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[发明专利]多量子阱结构、生长方法及具有该结构的LED芯片-CN201410186182.6有效
发明人：张宇 -专利权人：湘能华磊光电股份有限公司
申请日： 2014-05-05 - 公布日： 2014-08-13 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种多量子阱结构、生长方法及具有该结构的LED芯片，该多量子阱结构包括多组依次叠置的结构单元各结构单元中包括势阱层和GaN层，GaN层形成于势阱层的表面上，势阱层包括至少一层渐变XGaN层；本发明提供的LED芯片中多量子阱结构通过将生长In掺杂量渐变的渐变XGaN层和X掺杂量恒定的恒定XGaN层，并将二者叠加后作为XGaN层，使得多量子阱中空穴和电子的分布中心轴重叠，提高电子向空穴跃迁的效率从而提高了
多量结构生长方法具有 led 芯片

[发明专利]非极性InGaN/GaN多量子阱纳米柱及其制法-CN201610932149.2有效
发明人：李国强;王海燕;杨为家 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2016-10-31 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明属于LED材料的技术领域，公开了非极性InGaN/GaN多量子阱纳米柱及其制法。所述非极性InGaN/GaN多量子阱纳米柱包括LiGaO₂衬底，生长在LiGaO₂衬底上的非极性GaN纳米柱模板层，生长在非极性GaN纳米柱模板层中纳米柱阵列上的非极性InGaN/GaN多量子阱纳米柱。本发明生长在LiGaO₂衬底上的非极性InGaN/GaN多量子阱纳米柱能够提高材料的光电性能，提高了载流子的辐射复合效率，可大幅度提高氮化物器件的发光效率。
极性 ingan gan 多量纳米及其制法

[发明专利]具有到多个有源层中的选择性载流子注入的发光结构-CN201680046374.4有效
发明人： H.S.埃尔-戈劳里;M.V.基辛;Y-C.M.叶;庄奇理;J-C.陈 -专利权人：奥斯坦多科技公司
申请日： 2016-06-03 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：本文所讨论的实施例的示例尤其包括：具有RGB色域的全覆盖范围的在可见光范围内操作的多量子阱可变颜色LED；具有超出标准RGB色域的扩展颜色色域的在可见光范围内操作的多量子阱可变颜色LED，具有可变色温的多量子阱发射白光LED和具有均匀填充的有源层的多量子阱LED。
具有到多个有源中的选择性载流子注入发光结构

[发明专利]生长在钇铝石榴石衬底上的InGaN/GaN多量子阱及制备方法-CN201610555803.2在审
发明人：李国强 -专利权人：河源市众拓光电科技有限公司
申请日： 2016-07-12 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本发明公开了生长在钇铝石榴石衬底上的InGaN/GaN多量子阱，包括钇铝石榴石衬底、GaN缓冲层和InGaN/GaN量子阱，所述钇铝石榴石衬底上依次生长所述GaN缓冲层和所述InGaN/GaN量子阱。该InGaN/GaN多量子阱缺陷密度低、结晶质量好，发光性能优良。本发明还公开了所述生长在钇铝石榴石衬底上的InGaN/GaN多量子阱的制备方法，该制备方法工艺简单，制备成本低廉。
生长石榴石衬底 ingan gan 多量制备方法

[发明专利]一种多量子阱层及其制备方法、外延片及发光二极管-CN202310968033.4在审
发明人：刘春杨;吕蒙普;胡加辉;金从龙;顾伟 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-08-03 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明提供一种多量子阱层及其制备方法、外延片及发光二极管，所述多量子阱层包括周期性层叠设置的量子阱层、盖帽层以及量子垒层；其中，所述量子阱层为AlScN层、盖帽层为AlSiN层、量子垒层为AlN层。本发明解决了现有技术中的LED的光提取效率低以及多量子阱中电子空穴辐射复合效率低而导致LED发光效率低的问题。
一种多量子阱层及其制备方法外延发光二极管

[发明专利]生长在铝酸镁钪衬底上的InGaN/GaN量子阱及其制备方法-CN201610757252.8有效
发明人：李国强;王文樑;杨美娟;林云昊 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2016-08-29 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了生长在铝酸镁钪衬底上的InGaN/GaN多量子阱，包括依次生长在铝酸镁钪衬底上的第一GaN缓冲层、非晶态AlN插入层、第二GaN缓冲层、InGaN/GaN量子阱。本发明还公开了上述生长在铝酸镁钪衬底上的InGaN/GaN多量子阱的制备方法。本发明具有生长工艺简单，制备成本低廉的优点，且制备的InGaN/GaN多量子阱缺陷密度低、结晶质量好，发光性能优良。
生长铝酸镁钪衬底 ingan gan 量子及其制备方法

[实用新型]生长在铝酸镁钪衬底上的InGaN/GaN量子阱-CN201620978980.7有效
发明人：李国强;王文樑;杨美娟;林云昊 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2016-08-29 - 公布日： 2017-06-06 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了生长在铝酸镁钪衬底上的InGaN/GaN多量子阱，包括依次生长在铝酸镁钪衬底上的第一GaN缓冲层、非晶态AlN插入层、第二GaN缓冲层、InGaN/GaN量子阱。本实用新型还公开了上述生长在铝酸镁钪衬底上的InGaN/GaN多量子阱的制备方法。本实用新型具有成本低廉的优点，且InGaN/GaN多量子阱缺陷密度低、结晶质量好，发光性能优良。
生长铝酸镁钪衬底 ingan gan 量子

[实用新型]生长在玻璃衬底上的InGaN/GaN多量子阱-CN201621453229.1有效
发明人：李国强;高芳亮;温雷 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2016-12-27 - 公布日： 2017-08-18 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了生长在玻璃衬底上的InGaN/GaN多量子阱，包括生长在玻璃衬底上的铝金属层，生长在铝金属层上的银金属层，生长在银金属层上的AlN缓冲层，生长在AlN缓冲层上的GaN缓冲层，生长在GaN缓冲层上的非掺杂GaN层，生长在非掺杂GaN层上的InGaN/GaN多量子阱。本实用新型的InGaN/GaN多量子阱缺陷密度低、结晶质量好，电学、光学性能好。
生长玻璃衬底 ingan gan 多量

[实用新型]一种GaN基外延结构-CN202020890872.0有效
发明人：房育涛;林志东;张恺玄;刘波亭 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2020-05-25 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L29/15 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种GaN基外延结构，由下至上包括衬底、成核层、晶格匹配多量子阱缓冲层和GaN缓冲层；在晶格匹配多量子阱缓冲层中，每个多量子阱周期为InAlGaN势垒层和AlGaN势阱层交错组成，InAlGaN
一种 gan 外延结构

[发明专利]多量程液位计-CN201410226990.0有效
发明人：马迁 -专利权人：国网四川省电力公司成都市新都供电分公司
申请日： 2014-05-27 - 公布日： 2017-01-18 - 主分类号： G01F23/00 文献下载
摘要：本发明所述多量程液位计，包括正向电极、负向电极、直流电源和连接在正向电极和负向电极之间的基准水位检测电路，所述直流电源连接正向电极，还包括用于产生基准电压的基准电路、第一相对水位检测电路；所述第一相对水位检测电路由第一相对电极本发明所述多量程液位计，通过设置高度不同的电极检测不同高度的水位，并引入前一级水位检测电路的结果进行逻辑运算，克服了原有水位计可能出现的误判缺陷。
多量程液位计

[实用新型]多量程移液器-CN201922309013.8有效
发明人：于在亮;郭丹 -专利权人：苏州阅微基因技术有限公司
申请日： 2019-12-20 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： B01L3/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多量程移液器，其包括壳体，在壳体的下端设置有吸嘴固定头，在吸嘴固定头的中部设置有气流通道，在壳体内部设置有至少两个排气腔体，排气腔体能与吸嘴固定头的气流通道相连通，对应于每个排气腔体分别设置有一个活塞杆
多量程移液器

[外观设计]碗（多量碗）-CN202230099236.0有效
发明人：邢壹新 -专利权人：邢壹新
申请日： 2022-03-01 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： 07-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：碗（多量碗）。2.本外观设计产品的用途：用于盛装食物或饮料的容器。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
多量

[发明专利]一种发光二极管及其制备方法-CN201710875584.0在审
发明人：琚晶;马后永;展望;游正璋 -专利权人：映瑞光电科技（上海）有限公司
申请日： 2017-09-25 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光二极管及其制备方法，包含：第一外延导电层，生长在衬底上，具有第一导电类型；外延过渡层，生长在第一外延导电层上，具有第一导电类型；多量子阱结构层，生长在外延过渡层上；第二外延导电层，生长在多量子阱结构层上，具有第二导电类型；其中，外延过渡层在生长过程中，通过控制其具有高于第一外延导电层及多量子阱结构层的碳含量，调整该层为微缺陷晶体结构，缓冲第一外延导电层与多量子阱结构层之间的应力。本发明通过在第一外延导电层与多量子阱结构层之间生长外延过渡层来缓冲两者间的应力，并通过控制该外延过渡层中的碳杂质含量来调节第一外延导电层获得好的外延晶体质量，有效提升发光二极管的光电性能及可靠性。
导电层多量子阱结构层过渡层发光二极管生长第一导电类型缓冲制备导电类型光电性能晶体结构生长过程外延晶体碳杂质微缺陷衬底

[发明专利]具有高发光效率量子垒的外延片及其制备方法-CN201510599118.5在审
发明人：孙玉芹;王江波 -专利权人：华灿光电股份有限公司
申请日： 2015-09-18 - 公布日： 2015-12-09 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：该方法包括：提供一衬底；在所述衬底上依次生长u型GaN层和N型GaN层；在所述N型GaN层上生长多量子阱有源层，所述多量子阱有源层包括交替生长的多个InGaN阱层和多个GaN垒层，所述多个GaN垒层中的最靠近所述N型GaN层的至少一个所述GaN垒层为P型GaN垒；在所述多量子阱有源层上生长P型GaN载流子层。本发明中，最靠近N型GaN层的至少一个InGaN阱层中空穴浓度大幅增加，而在大电流密度下，注入多量子阱有源层中的电子是随之增多的，所以可以大大提高电子和空穴在多量子阱有源层中的复合效率，使得电子溢漏的程度减小
具有发光效率量子外延及其制备方法

[发明专利]一种氮化物发光二极管结构-CN201710286221.3在审
发明人：刘军林;莫春兰;张建立;吴小明;王小兰;江风益 -专利权人：南昌大学;南昌黄绿照明有限公司
申请日： 2017-04-27 - 公布日： 2017-09-05 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化物发光二极管结构，包括衬底，在衬底上设有缓冲层，在缓冲层上依次设有n型层、准备层、第一限制量子阱层、发光多量子阱层、第二限制量子阱层和p型层，特征是所述准备层、第一限制量子阱层、发光多量子阱层和第二限制量子阱层位置包含有倒六角锥结构；所述第一限制量子阱层和第二限制量子阱层的量子阱禁带宽度均比发光多量子阱层的量子阱禁带宽度宽0.03─0.3eV。本发明利用第一限制量子阱层和第二限制量子阱层的量子阱禁带宽度均比发光多量子阱层的量子阱禁带宽度更宽的特点，将更多的载流子限制在发光多量子阱中，提升电子和空穴的匹配度，从而进一步提升发光二极管的内量子效率
一种氮化物发光二极管结构