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[发明专利]微型发光二极管的制备方法-CN201910326884.2有效
发明人：从颖;姚振;胡加辉;李鹏 -专利权人：华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2019-04-23 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：进一步降低生长转速进行InGaN/GaN多量子阱层的生长，可保证InGaN/GaN多量子阱层以相较n型层更低的生长速率进行生长，In原子分布可以更均匀，InGaN/GaN多量子阱层中的In原子也有足够的时间渗入InGaN/GaN多量子阱层中，提高InGaN/GaN多量子阱层捕捉载流子的能力与微型发光二极管的发光均匀度。使p型层的生长转速高于n型层的生长转速，且p型层的生长转速高于n型层的生长转速，可提高p型层生长转速，避免镁原子扩散至InGaN/GaN多量子阱层中，保证InGaN/GaN多量子阱层的质量。
微型发光二极管制备方法

[发明专利]一种发光二极管的外延片及其制备方法-CN201811428423.8在审
发明人：丁杰;秦双娇;胡任浩;周飚;胡加辉 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2018-11-27 - 公布日： 2019-02-19 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：N型GaN层与多量子阱层之间插入了AlInGaN层，AlInGaN层较高的势垒可以起到阻挡电子的作用，减慢电子的迁移速率，给空穴一定的迁移时间，使得空穴在深入多量子阱层之后，才会与电子相遇并复合，多量子阱中的空穴的浓度提高，多量子阱层中能够与电子进行复合的空穴数量增多，发光二极管的发光效率提高。并且AlInGaN层与N型GaN之间形成压应力，AlInGaN层与型GaN之间形成的压应力会减小多量子阱层生长时产生的压电极化，减小多量子阱内的内建电场，有利于空穴的注入，提高了LED的发光效率。
空穴多量子阱层发光二极管多量子阱发光效率外延片压应力减小制备迁移复合内建电场数量增多压电极化势垒减慢阻挡生长制造

[发明专利]一种氮化物发光二极管-CN201810193977.8在审
发明人：刘军林;莫春兰;张建立;王小兰;郑畅达;全知觉;江风益 -专利权人：南昌大学;南昌黄绿照明有限公司
申请日： 2018-03-09 - 公布日： 2018-07-20 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种氮化物发光二极管，包括衬底，在衬底上设有缓冲层，在缓冲层上依次设有N型层、准备层、第一多量子阱层、第二多量子阱层、第三量子阱层、P型电子阻挡层和P型层，在所述第一多量子阱层、第二多量子阱层、第三量子阱层、P型电子阻挡层处还设有倒六角锥结构，所述第一多量子阱层是由InxGa(1‑x)N量子阱、GaN势垒、AlyGa(1‑y)N势垒和GaN势垒依次组成的周期结构。本发明可有效调控空穴在多量子阱中分布、使空穴和电子更为有效地分布到部分量子阱中、从而改善空穴和电子的匹配度、提升发光效率。
多量子阱层空穴势垒氮化物发光二极管量子阱层缓冲层量子阱衬底多量子阱发光效率角锥结构有效调控周期结构匹配度有效地

[发明专利]无机发光二极管芯片、其制备方法及显示基板-CN201910188660.X在审
发明人：王国强 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2019-03-13 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：所述无机发光二极管芯片中，发光单元包括依次设置的第一N型氮化镓层、第一多量子阱层、第一P型氮化镓层、第二多量子阱层和第二N型氮化镓层；所述第二多量子阱层在非掺杂氮化镓层上的正投影小于第一多量子阱层在非掺杂氮化镓层上的正投影；所述第二多量子阱层与所述第一多量子阱层发光颜色不同。
多量子阱层无机发光二极管芯片非掺杂氮化镓层发光单元正投影制备发光颜色共用阳极失效芯片显示基板依次设置成功率发射

[发明专利]一种RGB外延结构及其制造方法与应用-CN202010425821.5在审
发明人：黄文洋;林雅雯;黄国栋;黄嘉宏;杨顺贵 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2020-05-19 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种RGB外延结构及其制造方法与应用，方法包括步骤：提供一衬底；在所述衬底上依次生长GaN缓冲层、第一未掺杂GaN层、第二未掺杂GaN层和n型GaN层；用钝化层作保护，经选择性刻蚀、生长，蓝光多量子阱层、绿光多量子阱层和红光多量子阱层阵列，在所述蓝光多量子阱层、绿光多量子阱层和红光多量子阱层上生长p型GaN接触层。
一种 rgb 外延结构及其制造方法应用

[发明专利]基于光电隔离的Micro-LED器件及其制备方法-CN202111248207.7在审
发明人：徐峰;邓旭光;谭毅;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2021-10-26 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明揭示了一种基于光电隔离的Micro‑LED器件及其制备方法，所述Micro‑LED器件包括自下而上依次设置的衬底、N型半导体层、多量子阱层、P型半导体层及电极，所述多量子阱层包括若干分离设置的多量子阱结构，P型半导体层包括若干位于多量子阱结构上的P型半导体结构，所述多量子阱结构上还设有形成于P型半导体结构侧壁上的隔离层，所述隔离层及多量子阱结构的侧壁上设有反射层，所述电极包括与N型半导体层电性连接的N电极及与
基于光电隔离 micro led 器件及其制备方法

[发明专利]一种提高发光效率GaN基长波长LED器件结构及生长方法-CN202211322107.9在审
发明人：王小兰;刘国凡;张建立;潘拴;高江东;李丹;杨小霞 -专利权人：南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高发光效率的GaN基长波长LED器件结构及其生长方法，该GaN基长波长LED器件结构包括有源层结构，其中，所述有源层结构从下到上包括InGaN/GaN多量子阱和InGaN/AlGaN/GaN多量子阱。生长InGaN/GaN多量子阱时，InGaN阱层生长温度低于GaN垒层；生长InGaN/AlGaN/GaN多量子阱时，InGaN阱层生长温度低于AlGaN层和GaN垒层，AlGaN层与GaN垒层保持一致一种有源层结构从下到上包括InGaN/GaN多量子阱结构以及InGaN/AlGaN/GaN多量子阱结构，可减少电子空穴泄露，改善量子阱质量，提高载流子在有源区的辐射复合速率，进而达到实现去除传统P‑AlGaN
一种提高发光效率 gan 波长 led 器件结构生长方法

[发明专利]发光二极管的结构及其制作方法-CN200610148300.X有效
发明人：林振贤;郑文荣 -专利权人：上海蓝光科技有限公司
申请日： 2006-12-29 - 公布日： 2008-07-02 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管的结构，其中包括N型GaN层、多量子阱层、P型AlGaN层，所述N型GaN与所述多量子阱层之间还间隔有多量子阱缓冲层，所述多量子阱缓冲层包含有一个或多个InGaN/GaN的复合结构本发明还公开了一种上述发光二极管的结构的制作方法，包括交替生长InGaN层和GaN层，而构成具有复合结构的多量子阱缓冲层。本发明通过上述方法，经过简单的步骤制作出具有多量子阱缓冲层的发光二极管的结构，非常易于使用，并且制作的发光二极管的晶体质量得到了提高，从而提高了发光二极管的出光效率和发光强度。
发光二极管结构及其制作方法

[发明专利]一种LED外延生长方法-CN201710681976.3有效
发明人：徐平 -专利权人：湘能华磊光电股份有限公司
申请日： 2017-08-10 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种LED外延生长方法，该方法通过在生长多量子阱层后先生长一层掺杂Zn的InGaN:Zn结构层，阻挡电子向p型GaN迁移，避免大量电子从多量子阱层泄漏出至P型层，从而提高多量子阱层的电子浓度；然后通过生长高掺杂Mg浓度的AlGaN:Mg薄垒层，来提供高的空穴浓度，并有效推动空穴注入多量子阱层，增加多量子阱层的电子空穴对数量。另外，利用AlGaN与InGaN的晶格不匹配，在InGaN:Zn结构层与AlGaN:Mg薄垒层的界面处产生二维空穴气，借助二维空穴气，提高空穴横向扩展效率，进一步提高多量子阱层的空穴注入水平，降低LED
一种 led 外延生长方法

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法-CN202010946042.X有效
发明人：洪威威;王倩;梅劲;董彬忠;张奕 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2020-09-10 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：p型GaN层上具有多个间隔分布的空穴注入槽，且每个空穴注入槽与填满空穴注入槽的GaN空穴注入结构均由p型GaN层延伸至多量子阱层。GaN空穴注入结构可到通道的作用，GaN空穴注入结构越过AlGaN电子阻挡层，将p型GaN层中的空穴直接引导至多量子阱层中。空穴通过GaN空穴注入结构进入多量子阱层时受到阻力，相对穿过AlGaN电子阻挡层进入多量子阱层中的阻力较小。因此更多的空穴可以通过GaN空穴注入结构进入多量子阱层中与电子复合发光。进入多量子阱层中的空穴数量增多，最终得到的发光二极管的发光效率也会提高。
发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]红外发光二极管外延片及其制备方法-CN202110288849.3有效
发明人：邢振远;李彤;王世俊;曹敏;孙建建 -专利权人：华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2021-03-18 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：在n型AlGaAs限制层与多量子阱层之间增加第一应力调整层，应力调整层包括第一AlGaAsP层或包括第一AlGaAsP/GaInP超晶格，第一应力调整层生长时会积累张应力，张应力会被多量子阱层的压应力抵消，最终得到的多量子阱层中的压应力较少，提高多量子阱层的晶体质量以提高发光效率。在第一应力调整层包括第一AlGaAsP/GaInP超晶格时，第一AlGaAsP/GaInP超晶格本身生长过程中也会释放一定的应力，多量子阱层以下的底层结构的质量较好，可以进一步提高多量子阱层的晶体质量。
红外发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]黄绿光LED外延片及其制备方法、黄绿光LED-CN202310409317.X有效
发明人：郑文杰;曹斌斌;程龙;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-04-18 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：其中，黄绿光LED外延片包括衬底，层叠于衬底上的缓冲层、U‑GaN层、N‑GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P‑GaN层，多量子阱层包括第一多量子阱层和第二多量子阱层；第一多量子阱层为周期性结构，每个周期均包括2SSe层、InxGa1‑xN层和第一GaN层，x为0.2~0.35；第二多量子阱层为周期性结构
黄绿 led 外延及其制备方法

[发明专利]一种发光二极管及其制造方法-CN201110275916.4无效
发明人：高成 -专利权人：协鑫光电科技（张家港）有限公司
申请日： 2011-09-16 - 公布日： 2012-01-25 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：其中上述发光二极管包括：第一半导体层；沉积所述第一半导体层的上表面的第一多量子阱层；沉积在所述第一多量子阱层的部分上表面上的第二多量子阱层；第二半导体层，所述第二半导体层沉积在所述第二多量子阱层的上表面以及所述第一多量子阱层未被所述第二多量子阱层覆盖的上表面上
一种发光二极管及其制造方法

[发明专利]一种发光二极管及其制造方法-CN201110272820.2无效
发明人：高成 -专利权人：协鑫光电科技（张家港）有限公司
申请日： 2011-09-16 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：其中，所述发光二极管包括：第一半导体层、和位于所述第一半导体层上方的第二半导体层；夹设在所述第一半导体层和第二半导体层之间的多量子阱层；且所述多量子阱层包括分立的至少两个多量子阱结构，其中至少两个相邻的多量子阱结构形成有沿层高方向上的第一侧面和第二侧面，其中，所述第一侧面是多量子阱结构与所述第一半导体层接触的侧面，所述第二侧面是多量子阱结构与所述第二半导体层接触的侧面。
一种发光二极管及其制造方法

[实用新型]基于多量子阱蓝光微LED的高速可见光通信光发射机-CN201920702197.1有效
发明人：魏正军;管晓军;陶志远;顾佳美;王桂发;尹以安 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2019-05-16 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H04B10/116 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种基于多量子阱蓝光微LED的高速可见光通信光发射机，包括：用于作为光源的多量子阱蓝光微LED；用于对发射端待发射信号的高频分量进行预补偿的预加重电路；用于补偿预加重电路带来的增益衰减的前级放大电路；用于对前级放大电路输出信号进行电压增益并给多量子阱蓝光微LED提供调制电流的LED驱动电路；用于对LED驱动电路与多量子阱蓝光微LED进行阻抗匹配的阻抗匹配电路；以及用于给多量子阱蓝光微LED提供恒定直流偏置电流的恒流源电路；预加重电路、前级放大电路LED驱动电路、阻抗匹配电路、多量子阱蓝光微LED、所述恒流源电路依次连接。
基于多量子阱蓝光微 led 高速可见光通信发射机