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[发明专利]具有复合过渡层的发光二极管外延片及其制备方法-CN202110520704.1有效
发明人：王群;郭炳磊;葛永晖;王江波;董彬忠;李鹏 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2021-05-13 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：复合过渡层中SiO2子层层叠在n型GaN层上，SiO2子层本身材料的热膨胀系数小，减小对多量子阱层的影响。保证多量子阱层的发光质量。SiO2子层在衬底的表面的正投影呈网状，SiO2子层阻挡部分的位错。AlGaN子层生长时，两个方向生长所产生的位错可以相互湮灭，AlGaN子层内的缺陷较少，保证多量子阱层的质量的同时有效阻隔了位错延伸至多量子阱层内。多量子阱层的晶体质量得到提高，可以减小非辐射复合，提高发光二极管的发光效率。
具有复合过渡发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]一种LED外延片的制作方法-CN202110348835.6有效
发明人：徐平 -专利权人：湘能华磊光电股份有限公司
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：外延片的制作方法，包括以下步骤，步骤3、在AlN层上间隔制作多个凸起的圆锥体；步骤4、在AlN层上间隔制作多个凹陷且倒置的圆锥腔，所述圆锥腔与圆锥体交错设置且两两不相连；步骤5、在AlN层上周期性生长多个多量子阱发光层，每个所述多量子阱发光层均包括依次生长的InGaN阱层和GaN垒层，其中，第一周期生长的多量子阱发光层用于填满所述步骤4中的圆锥腔，从第二周期开始，后一周期生长的多量子阱发光层均位于包含AlN层和前一周期生长的多量子阱发光层的整体结构上
一种 led 外延制作方法

[发明专利]一种LED芯片及其制作方法、显示模组、终端-CN202010177485.7有效
发明人：熊充;曲爽;朱家庆;余俊逸 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2020-03-13 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：该发光二极管LED芯片包括N型掺杂半导体层、P型掺杂半导体层、第一多量子阱层、第二多量子阱层。第一多量子阱层、第二量子阱层层叠设置，且位于N型掺杂半导体层和P型掺杂半导体层之间。第一多量子阱层用于在N型掺杂半导体层和P型掺杂半导体层之间的电场的激发下发出第一蓝光。第二多量子阱层用于在N型掺杂半导体层和P型掺杂半导体层之间的电场的激发下发出第二蓝光。
一种 led 芯片及其制作方法显示模组终端

[发明专利]选择区域外延叠层行波电吸收调制激光器的制作方法-CN200710304254.2无效
发明人：王桓;朱洪亮;潘教青;程远兵 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2007-12-26 - 公布日： 2009-07-01 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本发明是一种选择区域外延叠层行波电吸收调制激光器的制作方法，包括：在半绝缘InP衬底上制作掩膜条图形；依次外延生长重掺杂n-InP缓冲层、1.2Q下限制层、调制器的多量子阱结构、激光器的多量子阱结构、1.2Q上限制层与n-InP反型层；将选择区域外延区叠层多量子阱结构中的上叠层多量子阱结构和光端区域的下叠层多量子阱结构、1.2Q下限制层腐蚀掉；在大面积生长区制作光栅，光栅刻透反型层并深入1.2Q上限制层；依次外延生长
选择区域外延行波吸收调制激光器制作方法

[发明专利]模式相干的双模半导体激光器结构-CN200710099862.4无效
发明人：王列松;赵玲娟;王圩;朱洪亮;潘教青;梁松 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2007-05-31 - 公布日： 2008-12-03 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：一种模式相干的双模半导体激光器结构，其中包括：一基底；一缓冲层，该缓冲层制作在基底上；一下限制层，该下限制层制作在缓冲层上；一多量子阱有源层，该多量子阱有源层制作在下限制层上，该多量子阱有源层为五段结构，两端为锯齿状，中间为平面结构，在中间与锯齿状结构之间的两段结构内注入磷；一上限制层，该上限制层制作在多量子阱有源层上的锯齿状的上面及中间部分；一盖层，该盖层制作在多量子阱有源层及上限制层的上面；一刻蚀阻止层
模式相干双模半导体激光器结构

[实用新型]一种激光打标控制卡-CN201920077725.9有效
发明人：殷玉生 -专利权人：北京志恒达科技有限公司
申请日： 2019-01-17 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： G05B19/042 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种激光打标控制卡，其包括：主芯片FPGA、多量程输入电路和极性选择电路、EMC电路等，所述多量程输入电路和极性选择电路输入端与工业现场传感器相连接，所述多量程输入电路和极性选择电路的输出端与所述本实用新型针对激光打标控制卡的输入接口设计了两种电子电路，一种是多量程和极性选择电路，扩展了激光打标控制卡输入电路的应用范围；另一种是EMC电路，克服了外接输入传感器带来的电磁干扰。通过在激光打标控制卡的电路中加入多量程输入和极性选择电路以及EMC电路，扩展了激光打标控制卡输入电路的应用范围，克服了外接输入传感器带来的电磁干扰。
激光打标控制卡极性选择电路输入电路多量程本实用新型输入传感器电磁干扰输出端主芯片外接输入端连接电子电路工业现场输入接口传感器输入端应用电路

[实用新型]一种Micro LED芯片以及生长基板-CN202221579457.9有效
发明人：杨梅慧;林伟瀚;胡文党 -专利权人：康佳集团股份有限公司
申请日： 2022-06-22 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种Micro LED芯片以及生长基板，其中，所述Micro LED芯片包括N型材料层、N型电极层、若干个多量子阱层、若干个P型材料层和若干个P型电极层，若干个所述多量子阱层阵列排布于所述N型材料层上；所述P型材料层设于所述多量子阱层上；所述P型电极层设于所述P型材料层上；所述N型电极层设于所述N型材料层上。本申请公开的Micro LED芯片将若干个多量子阱层都设置在N型材料层上，并且在N型材料层上设置N型电极层，使单个芯片上的多量子阱发光结构共用一个N电极，从而节省芯片尺寸，有利于减小Micro LED芯片的体积
一种 micro led 芯片以及生长

[实用新型]光电传感芯片-CN202222418805.0有效
发明人：顾溢;刘大福;李雪 -专利权人：无锡中科德芯感知科技有限公司
申请日： 2022-09-13 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01S5/026 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种光电传感芯片，该光电传感芯片包括：N型衬底、多量子阱结构、金属电极以及电隔离沟；多量子阱结构从N型衬底上外延生长，其中，多量子阱结构由下到上具体包括过渡层、缓冲层、下波导层、多量子阱层、上波导层以及接触层；电隔离沟分隔了下波导层、多量子阱层、上波导层、接触层，以电隔离沟为分界，光电传感芯片被分为激光器区、探测器区。
光电传感芯片

[发明专利]具有电荷载流子的改进分布的光敏器件及其形成方法-CN201280068513.5在审
发明人：尚塔尔·艾尔纳 -专利权人：索泰克公司
申请日： 2012-12-17 - 公布日： 2014-10-08 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：发射辐射的半导体器件包括：第一基底区，该第一基底区包括n型III-V半导体材料；第二基底区，该第二基底区包括p型III-V半导体材料；以及多量子阱结构，该多量子阱结构被布置在所述第一基底区与所述第二基底区之间所述多量子阱结构包括至少三个量子阱区和至少两个势垒区。所述量子阱区中的第三个与所述量子阱区中的第二个之间的空穴能量势垒小于所述量子阱区中的第二个与所述量子阱区中的第一个之间的空穴能量势垒。形成这样的器件的方法包括：顺序地外延地沉积这样的多量子阱结构的层；以及选择所述层的组分和构造使得所述空穴能量势垒跨越所述多量子阱结构变化。
具有电荷载流子改进分布光敏器件及其形成方法

[发明专利]带有多量子阱结构的光电子半导体芯片-CN200880108978.2有效
发明人：彼得·施陶斯;马蒂亚斯·彼得;亚历山大·沃尔特 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2008-09-12 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提出了一种光电子半导体芯片，其具有有源区(20)，该有源区包含设计用于产生电磁辐射的多量子阱结构，该多量子阱结构具有多个相继的量子阱层(210，220，230)。多量子阱结构具有至少一个第一量子阱层(210)，其被n导电地掺杂并且设置在与所述第一量子阱层(210)邻接的n导电地掺杂的两个势垒层(250)之间。多量子阱结构具有第二量子阱层(220)，其未掺杂并且设置在与所述第二量子阱层邻接的两个势垒层(250，260)之间，其中一个势垒层n导电地掺杂而另一个未掺杂。此外，多量子阱结构具有至少一个第三量子阱层(230)，其未掺杂并且设置在与所述第三量子阱层邻接的未掺杂的两个势垒层(260)之间。
带有多量结构光电子半导体芯片

[发明专利]具有n-AlGaN层纳米多孔结构深紫外LED器件及其制作方法-CN202110593673.2在审
发明人：云峰;王傲霜;张烨 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2021-05-28 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有n‑AlGaN层纳米多孔结构深紫外LED器件及其制作方法，包括蓝宝石衬底、AlN层、n‑AlGaN层、多量子阱层、p‑AlGaN层、p‑GaN层、p电极及n电极；n‑AlGaN层及AlN层自上到下依次设置于蓝宝石衬底上，n电极及多量子阱层设置于n‑AlGaN层上，p电极10、p‑GaN层、p‑AlGaN层及多量子阱层自上到下依次设置于n‑AlGaN层上；n‑AlGaN层内设置有纳米多孔结构，其中，所述纳米多孔结构位于n电极及多量子阱层的正下方，该LED器件及其制作方法能够有效实现光提取效率的增强。
具有 algan 纳米多孔结构深紫 led 器件及其制作方法

[发明专利]基于多量子位门的量子计算机架构-CN201980088413.0在审
发明人：金正生;南运盛;克里斯托弗·门罗 -专利权人：爱奥尼克公司;马里兰大学帕克分校;杜克大学
申请日： 2019-12-12 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： G06N10/00 文献下载
摘要：本公开描述了多量子位门架构的实际实施方式的各个方面。该方法包括启用离子阱中具有三个能级的离子；在离子阱中离子的运动基态启用低速升温运动模式(例如，锯齿形模式)；以及使用低速升温运动模式作为CZ协议的运动状态和所述能级之一作为CZ协议的辅助状态执行CZ协议，其中执行CZ协议包括实现多量子位门该方法还包括使用多量子位门执行一种或多种算法，包括Grover算法、Shor因子分解算法、量子近似优化算法(QAOA)、纠错算法以及量子模拟和哈密顿模拟。还描述了支持实现该多量子位门架构的相应系统。
基于多量子位门量子计算机架构

[发明专利]一种具有双电子阻挡层的深紫外发光器件及其制备方法-CN202111683645.6在审
发明人：郭泽昊;胡新星;赵海明;仇成功;左万胜;袁松;钮应喜 -专利权人：芜湖启迪半导体有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：一种具有双电子阻挡层的深紫外发光器件及其制备方法，属于发光二极管的制备技术领域，该深紫外发光器件，包括由下而上设置的电子注入层、多量子阱层和空穴注入层，电子注入层和多量子阱层之间设置有铝组分呈梯度渐变的第一电子阻挡层，空穴注入层和多量子阱层之间设置有铝组分呈尖峰式渐变的第二电子阻挡层，本发明的有益效果是，本发明通过改进器件结构和电子阻挡层结构，有效解决了电子溢流效应，增加了向多量子阱层中注入的空穴数量，削弱了能带弯曲现象
一种具有电子阻挡深紫发光器件及其制备方法

[发明专利]具有到多个有源层中的选择性载流子注入的发光结构-CN202210277470.7在审
发明人： H.S.埃尔-戈劳里;M.V.基辛;Y-C.M.叶;庄奇理;J-C.陈 -专利权人：奥斯坦多科技公司
申请日： 2016-06-03 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：本文所讨论的实施例的示例尤其包括：具有RGB色域的全覆盖范围的在可见光范围内操作的多量子阱可变颜色LED；具有超出标准RGB色域的扩展颜色色域的在可见光范围内操作的多量子阱可变颜色LED，具有可变色温的多量子阱发射白光LED和具有均匀填充的有源层的多量子阱LED。
具有到多个有源中的选择性载流子注入发光结构

[发明专利]SOI基多量子阱波导结构及其制备方法-CN202111121612.2在审
发明人：曾虹谙;闫旭亮;李黎 -专利权人：华润微电子（重庆）有限公司
申请日： 2021-09-24 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：本发明提供一种SOI基多量子阱波导结构及其制备方法，SOI基多量子阱波导结构包括SOI衬底、N型缓冲层、多量子阱波导层、P型包层及P型电极层，本发明将具有Ⅲ‑Ⅴ族多量子阱波导结构键合在SOI衬底上，形成一种全新的硅基光波导
soi 基多量子波导结构及其制备方法