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[发明专利]一种发光二极管的外延片的制备方法及外延片-CN201811093442.X有效
发明人：曹阳;周盈盈;郭炳磊;乔楠;张武斌;吕蒙普;胡加辉 -专利权人：华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2018-09-19 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：衬底上依次生长缓冲层、N型GaN层、复合层、InGaN/GaN多量子阱层与P型GaN层时，复合层中N型低压AlN层的生长压力为100～200Torr，此时N型低压AlN层与N型GaN层连接良好，N型低压AlN层的生长质量得到保证，且未掺杂AlGaN层既含有与AlN层共用的Al原子与N原子，又含有与InGaN/GaN多量子阱层中共用的Ga原子与N原子，因此未掺杂AlGaN层与InGaN/GaN多量子阱层的晶体质量都有保证复合层中的N型低压AlN层在保证进入InGaN/GaN多量子阱层的电子数量的同时增大电子进入InGaN/GaN多量子阱层的面积，提高发光二极管的发光效率且复合层的整体晶体质量较好，发光二极管的发光效率能够得到较大提高
一种发光二极管外延制备方法

[发明专利]一种多量子阱结构及其发光二极管-CN201710252090.7有效
发明人：江汉;蓝永凌;黄文宾;宋长伟;黄理承;寻飞林;林兓兓;蔡吉明;张家宏 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2017-04-18 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种多量子阱结构及其发光二极管，该多量子阱结构包括应力释放层、电子收集层和发光层，所述发光层包括若干个交替生长的势垒层和势阱层，其中至少一个势垒层为GaN/AlIn_yGa_(1‑x‑y)N/GaN结构，0＜x≤1，0≤y＜1，其余势垒层为GaN结构；该发光二极管至少包括一衬底，及依次位于衬底上的缓冲层、N型层、多量子阱结构层本发明通过在多量子阱结构的各层中设置禁带宽度高于GaN的势垒层，相当于把现有结构中的电子阻挡层分散于多量子阱结构层中，对电子起到分散阻挡的作用，增强电子阻挡效果，改善大电流密度下电子溢流现象及由此引起的
一种多量结构及其发光二极管

[发明专利]一种发光二极管的芯片及其制备方法-CN201710737017.9有效
发明人：王群;郭炳磊;魏晓骏;董彬忠;李鹏;王江波 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2017-08-24 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：所述芯片包括衬底以及依次层叠在所述衬底上的N型氮化镓层、多量子阱层和P型氮化镓层，所述P型氮化镓层上设有延伸至所述N型氮化镓层的第一凹槽，所述第一凹槽内的N型氮化镓层上设有N型电极，所述P型氮化镓层上设有P型电极，所述P型氮化镓层上还设有延伸至所述多量子阱层的第二凹槽，所述第二凹槽内的多量子阱层上设有两个磁性材料层，所述两个磁性材料层相对设置，所述两个磁性材料层相对的侧面为异名磁极，所述P型氮化镓层夹在所述两个磁性材料层之间本发明可以增加注入多量子阱层的空穴数量，进而增加多量子阱层内的复合发光，最终提高发光二极管的发光效率。
一种发光二极管芯片及其制备方法

[发明专利]紫光LED外延结构及其生长方法-CN201710704823.6有效
发明人：吴礼清;周长健 -专利权人：合肥彩虹蓝光科技有限公司
申请日： 2017-08-17 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供一种紫光LED外延结构，该外延结构由下向上的顺序依次为：AlN Buffer层、高温UGaN层、复合N型GaN层、多量子阱结构MQW、有源区发光多量子阱层、EBL电子阻挡层和P型GaN层；有源区发光多量子阱层由n层In_xGa_1‑xN/Al_yGa_1‑yN多量子阱组成；每层In_xGa_1‑xN/Al_yGa_1‑yN多量子阱由主势垒和嵌套在所述主势垒中间的活动势垒组成；主势垒由Al_yGa_1‑yN组成，主势垒高度随
紫光 led 外延结构及其生长方法

[发明专利]一种发光二极管及其制造方法-CN201110275878.2无效
发明人：高成 -专利权人：协鑫光电科技（张家港）有限公司
申请日： 2011-09-16 - 公布日： 2012-01-25 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：其中，所述发光二极管包括：第一半导体层、和位于所述第一半导体层上方的第二半导体层；夹设在第一半导体层和第二半导体层之间的多量子阱层，多量子阱层包括至少两个多量子阱结构，相邻的多量子阱结构之间相互连接以使得第一半导体层和第二半导体层相隔离，其中，所述至少两个多量子阱结构的厚度各不相等，且沿第一位置到第二位置的方向，逐渐递减；所述第一位置是所述第一半导体层上用于沉积N电极的位置，所述第二位置是所述第二半导体层上用于沉积P电极的位置。
一种发光二极管及其制造方法

[发明专利]一种LED外延结构生长方法-CN201810348917.9在审
发明人：徐平 -专利权人：湘能华磊光电股份有限公司
申请日： 2018-04-18 - 公布日： 2018-09-18 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种LED外延结构生长方法，依次包括：处理衬底、生长低温缓冲层GaN、生长不掺杂GaN层、生长掺杂Si的N型GaN层、交替生长InxGa(1‑x)N/GaN多量子阱层、生长AlGaN电子阻挡层本发明通过设计量子阱阱层In含量渐变、垒层温度渐变且厚度渐变的多量子阱结构来解决现有LED多量子阱层中存在的空穴注入不足、电子泄露严重及量子阱辐射复合效率低下的问题，从而提高LED的发光效率。
生长多量子阱层量子阱渐变掺杂多量子阱结构辐射复合效率不掺杂GaN层空穴低温缓冲层电子阻挡层发光效率厚度渐变降温冷却交替生长衬底垒层阱层泄露申请

[发明专利]白光发光二极管-CN201210383187.9在审
发明人：金泽 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2012-10-10 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：该白光发光二极管包括：第一半导体层，包括从第一半导体层的上表面向上突出的多个六棱锥形纳米结构；至少两个多量子阱层，顺序堆叠在六棱锥形纳米结构上；和第二半导体层，形成在该多量子阱层上。至少两个多量子阱层产生具有不同波长的光，通过混合具有不同波长的光而产生白光。
白光发光二极管

[发明专利]一种LED芯片及其制备方法-CN201710565517.9在审
发明人：邬新根;刘英策;李俊贤;吴奇隆;魏振东;周弘毅;蔡丽鹤;黄兴茂 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2017-07-12 - 公布日： 2017-10-24 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种LED芯片及其制备方法，其中，所述LED芯片的制备方法在制备反射层之前，在所述外延结构表面形成了一层包括多个绝缘单元的绝缘层，每个所述绝缘单元覆盖一个所述外延结构的多量子阱的侧壁，避免了在制备反射层的过程中，反射层材料污染或渗透到多量子阱层中的情况出现，避免了多量子阱层因此而失效的情况出现，提升了倒装LED芯片的制备良率。
一种 led 芯片及其制备方法

[发明专利]高速调制激光器-CN202080103897.4在审
发明人：陈欣 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2020-08-13 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： G02F1/017 文献下载
摘要：描述了一种调制激光器，包括光学耦合到调制器(50)的激光器(30)，所述调制器(50)具有本征区(52)，所述本征区(52)包括：多量子阱材料(41)；场控制层(42)，具有掺杂密度，以增强所述多量子阱材料中的电场；收集层(43)，具有比所述多量子阱材料(41)的带隙更高的带隙。
高速调制激光器

[发明专利]一种利用荧光光谱测量半导体量子点尺寸分布的方法-CN200810035500.3无效
发明人：陆卫;杨希峰;陈平平;李天信;甄红楼;张波;李宁;李志锋;陈效双 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2008-04-02 - 公布日： 2008-08-27 - 主分类号： G01N21/64 文献下载
摘要：该方法通过实测半导体多量子点体系的PL谱；从有效质量近似下的含时微扰的薛定谔方程出发，计算半导体多量子点的PL谱；而后通过理论和实验PL谱对照获得量子点的尺寸分布，其中，PL谱的中心波长对应占比率最大的量子点的复合发光本发明操作简便，耗时短；可以明确获得半导体多量子点体系的尺寸分布。
一种利用荧光光谱测量半导体量子尺寸分布方法

[实用新型]一种具有复合式多量子阱层的发光二极管-CN201620700373.4有效
发明人： -专利权人：
申请日： 2016-07-06 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体技术领域，具体涉及一种具有复合式多量子阱层的发光二极管，其至少包括：一衬底，及依次位于所述衬底上的N型层、复合式多量子阱层和P型层，所述复合式多量子阱层包括周期性层叠的势垒层和势阱层
一种具有复合多量子阱层发光二极管

[实用新型]一种UV LED外延结构-CN201921520905.6有效
发明人：李志聪;曹俊文;戴俊;王国宏 -专利权人：扬州中科半导体照明有限公司
申请日： 2019-09-09 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：一种UV LED外延结构，涉及LED外延生长技术领域和近紫外UV LED固化技术领域，自下而上包括：衬底、缓冲层、非故意掺杂AlGaN层、n型掺杂AlGaN层、多量子阱有源层、电子阻挡层和p型掺杂AlGaN层，多量子阱有源层包括多量子阱有源层第一、第二和第三发光层。
一种 uv led 外延结构

[发明专利]一种氮化镓基LED外延结构-CN201610003586.6在审
发明人：冯雅清 -专利权人：冯雅清
申请日： 2016-01-04 - 公布日： 2016-04-13 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：一种氮化镓基LED外延结构，包括在衬底层上依次生长的GaN缓冲层、uGaN层、n型GaN：Si层、InGaN/GaN多量子阱层、p型AlGaN电子阻挡层和p型GaN：Mg层，其特征在于，在InGaN/GaN多量子阱层和p型AlGaN电子阻挡层之间插入一层厚度为5-100nm的低温p型InAlGaN层。本发明通过在InGaN/GaN多量子阱层和p型AlGaN电子阻挡层之间插入一层低温p型InAlGaN层，其生长温度为600-900℃，不会使在其之前生长的InGaN/GaN多量子阱层遭到破坏，从而避免了影响发光二极管的发光效率
一种氮化 led 外延结构

[发明专利]半导体发光元件-CN201511012848.7在审
发明人：江汉;蓝永凌;黄文宾;林兓兓;张家宏 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2015-12-31 - 公布日： 2016-03-23 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，尤其涉及半导体发光元件，该半导体发光元件，包括一基板，及依次形成于所述基板上的氮化物缓冲层、n型层、浅量子阱层、多量子阱层和p型层，其特征在于：于所述浅量子阱层与多量子阱层之间还插入一复合结构层利用复合结构层中p型杂质向所述浅量子阱层和多量子阱层迁移的特性，增加多量子阱层发光强度的同时促使浅量子阱层和复合结构层发光，增加半导体元件出光面积，继而提升其发光强度。
半导体发光元件

[发明专利]解决量子阱红外探测器阵列与读出电路之间应力的方法-CN201610949366.2在审
发明人：孙捷;种明;苏艳梅 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2016-10-26 - 公布日： 2017-03-15 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种解决量子阱红外探测器阵列与读出电路之间应力的方法，包括如下步骤在一衬底上制作多量子阱红外探测器材料；在多量子阱红外探测器材料上按照预定间距向下刻蚀，形成多个像元之间的隔离槽，刻蚀深度至衬底内；在刻蚀隔离槽后的多量子阱红外探测器材料上制作In柱；将一读出电路置放在In柱上，使多量子阱红外探测器材料和读出电路通过In柱互连；在In柱的周围灌注胶，胶的作用是互连固化；把衬底第一次减薄；将衬底抛光，第二次减薄；继续腐蚀衬底，第三次减薄，直至暴露出衬底上的隔离槽
解决量子红外探测器阵列读出电路之间应力方法