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[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201210454418.0有效
发明人：王文博;卜伟海;俞少峰 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-11-13 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底内形成浅沟槽隔离结构；在所述半导体衬底和浅沟槽隔离结构上形成第一多晶硅材料层、位于部分第一多晶硅材料层表面的覆盖材料层，位于部分第一多晶硅材料层表面的第二多晶硅材料层；对第二多晶硅材料层、覆盖材料层、第一多晶硅材料层进行刻蚀，形成伪栅结构和多晶硅电阻。由于形成伪栅结构的多晶硅材料层包括第一多晶硅材料层和第二多晶硅材料层，而多晶硅电阻的多晶硅材料层仅为第一多晶硅材料层，使得伪栅结构表面和多晶硅电阻表面具有高度差，形成金属栅极的化学机械研磨工艺不会对多晶硅电阻及表面的金属硅化物造成影响
半导体结构及其形成方法

[实用新型]多晶硅还原炉尾气防护罩、多晶硅还原炉及多晶硅生产系统-CN201821356220.8有效
发明人：陈英;杨涛;朱贵平;张万军;张永良;李有斌;张才刚;吴云起;郝连喜;焦建新;张霁 -专利权人：青海黄河上游水电开发有限责任公司新能源分公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司
申请日： 2018-08-16 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本实用新型属于多晶硅的生产设备技术领域，涉及多晶硅还原炉尾气防护罩、多晶硅还原炉及多晶硅生产系统。本实用新型的多晶硅还原炉尾气防护罩，包括圆柱形侧壁，所述圆柱形侧壁的顶端连接封闭的顶盖，所述圆柱形侧壁的低端连接尾气出气口；所述圆柱形侧壁上开设有多个周向均布的排气通孔；所述防护罩为碳－碳复合材料防护罩本实用新型能够有效防止硅块进入尾气管线，避免尾气管线堵塞，又能保证还原炉尾气的正常流通，大大减小清理尾气管线的工作量。
防护罩多晶硅还原炉圆柱形侧壁本实用新型尾气管线多晶硅生产系统尾气还原炉尾气碳复合材料尾气出气口顶端连接生产设备周向均布顶盖多晶硅低端硅块减小排气通孔工作量堵塞封闭流通保证

[发明专利]多晶硅薄膜的制造方法、多晶硅薄膜以及声学传感器-CN201910487384.7在审
发明人：吴健兴;钟晓辉;吴伟昌;黎家健 -专利权人：瑞声科技（新加坡）有限公司
申请日： 2019-06-05 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：本发明提供一种多晶硅薄膜的制造方法、多晶硅薄膜以及声学传感器，其中，多晶硅薄膜的制造方法包括：提供基材，基材包括基片和与基片层叠设置的多晶硅基膜；在多晶硅基膜中非原位掺杂硼元素、磷元素和砷元素中的一种制得多晶硅薄膜半成品；对多晶硅薄膜半成品进行热激活后退火制得多晶硅薄膜。本发明提供的多晶硅薄膜的制造方法通过在多晶硅基膜中非原位掺杂硼元素、磷元素和砷元素中的一种，并对多晶硅薄膜半成品进行热激活，制得的多晶硅薄膜的晶粒的生长和均匀性好，可以有效降低多晶硅薄膜表面的粗糙度，同时由该方法制得的多晶硅薄膜具有较优的机械强度
多晶硅薄膜多晶硅基膜半成品声学传感器原位掺杂磷元素硼元素热激活砷元素基材制造多晶硅薄膜表面机械强度要求层叠设置均匀性好晶粒粗糙度后退火成活率吹气生长

[发明专利]栅极沟槽以及半导体器件的制造方法-CN201010261546.4无效
发明人：韩秋华;黄敬勇;鲍俊波;张翼英 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-08-24 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种栅极沟槽和半导体器件的制造方法，所述栅极沟槽的制造方法包括：在半导体衬底上依次形成掺杂多晶硅层和非掺杂多晶硅层；刻蚀非掺杂多晶硅层和掺杂多晶硅层，形成图案化非掺杂多晶硅层和图案化掺杂多晶硅层，所述图案化掺杂多晶硅层的截面宽度小于图案化非掺杂多晶硅层的截面宽度；在图案化非掺杂多晶硅层和图案化掺杂多晶硅层的侧壁形成侧壁层；去除图案化非掺杂多晶硅层和图案化掺杂多晶硅层，形成栅极沟槽。本发明使形成的图案化掺杂多晶硅层的截面宽度小于所述非掺杂多晶硅层的截面宽度，可确保获得轮廓较佳的金属栅极。
栅极沟槽以及半导体器件制造方法

[发明专利]多晶硅薄膜的制备方法及多晶硅TFT结构-CN201510314265.3在审
发明人：张良芬;连水池;罗长诚;吴元均;徐源竣;郭海成;王文;陈荣盛;周玮;张猛 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2015-06-09 - 公布日： 2015-10-21 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种多晶硅薄膜的制备方法及多晶硅TFT结构。该多晶硅薄膜的制备方法包括：步骤1、提供一基片(1)，在所述基片(1)上形成一层多晶硅薄膜(3)，该多晶硅薄膜(3)的厚度符合制造半导体器件所要求的厚度；步骤2、对所述多晶硅薄膜(3)进行硅离子自注入，且硅离子的注入剂量低于使多晶硅非晶化的计量限度。该多晶硅薄膜的制备方法使注入的硅离子形成间隙硅，并移动到多晶硅晶界处，能够减少多晶硅的晶界缺陷密度，改善多晶硅薄膜的质量。本发明提供的一种多晶硅TFT结构，其岛状半导体层由经过低剂量硅离子自注入的多晶硅薄膜制成，能够降低开启状态下的晶界势垒，增大载流子迁移率，增大开态电流，减小阈值电压，改善TFT特性。
多晶薄膜制备方法 tft 结构

[发明专利]一种多补多排生产多晶硅和硅烷偶联剂的方法-CN202211244006.4在审
发明人：徐凯;赵长森;牛强;郭婷;李鹏 -专利权人：内蒙古鄂尔多斯多晶硅业有限公司;内蒙古鄂尔多斯电力冶金集团股份有限公司
申请日： 2022-10-11 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明提供了一种多补多排生产多晶硅和硅烷偶联剂的方法，涉及多晶硅生产技术领域，包括步骤：将多补三氯氢硅与原料粗氯硅烷通入粗分塔中进行粗提纯后，通入精馏塔中提纯，得到高纯三氯氢硅和含杂质的三氯氢硅；高纯三氯氢硅通入还原炉生产多晶硅；含杂质的三氯氢硅通入高低沸塔中提纯，提纯后的三氯氢硅回到精馏塔提纯再用于生产多晶硅，未回到精馏塔的三氯氢硅多排出系统，生产硅烷偶联剂。本发明将高低沸塔中反复循环富集的杂质排出系统，从根本上解决多晶硅系统P杂质不易去除等问题；并将高低沸塔中未回到系统中的高杂质含量的三氯氢硅再多排出系统用于硅烷偶联剂的生产，增加了硅基产品的高附加值。
一种多补多排生产多晶硅烷偶联剂方法

[发明专利]硅析出用芯线-CN202310074529.7在审
发明人：西川正芳;井上裕司 -专利权人：株式会社德山
申请日： 2018-02-14 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提高多晶硅的生产效率。硅芯线(11)由多晶硅的棒状体形成，多晶硅的晶格间氧浓度为10ppma以上40ppma以下，并且，在棒状体的长尺寸方向的侧面观察到晶粒径为1mm以上的晶粒。
析出用芯线

[发明专利]多晶硅的制造方法-CN201880011350.4有效
发明人：西川正芳;井上裕司 -专利权人：株式会社德山
申请日： 2018-02-14 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明提高多晶硅的生产效率。硅芯线(11)由多晶硅的棒状体形成，多晶硅的晶格间氧浓度为10ppma以上40ppma以下，并且，在棒状体的长尺寸方向的侧面观察到晶粒径为1mm以上的晶粒。
多晶制造方法

[发明专利]多晶硅芯片回收组件和从多晶硅清洗装置中回收多晶硅芯片的方法-CN201580051962.2有效
发明人：詹森·L·贾尔迪纳;詹姆斯·C·蒙代尔;纳撒尼尔·C·麦肯锡-赫梅莱夫斯基 -专利权人：赫姆洛克半导体运营有限责任公司
申请日： 2015-09-03 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：多晶硅回收组件包括被配置成清洗多个多晶硅主体的多晶硅清洗装置。还包括的是在多晶硅主体的清洗期间从多晶硅主体中生成的多个多晶硅芯片，其中，多个多晶硅芯片的每一个具有从0.1mm到25.0mm的最长尺寸长度。另外包括的是被配置成将多个多晶硅芯片从多晶硅清洗装置发送到主芯片排放管道的多晶硅装置排放管道，其中，主芯片排放管道定向为以向下坡度远离多晶硅装置排放管道。另外还包括的是流体源，该流体源流体地耦合至主芯片排放管道并配置成将流体注入到主芯片排放管道中以将多个多晶硅芯片驱动通过主芯片排放管道。
多晶芯片回收组件清洗装置方法

[发明专利]深沟槽多晶硅形成方法-CN201010536583.1有效
发明人：吴智勇 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2010-11-09 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种深沟槽多晶硅形成方法，包括步骤：在形成深沟槽后，循环淀积多晶硅和离子注入形成多层多晶硅，直至多层多晶硅填满深沟槽；对多层多晶硅进行回刻，用以去除深沟槽外部区域的多晶硅。在多层多晶硅回刻工艺中采用多晶硅刻蚀和自然氧化层刻蚀循环重复刻蚀的方式，即当多晶硅刻蚀到含有自然氧化层的位置时，插入一步自然氧化层刻蚀工艺。本发明能够避免出现多晶硅刻蚀过程中形成自然氧化层的侧壁掩模，从而能够消除多晶硅尖刺的形成。
深沟多晶形成方法

[发明专利]多晶硅电阻及其制作方法-CN201610424755.3有效
发明人：钱文生 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2016-06-16 - 公布日： 2018-10-26 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅电阻，由P型多晶硅电阻和N型多晶硅电阻互连形成，所述N型多晶硅电阻的N型掺杂浓度要求满足使所述N型多晶硅电阻具有正的温度系数，通过互连使所述N型多晶硅电阻的正的温度系数和和P型多晶硅电阻所具有的负的温度系数相抵消并使互连后的所述多晶硅电阻的温度系数降低并趋于本发明还公开了一种多晶硅电阻的制作方法。本发明能降低多晶硅电阻的温度系数，满足低温度系数的多晶硅电阻的应用要求。
多晶电阻及其制作方法

[发明专利]可回收循环利用尾气中的氯化氢的多晶硅生产方法-CN200710119741.1有效
发明人：沈祖祥;严大洲;汤传斌;肖荣晖;毋克力 -专利权人：中国恩菲工程技术有限公司
申请日： 2007-07-31 - 公布日： 2009-02-04 - 主分类号： C01B33/03 文献下载
摘要：一种可回收循环利用尾气中的氯化氢的多晶硅生产方法，包括以工业硅和氯化氢为原料，反应生成三氯氢硅，所述三氯氢硅经提纯后，送入还原炉与氢气反应，还原生成多晶硅，并收集尾气，其中所述尾气主要包括氢气、氯化氢、和氯硅烷，所述氯硅烷主要包括二氯二氢硅、三氯氢硅和四氯化硅，所述改进的多晶硅生产方法还包括对所述尾气中的氯化氢进行回收循环利用的步骤，并将回收的氯化氢投入到多晶硅生产过程中与工业硅反应生成三氯氢硅。本发明采用干法处理将尾气中的氯化氢回收，并可再用于多晶硅生产中，原料得以充分的利用，减少了污染物，解决了环境污染问题，提高了产品质量，降低了成本。
可回收循环利用尾气中的氯化氢多晶生产方法

[发明专利]半导体结构的形成方法及半导体结构-CN202010260270.1在审
发明人：冯永波;朱红波;王厚有;刘益东 -专利权人：合肥晶合集成电路有限公司
申请日： 2020-04-03 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构的形成方法及半导体结构，在衬底上形成第一多晶硅层和介电层以后，在沉积第二多晶硅层以前，对沉积设备的沉积室先后进行衬底低温进沉积室、抽真空、通还原性气体并升温的操作，去除在第一多晶硅层上形成的自然氧化层，避免后续形成的多晶硅栅极中出现氧化层或氮化硅层界面，进而改善了多晶硅栅极的电性，提高了器件的可靠性。且本发明在第二多晶硅层形成之前，通入还原性气体，由于可以还原Q‑time时生成的自然氧化层，因此可以延长第一多晶硅层到第二多晶硅层制程之间的Q‑time范围，使生产更易控制，避免产能浪费。
半导体结构形成方法

[发明专利]多晶硅电容及制造方法-CN201510257420.2在审
发明人：贺冠中 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2015-05-19 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H01L29/92 文献下载
摘要：本发明涉及一种多晶硅电容及制造方法，其中方法包括：在不掺杂的多晶硅层的底层注入导电杂质，形成多晶硅电容的低阻值的下极板，在不掺杂的多晶硅层的中层注入绝缘杂质，形成多晶硅电容的绝缘介质层，在不掺杂的多晶硅层的上层注入所述导电杂质，形成多晶硅电容的低阻值的上极板，形成多晶硅电容，只需要生成一层多晶硅层，从而缩短了制造时间，降低了制造成本，减少了多晶硅电容的厚度。
多晶电容制造方法

[发明专利]一种后栅工艺中去除多晶硅牺牲栅的方法及装置-CN202010943482.X在审
发明人：李春雨;胡艳鹏;卢一泓;李琳 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司
申请日： 2020-09-09 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明公开了一种后栅工艺中去除多晶硅牺牲栅的方法及装置，属于半导体技术领域，解决了现有技术中栅沟槽底部区域会产生多晶硅残留的问题。本发明去除多晶硅牺牲栅的方法采用多晶硅刻蚀剂对多晶硅进行湿法刻蚀形成无多晶硅残留的沟槽，所述多晶硅刻蚀剂中含有异丙醇。本发明含有异丙醇的多晶硅刻蚀剂可以明显降低表面张力，使之与栅沟槽底部的残留多晶硅充分接触，加强反应，从而解决多晶硅的残留问题。
一种工艺去除多晶牺牲方法装置