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[发明专利]多晶硅还原生产装置及方法-CN201210320361.5有效
发明人：齐林喜;王晓亮 -专利权人：内蒙古盾安光伏科技有限公司
申请日： 2012-09-03 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：多晶硅还原生产装置及方法。一种多晶硅还原生产方法，包括：将第一路高纯三氯氢硅气体与高纯氢气混合均匀后送入第一还原炉发生还原反应，排出包括三氯氢硅、氢气、四氯化硅以及氯化氢的一级尾气，通过冷凝分离出一级尾气中的四氯化硅，剩余一级尾气作为多晶硅生产的还原气体原料本发明能够减少在多晶硅生产中的能耗，降低生产成本；同时还有利于提高多晶硅产品的质量。
多晶还原生产装置方法

[发明专利]一种多晶硅铸锭快速退火冷却工艺-CN201610632643.7在审
发明人：肖贵云;陈伟;金浩 -专利权人：晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2016-08-04 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种多晶硅铸锭快速退火冷却工艺，包括：在第一预设时间内，将长晶结束后的多晶硅铸锭温度降至退火温度；在所述退火温度下，将所述多晶硅铸锭保温，持续第二预设时间；将退火完成的所述多晶硅铸锭以1.5本申请提供的上述多晶硅铸锭快速退火冷却工艺，能够降低多晶硅铸锭的位错缺陷水平，有效提升多晶硅铸锭的品质，同时减少运行周期，提高多晶铸锭炉台生产效率。
一种多晶铸锭快速退火冷却工艺

[发明专利]一种多晶硅棒破碎的装置和方法-CN201811469114.5在审
发明人：李力;刘逸枫;付绪光;沈峰;阮继政;郭磊;田野;徐浩;陈其国 -专利权人：江苏中能硅业科技发展有限公司
申请日： 2018-11-28 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： B02C19/18 文献下载
摘要：本发明公开一种多晶硅棒破碎的装置及系统。一种多晶硅棒破碎的装置和系统，包括采用电磁加热多晶硅棒，将加热后的多晶硅棒进行快速冷却，以使多晶硅棒内部产生应力，使多晶硅棒破碎。与现有技术相比，本方案解决了现有机械破碎导致的杂质污染和辐射加热速度慢、能耗高的问题，提高了生产效率、降低了能源消耗。
一种多晶破碎装置方法

[实用新型]一种多晶硅棒破碎的装置和系统-CN201821970101.1有效
发明人：刘逸枫;李力;陈其国;付绪光;沈峰;阮继政;郭磊;田野;徐浩 -专利权人：江苏中能硅业科技发展有限公司
申请日： 2018-11-28 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： B02C19/18 文献下载
摘要：本实用新型公开一种多晶硅棒破碎的装置及系统。一种多晶硅棒破碎的装置和系统，包括采用电磁加热多晶硅棒，将加热后的多晶硅棒进行快速冷却，以使多晶硅棒内部产生应力，使多晶硅棒破碎。与现有技术相比，本方案解决了现有机械破碎导致的杂质污染和辐射加热速度慢、能耗高的问题，提高了生产效率、降低了能源消耗。
多晶硅棒破碎本实用新型装置及系统电磁加热方案解决辐射加热机械破碎快速冷却能源消耗生产效率杂质污染加热能耗

[发明专利]一种多晶电阻的制作方法-CN201510112523.X有效
发明人：潘光燃;文燕;高振杰;王焜;马万里;石金成 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2015-03-13 - 公布日： 2019-10-15 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制作领域，尤其涉及一种多晶电阻的制作方法，包括：在半导体单晶片上依次生长氧化层、多晶硅层；对所述多晶硅层进行离子掺杂并刻蚀所述多晶硅层形成多晶硅电阻条；生长介质层；在所述介质层上涂布光刻胶并刻蚀所述介质层形成所述多晶硅电阻条接触孔，所述多晶硅电阻条的接触孔底部与所述多晶硅电阻条接触；通过所述多晶硅电阻条的接触孔进行离子注入，去除所述光刻胶；生长金属层并刻蚀所述金属层形成引线。本发明解决多晶电阻制作工艺复杂、生产成本较高的问题。
一种多晶电阻制作方法

[实用新型]多晶硅块料吹扫装置及系统-CN201720485949.4有效
发明人：王体虎;张孝山;王生红;汪成洋;陈斌 -专利权人：亚洲硅业（青海）有限公司
申请日： 2017-05-03 - 公布日： 2017-12-12 - 主分类号： B08B5/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及多晶硅生产技术领域，旨在解决现有技术中的多晶硅棒表面大量附着的硅粉，影响产品品质，以及在拉制单晶过程中，细硅粉无法熔化，漂浮在熔化的液体表面影响成晶率的问题，提供一种多晶硅块料吹扫装置及系统本实用新型的实施例中提供的多晶硅块料吹扫装置，包括风淋室、鼓风装置以及硅粉收集箱。多晶硅块料经风淋室的进料口进入风淋室的容纳腔，位于容纳腔内的鼓风装置的对多晶硅块料进行吹风，将吹出的硅粉吹入硅粉收集箱内，进而吹走附着在多晶硅块料表面上的硅粉，保证多晶硅块料的干净，提高多晶硅块料的品质以及提高拉制单晶的成晶率
多晶硅块料吹扫装置系统

[发明专利]多晶硅棒破碎方法及多晶硅棒破碎装置-CN201611009573.6在审
发明人：鲍守珍;郑连基;马龙;高志明;金珍海;王生红;蔡延国;宗冰;王体虎 -专利权人：亚洲硅业（青海）有限公司
申请日： 2016-11-16 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： B02C19/16 文献下载
摘要：发明提供一种多晶硅棒破碎方法及多晶硅棒破碎装置，属于多晶硅技术领域。破碎方法包括将多晶硅棒置于破碎装置中，并将破碎装置的破碎触头与多晶硅棒的表面接触。调整破碎触头的振动频率与多晶硅棒的固有频率一致，在多晶硅棒破碎之前，保持破碎触头始终与多晶硅棒接触。破碎装置中破碎触头连接有驱动装置，驱动装置用于驱动破碎触头沿设定的方向运动以使工作面始终与多晶硅棒接触。调频振动模块与破碎触头连接并用于调节破碎触头的振动频率，检测模块与调频振动模块电连接。通过此破碎装置实施的破碎方法，使多晶硅块大小可控，有效减少碎料和微粉的产生，满足大批量生产的多晶硅的破碎，节省人力，节省时间，提高破碎效率。
多晶破碎方法装置

[发明专利]一种掺锡冶金多晶硅铸锭的制备方法-CN201610298900.8在审
发明人：陈健;孙继飞;何秋湘;李京伟;班伯源 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2016-05-05 - 公布日： 2016-07-13 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺锡冶金多晶硅铸锭的制备方法。该制备方法包括：选择合适的冶金多晶硅料，要求B<1ppmw,P<1ppmw,B/P重量比为1:0.5～1:3，金属<1ppmw，电阻率高于0.5Ω·cm,在冶金多晶硅料中掺入微量锡，锡的含量为1～200ppmw，然后在保护气氛下，生长掺锡的冶金多晶硅铸锭。本发明方法简单，制备的掺锡冶金多晶硅铸锭少子寿命比未掺锡的冶金多晶硅铸锭少子寿命显著提高，也比相同条件下用化学法原生多晶硅制备的常规P型和化学法原生多晶硅掺锡P型多晶硅铸锭工艺简化，成本降低。掺锡冶金多晶硅铸锭生产方法与常规铸锭工艺兼容，成本低，实用性强，适用于制造低成本，高质量的多晶硅太阳电池。
一种冶金多晶铸锭制备方法

[发明专利]一种多晶硅锭及其制备方法-CN200910115260.2无效
发明人：中野研吾;杜嘉斌 -专利权人：江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
申请日： 2009-04-29 - 公布日： 2010-11-03 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种新型太阳能级多晶硅锭及其制备方法；一种多晶硅锭，其特征在于：该多晶硅锭中的P型杂质的含量占总重量的0.00004-0.0004％，其电阻率为1-3Ω·cm，其中的硅的含量占总重量的99.9-99.9999％，N型杂质的含量占总重量的0.00001-0.0005％；该多晶硅锭是采用P型杂质占总重量的0.00004-0.0004％的硅原料通过在定向凝固过程中加入平均重量含量为0.000073％-0.0029％的N型杂质制备得到的；该多晶硅锭经过传统多晶硅太阳电池生产工艺制成的多晶硅太阳电池片质量高，且生产成本低。
一种多晶及其制备方法

[发明专利]一种多晶硅回刻方法-CN201711120397.8在审
发明人：丁佳;曹俊;蒋方圆;王毅 -专利权人：扬州扬杰电子科技股份有限公司
申请日： 2017-11-14 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：一种多晶硅回刻方法，涉及晶片生产技术领域，尤其涉及一种多晶硅的回刻方法。提供了一种在回刻过程中速率均匀、多晶硅中间和边缘距离小、多晶残留少的多晶硅回刻方法。包括如下步骤1）在硅本体表面生长氧化层，在氧化层表面生长多晶硅层；2）多晶硅层表面生长自然氧化层；3）回刻自然氧化层，采用cf4回刻氧化层；4）回刻多晶硅层；5）回刻硅本体上沟槽内的多晶硅层，完毕。本发明保持了在整个回刻过程中的回刻速率相对均匀，避免在回刻时对硅本体的损伤，同时能够有效减少多晶硅的残留，产品废品率低。
一种多晶硅回刻方法

[发明专利]一种路基材料、其制备方法及多晶硅生产过程的固废的处理方法-CN201811372262.5有效
发明人：甘易武;闫晓英;韩成福;金龙;裴亚林 -专利权人：亚洲硅业（青海）股份有限公司
申请日： 2018-11-16 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： C04B28/12 文献下载
摘要：本发明实施例涉及多晶硅生产领域，公开了一种路基材料、其制备方法及多晶硅生产过程的固废的处理方法，路基材料的制备方法包括将多种原料混合以制备固体混合物，多种原料至少包括砂石、石灰以及多晶硅生产过程的固废。本发明实施例提供的多晶硅生产过程的固废的处理方法包括使用上述路基材料的制备方法，利用多晶硅生产过程的固废作为原料来制备路基材料，缓解了多晶硅生产过程的固废对环境的污染，节约了填埋固废的成本，并且变废为宝
一种路基材料制备方法多晶生产过程处理

[发明专利]多晶硅料复投方法-CN201410012263.4有效
发明人：乔松;尹东坡;司佳勇;郭凯 -专利权人：英利集团有限公司
申请日： 2014-01-10 - 公布日： 2014-04-30 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种多晶硅料复投方法。该多晶硅料复投方法包括：步骤S1：在拉制单晶硅棒的坩埚内的熔硅表面结晶形成托盘；步骤S2：向坩埚内投放多晶硅料，并使多晶硅料位于托盘上；步骤S3：在投放的多晶硅料达到预定量之后，保持预定时间，然后将托盘和托盘上的多晶硅料完全熔化在坩埚内以拉制单晶硅棒根据本发明，能够将多晶硅料携带的气体蒸发掉，防止气体在多晶硅料熔化过程中膨胀而使得熔硅飞溅，从而避免熔硅飞溅对拉制单晶硅棒的装置造成损害，降低了企业的生产成本。
多晶硅料复投方法

[发明专利]一种多晶硅电阻的制作方法-CN201911000316.X有效
发明人：卓红标;熊淑平 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2019-10-21 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：本发明提供一种多晶硅电阻的制作方法，提供一衬底，衬底上具有表面高于该衬底表面的隔离区；在衬底上形成一层覆盖衬底表面和隔离区表面的介质层，在该介质层上形成多晶硅层；对多晶硅层进行第一次注入掺杂；在多晶硅层上形成一掩膜层；对多晶硅层进行第二次注入掺杂；去除掩膜层；刻蚀多晶硅层，形成位于隔离区上方和衬底上方尺寸相同、阻值不同的多晶硅电阻。本发明在不增加光罩的情况下在单片晶圆上至少可实现两种不同阻值的多晶硅电阻，降低生产成本，简化制造工艺，减小多晶硅电阻面积，提高产品竞争力。
一种多晶电阻制作方法

[发明专利]还原生产多晶硅回收的氯硅烷的处理方法和装置、多晶硅生产中的氯硅烷的处理方法和系统-CN201410443572.7有效
发明人：陈莉娜;宋高杰;张旭;江庆云;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：新特能源股份有限公司
申请日： 2014-09-02 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明公开了一种还原生产多晶硅回收的氯硅烷的处理方法和装置、多晶硅生产中的氯硅烷的处理方法和系统，还原生产多晶硅回收的氯硅烷的处理方法，包括以下步骤(1)将多晶硅生产中的还原生产多晶硅回收的氯硅烷经过一级精馏，再经过二级精馏，其中，一级精馏过程得到四氯化硅，二级精馏过程得到二氯二氢硅；(2)将一级精馏过程得到的四氯化硅和二级精馏过程得到的二氯二氢硅经过第一反歧化反应，得到三氯氢硅。该方法直接将还原生产多晶硅回收的氯硅烷分离出的二氯二氢硅与分离出来的四氯化硅经过第一反歧化反应，得到精制的三氯氢硅，该精制的三氯氢硅不需要再经过5～6级的精馏提纯，可直接用于生产多晶硅，降低了能耗，减轻了精馏负荷
还原生产多晶回收硅烷处理方法装置中的系统

[发明专利]一种使用异常原料生产单晶硅的方法-CN201910339850.7在审
发明人：李立峰;胡海勇;曹森;侯雨;关鹏羽;曲雁鹏;陈朝霞 -专利权人：新特能源股份有限公司
申请日： 2019-04-25 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明提供一种使用异常原料生产单晶硅的方法，包括装料：将多晶硅原料和异常原料混装在坩埚中；化料：将异常原料和多晶硅原料熔化；杂质提出：在化料后期将所述坩埚内未熔化的多晶硅异常原料提出；生长：利用籽晶将提出杂质后剩余的硅熔体提拉以获得单晶硅本发明所述的使用异常原料生产单晶硅的方法，通过对单晶硅生产过程中步骤及参数的改变，实现了将含杂质多、品质较差的多晶硅原料分离提出，解决了使用品质较差的多晶硅原料生产过程中单晶硅品质无法保证的问题，使单晶硅生产成本大大降低，同时提高生产效率、提升产品品质。
一种使用异常原料生产单晶硅方法