂直,或者易磁化轴的方向平行于基材的表面且与基材的长度方向呈锐角或钝角,防伪元件的检测方法包括:步骤S10:采用磁场强度大于多个磁性区域的矫顽力强度的磁化元件对防伪元件进行磁化,使得多个磁性区域的磁化作用沿磁化方向排列;步骤S20:获取传感器,传感器沿垂直于磁化元件的磁化方向对防伪元件进行检测,得到防伪元件的磁信号;步骤S30:根据磁信号确定各个磁性区域的易磁化轴的方向。本发明解决了现有技术中防伪元件存在易磁化轴的方向不易检测的问题。
  • 防伪元件检测方法结构
  • [发明专利]磁性防伪元件及磁性防伪产品-CN202011269932.8有效
  • 田子纯;张岩;周晓辉 - 中钞特种防伪科技有限公司;中国印钞造币总公司
  • 2020-11-13 - 2022-04-15 - B42D25/369
  • 所述磁性防伪元件包括:基材;以及形成于所述基材表面上的至少第一可编码磁性区域和第二可编码磁性区域,其中,所述第一可编码磁性区域在第一磁化方向的剩余磁矩是在第二磁化方向的剩余磁矩的两倍或更多倍,所述第二可编码磁性区域在第三磁化方向的剩余磁矩是在第四磁化方向的剩余磁矩的两倍或更多倍,其中所述第一磁化方向与所述第二磁化方向垂直,所述第三磁化方向与所述第四磁化方向垂直,且所述第一磁化方向与所述第三磁化方向不平行,其中所述第一可编码磁性区域和所述第二可编码磁性区域由同一种磁性材料组成。
  • 磁性防伪元件产品

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