“多晶硅生产”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果3446184个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]带有微调装置的多晶硅铸锭炉上料用货叉-CN200820137741.4有效
发明人：宋勇;钟立德;黄秋毛 -专利权人：江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
申请日： 2008-10-09 - 公布日： 2009-08-05 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种多晶硅铸锭炉上料用货叉，特别是一种带有微调装置的多晶硅铸锭炉上料用货叉。带有微调装置的多晶硅铸锭炉上料用货叉，包括：多晶硅铸锭炉上料用货叉、移动顶板、旋转螺杆，多晶硅铸锭炉上料用货叉上设有连接孔，旋转螺杆通过连接孔与移动顶板相连。本实用新型不但有效地解决了使用传统的多晶硅铸锭炉上料用货叉来上料会严重损坏坩埚石墨底托的问题，而且使用带有微调装置的多晶硅铸锭炉上料用货叉还可有效地降低生产成本，增加生产效率，在多晶硅铸锭炉装料时可节约三分之二的人力
带有微调装置多晶铸锭炉上料用货叉

[发明专利]一种多晶硅生产系统质量评价方法及装置-CN201610422812.4在审
发明人：王淑琴;占时友 -专利权人：上海韵申新能源科技有限公司
申请日： 2016-06-15 - 公布日： 2017-12-26 - 主分类号： G01N33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅生产系统质量评价方法及装置。装置包括一对棒评价炉、进料控制模块、混合气电加热模块、电源系统、预热系统以及传动系统。通过采用西门子法生产一对棒产品快速便捷检测多晶硅生产系统特别是电子级多晶硅生产系统中原料纯度等质量参数，自动化水平高，可操作性强。可以多套批量用于多晶硅生产企业的生产流程中，有效提高生产效率。
一种多晶生产系统质量评价方法装置

[实用新型]一种多晶硅生产系统质量评价装置-CN201620579033.0有效
发明人：王淑琴;占时友 -专利权人：上海韵申新能源科技有限公司
申请日： 2016-06-15 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： G01N33/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多晶硅生产系统质量评价装置，包括一对棒评价炉、进料控制模块、混合气电加热模块、电源系统、预热系统以及传动系统，采用西门子法生产一对棒产品快速便捷检测多晶硅生产系统特别是电子级多晶硅生产系统中原料纯度等质量参数，自动化水平高，可操作性强，可以多套批量用于多晶硅生产企业的生产流程中，有效提高生产效率。
一种多晶生产系统质量评价装置

[发明专利]一种储能装置与多晶硅负荷聚合调频方法及系统-CN202110856945.3在审
发明人：陈宋宋;宫飞翔;刘宗杰;纪鹏志;王瑞琪;周翔宇;张海静;何胜;迟青青;付禹;李德智;田世明;韩凝晖;石坤;张明强;廖思阳;徐箭;谢尊辰 -专利权人：国网山东省电力公司;中国电力科学研究院有限公司;国网山东省电力公司济宁供电公司;国家电网有限公司;国网山东综合能源服务有限公司
申请日： 2021-07-28 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H02J3/24 文献下载
摘要：本发明属于电力系统规划调度和需求侧管理相结合的技术领域，提供了一种储能装置与多晶硅负荷聚合调频方法及系统。该方法包括，考虑储能参与调频的控制模块、多晶硅负荷控制模块和运行单机等效模型构建储能与多晶硅负荷聚合控制模型；将储能装置的实时运行数据、多晶硅负荷的实时运行数据输入储能与多晶硅负荷聚合控制模型，考虑储能装置、多晶硅负荷得到的每个调频单元的生产运行约束，获取不同下垂系数下储能装置的荷电状态和多晶硅负荷的输出电压，基于不同下垂系数下储能装置的荷电状态和多晶硅负荷的输出电压，获得每个调频单元的调节容量。
一种装置多晶负荷聚合调频方法系统

[实用新型]一种低缺陷高品质多晶硅锭-CN201720214710.3有效
发明人：赵博成;刘晓辉;王国军 -专利权人：浙江晶鸿新能源科技有限公司
申请日： 2017-03-07 - 公布日： 2017-10-17 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种低缺陷高品质多晶硅锭，包括多晶硅锭，多晶硅锭的外边侧设置有复合保护膜，复合保护膜的内部设置有防尘夹层，防尘夹层的底端设置有防撞夹层，防撞夹层的底端设置有防护夹层，防护夹层的底端设置有防皱夹层本实用新型是一种低缺陷高品质多晶硅锭，在多晶硅锭生产完成后进行覆膜，可以有效的保护多晶硅锭在使用前发生损坏，在运输的运输的过程中，可有效的防止多晶硅锭表面产生污渍和线痕划伤，防止发生碰撞以及崩边的情况发生，可防止多晶硅锭发生缺陷，提高品质，本设计合理简单，十分的便捷实用。
一种缺陷品质多晶

[发明专利]基于工业园区矿热炉和多晶硅协同配合的电网调频方法-CN202110653337.2在审
发明人：张然;刘宗杰;宫飞翔;石立国;陈宋宋;何胜;张海静;冯剑;孙腾;魏新杰;吴清普;胡明;徐玉婷;王瑞琪;张明强;廖思阳;徐箭;周翔宇;谢尊辰 -专利权人：中国电力科学研究院有限公司;国网河北省电力有限公司;国网山东省电力公司济宁供电公司;国网山东省电力公司;国家电网有限公司
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H02J3/24 文献下载
摘要：本发明公开了基于工业园区矿热炉和多晶硅协同配合的电网调频方法，本发明解决了矿热炉和多晶硅单独参与电网需求侧响应时调频容量有限的问题，实现了矿热炉和多晶硅协同配合平抑电网的功率波动，基于矿热炉和多晶硅的实际生产边界约束，确定矿热炉和多晶硅基于某生产状态下的调频容量，以二者调频容量为分配原则，确定在大扰动下需要各自调节的功率值，实现对电网功率波动的协同平抑，矿热炉和多晶硅协同参与电网互动响应，大大增加负荷侧可调容量，同时减轻发电机侧输出压力
基于工业园区矿热炉多晶协同配合电网调频方法

[实用新型]一种多晶硅铸锭过程中二次加料装置-CN201420027401.1有效
发明人：马文会;张聪;魏奎先;郑达敏;谢克强;伍继君;周阳;戴永年 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2014-01-17 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种多晶硅铸锭过程中二次加料装置，属于光伏行业中多晶硅铸锭生产技术领域。该多晶硅铸锭过程中二次加料装置，包括装料筒总成、进出气系统总成、加热设备和下料系统总成，进出气系统总成安装在装料筒总成两侧，加热设备为装料筒总成底部锥形区域加热，下料系统连接装料筒总成底部。该多晶硅铸锭过程中二次加料装置既能提高多晶硅铸锭炉的单次产能，又能提高坩埚的利用率，增加下料管的使用寿命，降低多晶硅生产成本。
一种多晶铸锭过程二次加料装置

[发明专利]低温多晶硅、薄膜晶体管及阵列基板的制作方法-CN201810202160.2在审
发明人：徐向阳 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2018-03-12 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种低温多晶硅、薄膜晶体管及阵列基板的制作方法。该低温多晶硅制作方法包括：提供基板，在所述基板上形成缓冲层；在所述缓冲层上形成非晶硅层；在半透膜掩模板的遮挡下对所述非晶硅层进行准分子激光退火处理，使所述非晶硅层转变为多晶硅层；所述半透膜掩模板包括透光的衬底和设于所述衬底表面的图案化的半透膜本发明还提供了相应的低温多晶硅薄膜晶体管及阵列基板的制作方法。本发明的低温多晶硅、薄膜晶体管及阵列基板的制作方法可以使得多晶硅结晶效果更好，改善多晶硅薄膜晶体管的电性能，同时又能提升多晶硅层的干法刻蚀效率，释放生产制造多晶硅的产能。
低温多晶硅阵列基板薄膜晶体管非晶硅层半透膜制作多晶硅层缓冲层掩模板基板低温多晶硅薄膜晶体管多晶硅薄膜晶体管准分子激光退火多晶硅结晶衬底表面干法刻蚀电性能多晶硅图案化透光产能衬底遮挡释放制造生产

[发明专利]一种无接触破碎多晶硅的方法-CN201410057558.3无效
发明人：季静佳;王体虎 -专利权人：亚洲硅业（青海）有限公司
申请日： 2014-02-20 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： B02C19/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种无接触破碎多晶硅的方法，更具体的说，本发明公开了一种利用激光技术破碎多晶硅的方法。本发明的无接触破碎多晶硅的方法，把至少一束激光射向多晶硅棒或者多晶硅块，多晶硅棒或者多晶硅块的表面或者体内的局部区域吸收激光能量后，该多晶硅棒或多晶硅块的局部区域被瞬时加热。被加热的多晶硅棒或多晶硅块的局部区域膨胀，在多晶硅柱或多晶硅块的表面或体内产生热膨胀应力，致使多晶硅棒或多晶硅块破碎。
一种接触破碎多晶方法

[发明专利]一种多晶硅还原炉-CN201210174662.1无效
发明人：徐予晗 -专利权人：四川瑞能硅材料有限公司
申请日： 2012-05-31 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅还原炉，属于多晶硅生产技术领域。所述多晶硅还原炉的炉盘上，设置有导流隔热罩为进入还原炉的物料提供导流的空间，使物料能够强制上升到炉筒内的顶部。本发明的一种多晶硅还原炉，能够在反应中为多晶硅棒上下部都提供充足的物料进行反应并维持合适的温度，避免产生玉米花状多晶硅和熔断现象，同时还能够达到还原炉的节能降耗目的。
一种多晶还原

[发明专利]用于生产颗粒材料以及用于测量和减少颗粒材料中的粉尘的系统和方法-CN200580027650.4无效
发明人： J·D·霍尔德;H·斯里达拉默西;J·D·希尔克 -专利权人： MEMC电子材料有限公司
申请日： 2005-05-11 - 公布日： 2007-07-25 - 主分类号： C01B33/027 文献下载
摘要：本发明涉及生产颗粒多晶硅的方法以及颗粒多晶硅的供给。本发明还涉及用于测量和用于减少颗粒多晶硅中的粉尘的装置和方法。在一个方面中，一种系统包括处理器皿，该处理器皿具有用于从多晶硅中抽走粉尘的真空端口。本发明的另一种系统包括用于接纳多晶硅料流的阻隔管。一种测量系统包括用于将粉尘与多晶硅料流分开并测量粉尘的歧管和过滤器。
用于生产颗粒材料以及测量减少中的粉尘系统方法

[发明专利]一种PIP多晶硅刻蚀工艺方法-CN201110360070.4无效
发明人：黄志刚 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-11-14 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明公开了一种PIP多晶硅刻蚀工艺方法，包括如下步骤：1)在硅基底上生长栅氧，在栅氧上沉积一层多晶硅，多晶硅光刻和刻蚀，形成多晶硅栅极作为PIP多晶硅的底部多晶硅；在全硅片上沉积一层侧墙氧化膜作为PIP多晶硅的中间绝缘层，然后再沉积一层多晶硅作为PIP多晶硅的顶部多晶硅，在PIP多晶硅的顶部多晶硅上沉积保护膜，然后进行PIP多晶硅光刻，保护膜和PIP多晶硅的顶部多晶硅刻蚀，光刻胶去除；2)氧化膜侧墙刻蚀和侧墙形成本发明在现有的PIP多晶硅结构的顶部淀积一层保护膜，来改善PIP多晶硅在侧墙刻蚀时候的损失，从而达到稳定晶片面内PIP多晶硅的阻值。
一种 pip 多晶刻蚀工艺方法

[实用新型]24对棒多晶硅还原炉-CN201020215600.7有效
发明人：王姗 -专利权人：成都蜀菱科技发展有限公司
申请日： 2010-06-04 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： C01B33/021 文献下载
摘要：本24对棒多晶硅还原炉在炉子底盘上采用大对数电极、还原炉内壁设置光滑的银层，均匀设置多个进气喷嘴，使多晶硅还原炉中反应时的供料气体分布更均匀，反应更充分，多晶硅棒数量更多，从而显著提高了反应效率和单炉产量；并利用银的化学特性和良好的加工性，以及抛光后的镜面效果，在生产出纯度更高的多晶硅产品的同时，大幅度降低了能耗，大大降低了多晶硅的生产成本。
24 多晶还原

[实用新型]一种多晶硅废酸回收装置及采用该装置的PAC生产装置-CN201220136585.6有效
发明人：李仙寿;李仕杨;沈伟;雷嵩;孙明炳 -专利权人：四川瑞能硅材料有限公司
申请日： 2012-03-31 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： C01B7/07 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多晶硅废酸回收装置及采用该装置的PAC生产装置，属于多晶硅技术领域。所述多晶硅废酸回收装置主要由洗涤装置、过滤装置Ⅰ、储槽Ⅰ顺次相连组成，所述PAC生产装置主要由所述多晶硅废酸回收装置与反应装置、聚合池和储槽Ⅱ顺次相连组成。本实用新型提供了一种结构简单、成本低廉的多晶硅废气废液回收浓缩盐酸的装置，同时还提供了一种采用该装置的PAC生产装置。解决了多晶硅生产中废气废液污染环境，传统酸碱中和消耗烧碱成本高，处理中和反应生成的盐污染大等难题，回收所得的符合工艺要求的盐酸还为后续PAC生产提供一种价格便宜的原料酸，进一步提高了经济和环保效益。
一种多晶硅废酸回收装置采用 pac 生产

[发明专利]多晶硅还原炉的控制方法及装置-CN202310465519.6在审
发明人：周鹏程 -专利权人：创新奇智（合肥）科技有限公司
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： G05B19/418 文献下载
摘要：本申请涉及多晶硅生成技术领域，提供一种多晶硅还原炉的控制方法及装置。所述方法包括：将多晶硅还原炉的各控制参数输入训练好的第一神经网络模型，获取与各控制参数一一对应的各观测数据；从各观测数据中，获取与至少一个预设观测数据相匹配的目标观测数据，以根据目标观测数据对应的控制参数，控制多晶硅还原炉运行。本申请实施例提供的多晶硅还原炉的控制方法能够在不降低多晶硅品质的基础上，降低单位产量的能耗，提高多晶硅的生产效率。
多晶还原控制方法装置