专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]氧化炉-CN202320839495.1有效
  • 周公庆;马列;刘宗刚;侯锟;刘赖生 - 通威太阳能(眉山)有限公司
  • 2023-04-14 - 2023-09-26 - C30B33/02
  • 本申请是关于一种氧化炉。氧化炉包括:炉壁,所述炉壁围成腔体;第一加热件,所述第一加热件设置于所述腔体内;加热台,所述加热台与所述第一加热件在所述氧化炉的高度方向上间隔设置,所述加热台包括朝向所述第一加热件的安装区,所述安装区用于安装待氧化件;第二加热件,所述第二加热件内嵌于所述加热台内,且在高度方向上,所述安装区的正投影覆盖所述第二加热件的正投影,所述第二加热件用于局部加热所述待氧化件。
  • 氧化
  • [实用新型]一种蓝宝石晶棒退火梯度冷却装置-CN202321156711.9有效
  • 邓伟雄;张金穗;邓伟强;黄俊惠;李国军;邓伟光 - 深圳晶至新材料科技有限公司
  • 2023-05-15 - 2023-09-15 - C30B33/02
  • 本实用新型公开了一种蓝宝石晶棒退火梯度冷却装置,包括外壳,所述外壳顶端外径固定连接有连接套和收集筒,所述收集筒底部内壁上转动连接有转盘、接槽和同步杆,所述外壳顶部之间固定连接有顶板,所述顶板顶部固定连接有多个均匀分布的注气接头和喷气头,所述外壳底部内壁中心位置处固定连接有步进电机,所述步进电机上下两端输出端方便固定连接有固定杆和电机接头,所述固定杆外径固定连接有晶棒输送架,所述外壳内径底端之间固定连接有固定盘,所述固定盘前端贯穿并设置有排料口、输送筒和引导架。本实用新型中,通过安装自动下料的功能装置,使工作人员的装卸更加方便,提高装置的使用便利性。
  • 一种蓝宝石退火梯度冷却装置
  • [实用新型]一种单晶或多晶硅料堆积棒料整体转移水淬装置-CN202320262312.4有效
  • 左召明;许庆刚;余仲元;郭家伸 - 合肥开比锐精机科技有限公司
  • 2023-02-21 - 2023-09-15 - C30B33/02
  • 本实用新型涉及一种单晶或多晶硅料堆积棒料整体转移水淬装置,包括加热通道,所述加热通道的出料端下方横向对接有水淬槽,水淬槽外端横向对接有冷却烘干通道,所述冷却烘干通道与加热通道内均设有用于水平输送硅棒料的步进机构;所述加热通道的出料端横向对接有底面开口的第一隔热罩,且第一隔热罩架设于所述水淬槽朝向所述加热通道一侧的顶面上;所述加热通道的进料端下方横向对接有所述步进机构,且该步进机构上架设有沿其运料方向匹配开口的第二隔热罩,所述第一隔热罩和第二隔热罩内分别对应设置有连杆机构,且所述连杆机构通过外力驱动而实现90°翻转取放对应的硅棒料。本实用新型既利于硅棒料的热处理效果,又利于加工过程中的节能降耗。
  • 一种多晶堆积整体转移装置
  • [实用新型]一种基于多晶硅模具用退火装置-CN202320178519.3有效
  • 邓云;吴彬辉;王乐刚 - 扬州嘉辉新能源有限公司
  • 2023-02-10 - 2023-09-12 - C30B33/02
  • 本实用新型公开了一种基于多晶硅模具用退火装置,包括固定箱,所述固定箱顶端的中间位置固定连接有下模,所述下模的顶部开设有注塑腔,所述固定箱内部的中间位置固定连接有隔板,所述固定箱内部位于隔板的下方固定连接有储水箱,所述固定箱内部底壁靠近储水箱的一端固定安装有水泵,所述水泵的输出端与输入端均固定连接有输水管,所述输水管的一端与储水箱的内部相连通,所述输水管的另一端与隔板的上方相连通。本实用新型可通过水泵、进水管、储水箱、输水管与散热杆之间的相互配合,实现对模具的水冷,且通过输水管、回收箱与连接管之间的相互配合,实现水的循环冷却,并配合风机的作用下,进一步提升模具的退火降温效果。
  • 一种基于多晶模具退火装置
  • [发明专利]一种用于消除快速热处理过程中晶硅片位错缺陷的方法-CN202211149671.5有效
  • 杨立功;汤佳丽;关统州;潘琦 - 常州时创能源股份有限公司
  • 2022-09-21 - 2023-09-08 - C30B33/02
  • 本发明属于硅片加工领域,公开了一种用于消除快速热处理过程中晶硅片位错缺陷的方法。首先,在目标热处理晶硅片下方增加垫片,然后在硅片四周均放置辅助片。所述垫片或辅助片均为下述材料中的一种或多种组合:多晶硅片;单晶硅片;非晶碳化硅薄片;以多晶硅片或单晶硅片为基底层,单面或双面镀碳化硅层;以氧化硅薄片为基底层,单面或双面镀非晶硅层;以氧化硅薄片为基底层,单面或双面镀碳化硅层;以氧化铝薄片为基底层,单面或双面镀非晶硅层;等等。本发明采用垫片和辅助片相结合,从目标热处理晶硅片的角度直接改善其热能分布,减小硅片不同区域间的温度差异,从而达到消除硅片因温度不均匀诱发应力导致缺陷的目的。
  • 一种用于消除快速热处理过程硅片缺陷方法
  • [发明专利]一种碳化硅单晶的退火装置和退火方法-CN202310980904.4在审
  • 谢红杰;刘春艳;周元辉;范子龙;杨洪雨;赵文超 - 苏州优晶光电科技有限公司
  • 2023-08-07 - 2023-09-05 - C30B33/02
  • 本发明涉及碳化硅晶体生长的衍生技术领域,具体涉及碳化硅单晶的退火装置和退火方法。退火装置包括:多孔碳材料的晶体盒,晶体盒包括第一底板、第一环形侧板和晶体盒上盖,第一底板和第一环形侧板围绕构成晶体盒腔体,晶体盒腔体为碳化硅单晶容纳部,第一环形侧板的轴向中部位置沿周向均匀设置有开孔;多孔碳材料的退火盒,退火盒包括第二底板、第二环形侧板和退火盒上盖,第二底板和第二环形侧板围绕构成退火盒腔体,退火盒腔体包括晶体盒容纳腔体和碳化硅粉料容纳腔体,碳化硅粉料容纳腔体包裹于所述晶体盒容纳腔体的四周。本发明的退火装置,在退火过程中,能够有效抑制碳化硅晶体升华,降低碳化硅晶体位错密度,提高晶体质量。
  • 一种碳化硅退火装置方法
  • [实用新型]一种半导体圆晶用加工定位退火设备-CN202320681803.2有效
  • 朱汪龙;朱玲;王兰 - 江苏先进技电半导体设备有限公司
  • 2023-03-28 - 2023-09-01 - C30B33/02
  • 本实用新型公开了一种半导体圆晶用加工定位退火设备,包括退火炉,所述退火炉的顶部固定连接有加热发生器,所述退火炉的内壁固定连接有石墨加热体,且石墨加热体的输入端与加热发生器电性连接,所述退火炉的内部设置有保温层。本实用新型通过退火炉、加热发生器、石墨加热体、保温层、承载板组、定位机构、载片盘、滑槽、滑块、弧形块、螺纹槽和耐高温螺栓的设置,解决了垫片上的圆晶在取出时使其从垫片的表面发生滑落和防止出现夹片对圆晶的边缘夹取导致对其边缘遮盖及不能适配不同规格圆晶的问题,具备了在取出圆晶时能够防止圆晶从该装置的表面滑落,且避免了圆晶的边缘被遮盖及适配不同规格圆晶的优点。
  • 一种半导体圆晶用加工定位退火设备
  • [发明专利]一种双热场晶片退火炉-CN202210916730.0有效
  • 张德;马远;丁学磊;潘尧波 - 中电化合物半导体有限公司
  • 2022-08-01 - 2023-08-29 - C30B33/02
  • 本发明提供一种双热场晶片退火炉,属于晶体退火技术领域,该双热场晶片退火炉包括:内壁体、外壁体和第一转动盘。其中,内壁体设置在炉体中心,内壁体中设置有第一加热装置,第一加热装置对内壁体外侧加热产生内热场;外壁体沿炉体周向设置在内壁体外围,外壁体中设置有第二加热装置,第二加热装置对外壁体内侧加热产生外热场;第一转动盘在内壁体和外壁体之间沿炉体周向转动,第一转动盘上沿炉体周向设置有多个安放装置,安放装置中安装有多个坩埚,坩埚用于安放待退火晶片。本发明在退火过程中驱动第一转动盘在内壁体和外壁体之间匀速转动,使得第一转动盘载有的多个坩埚能够同时受到内热场和外热场的加热,使得晶体内应力完全释放。
  • 一种双热场晶片退火炉
  • [发明专利]一种激光晶体保温装置-CN202210805897.X在审
  • 周孟晖;徐罗洋;欧阳书展;梁乔春 - 武汉帝尔激光科技股份有限公司
  • 2022-07-08 - 2023-08-25 - C30B33/02
  • 一种激光晶体保温装置,涉及晶体保温领域。该激光晶体保温装置包括外壁开设有晶体容置槽的加热炉体、连接于加热炉体的加热元件、盖板、传感器夹具及与传感器夹具可拆卸连接的温度传感器,晶体容置槽的两端分别贯穿加热炉体的两端,盖板被配置成可拆卸地连接于加热炉体以将晶体限定于晶体容置槽内,加热炉体外壁开设有与传感器夹具尺寸匹配的检测槽,传感器夹具被配置成可插入检测槽以使温度传感器的感温面贴合检测槽内壁。本申请提供的激光晶体保温装置能够准确测定晶体温度,从而提高对非线性晶体的温度控制稳定性。
  • 一种激光晶体保温装置
  • [发明专利]一种再生晶圆内部Cu离子析出工艺及析出装置-CN202310470835.2在审
  • 王俊豪;韩五静 - 安徽富乐德长江半导体材料股份有限公司
  • 2023-04-27 - 2023-08-11 - C30B33/02
  • 本发明公开了一种再生晶圆内部Cu离子析出工艺及析出装置,涉及到再生晶圆加工技术领域,包括如下步骤,S1:铜晶圆经过再生项目的第一步‑膜剥离;S2:将去膜后的晶圆放进析出装置进行热处理设备,经过一定温度的热处理,将晶圆内部的Cu离子析出至表面;S3:然后将经过热处理的铜片进行药液清洗,将析出到表面的Cu洗净;S4:将再生后的铜片进行ICP‑MS体金属检测,确保体金属Cu元素在5E8 atoms/cm2以下,满足铜产品再生要求。通过析出装置对晶圆进行热处理,将晶圆内部Cu离子烘出到表面,在处理过程中,不会对硅片造成损伤,也不影响晶圆内部结构,经过处理后的晶圆,采测试晶圆内部铜离子含量,能够达到5E8 atoms/cm2的水平,满足客户再生要求。
  • 一种再生内部cu离子析出工艺装置

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