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[发明专利]显示面板、阵列基板及其生产方法-CN202210332456.2在审
发明人：岳彩文;杨浩然;张明福;张杨 -专利权人：合肥维信诺科技有限公司
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本申请提供一种显示面板、阵列基板及其生产方法，阵列基板的生产方法包括：在基板上生成第一多晶硅层；在第一多晶硅层远离基板的一侧生成第二多晶硅层，第二多晶硅层的厚度小于第一多晶硅层的厚度。本申请提供的显示面板、阵列基板及其生产方法，可以有效地降低阵列基板中多晶硅膜层表面的凸起的高度，进而降低多晶硅膜层的表面粗糙度，有利于降低阵列基板中晶体管的沟道区漏电的风险。
显示面板阵列及其生产方法

[发明专利]一种用于多晶硅生产的氢气循环系统-CN202110231088.8有效
发明人：司文学;汤传斌;张升学;杨永亮;万烨;严大洲 -专利权人：中国恩菲工程技术有限公司
申请日： 2021-03-02 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： C01B33/03 文献下载
摘要：本申请提供一种用于多晶硅生产的氢气循环系统。该氢气循环系统包括：第一氢气循环子系统，与第一氢气循环子系统中的第一氢气储存装置相连接的第一氢气纯化装置；与所述第一氢气纯化装置相连接的第二氢气循环子系统。本申请的氢气循环系统适用于太阳能级多晶硅、电子级多晶硅、区熔级多晶硅共存的生产，可以为太阳能级多晶硅、电子级多晶硅、区熔级多晶硅的生产分别提供满足不同要求的氢气源。
一种用于多晶生产氢气循环系统

[发明专利]筒形半导体制程用高纯多晶硅锭的制备方法及制备装置-CN202011622914.3在审
发明人：陈富伦 -专利权人：陈富伦
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种筒形半导体制程用高纯多晶硅锭的制备方法及制备装置，该方法包括：将制备筒形多晶硅锭所需的多晶硅原料装入到双层圆坩埚的内外层结构之间，将装有多晶硅原料的双层圆坩埚放入铸锭炉；对铸锭炉抽真空，打开加热器加热，直到多晶硅原料全部熔化成液体；使双层圆坩埚内的温度从圆坩埚底部向上逐渐上升形成温度梯度，以使熔化成液体的多晶硅原料逐渐结晶凝固；在结晶凝固完成后，通过退火冷却得到制备完成的筒形多晶硅锭。该种方案，多晶硅锭生产出来后就是筒形的，而通过筒形多晶硅锭生产相同尺寸的环状多晶硅时，投料量可以大幅度降低，同时，制备的筒形多晶硅锭的品质更好，其制备过程中，多晶硅原料的熔融时间以及能耗更低。
半导体制程用高纯多晶制备方法装置

[实用新型]用于屏蔽栅型MOSFET的测试结构和晶圆-CN202320897320.6有效
发明人：朱林迪;陈丽颖;胡磊;王超;常东旭;李静怡 -专利权人：北京燕东微电子科技有限公司
申请日： 2023-04-20 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于屏蔽栅型MOSFET的测试结构和晶圆，测试结构与屏蔽栅型MOSFET位于同一晶圆中，测试结构包括：至少一个沟槽；位于沟槽中的第一多晶硅层和第二多晶硅层，以及隔离第一多晶硅层和第二多晶硅层的氧化层；第一导电柱，与第一多晶硅层电连接；第二导电柱，与第二多晶硅层电连接；其中，第一多晶硅层为屏蔽栅型MOSFET中屏蔽栅的模拟结构，第二多晶硅层为屏蔽栅型MOSFET中沟道栅的模拟结构；第一多晶硅层、氧化层和第二多晶硅层构成电容结构该测试结构，通过第一多晶硅层、氧化层与第二多晶硅层组成的电容结构，可以对氧化层进行监测，进而提升屏蔽栅型MOSFET的可靠性和生产效率，降低生产成本。
用于屏蔽 mosfet 测试结构

[发明专利]用于生产多晶硅电阻器的方法-CN201410523353.X有效
发明人： T.格罗斯;H.格鲁贝尔;W.伊尔巴赫尔;H-J.舒尔策;M.冯博尔克;M.聪德尔 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2014-10-08 - 公布日： 2018-01-19 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：用于生产多晶硅电阻器的方法。用于生产多晶硅电阻器装置的方法可包括形成多晶硅层；将第一掺杂剂原子注入到所述多晶硅层的至少一部分中，其中第一掺杂剂原子包括深能级施主；将第二掺杂剂原子注入到所述多晶硅层的所述至少一部分中；以及使所述多晶硅层的所述至少一部分退火
用于生产多晶电阻器方法

[发明专利]一种多晶硅生产装置及多晶硅生产方法-CN201010559873.8无效
发明人：任兆杏;任炟;刘静 -专利权人：合肥飞帆等离子科技有限公司
申请日： 2010-11-23 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： C01B33/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅生产装置，包括多晶硅固化接收容器，微波表面波等离子体炬，多晶硅固化接收容器接收微波表面波等离子体炬生成的多晶硅。本发明还公开了一种多晶硅生产方法，采用SiHCl3蒸汽和H2气体作为原料反应物，通过微波表面波等离子体炬对原料反应物放电以加热介质管中的原料反应物，生成的硅在多晶硅固化接收容器中冷却而固化得到多晶硅。
一种多晶生产装置方法

[发明专利]一种用于处理多晶硅副产高沸物的装置和方法-CN201811630843.4在审
发明人：付绪光;李力;刘逸枫;沈峰;陈其国 -专利权人：江苏中能硅业科技发展有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明公开一种处理多晶硅副产高沸物的装置和方法，涉及多晶硅副产物处理领域。一种处理多晶硅副产高沸物的装置和方法，通过将无水氯化氢与多晶硅生产副产高沸物在固定床反应器中一起反应，所述无水氯化氢和高沸物生产低沸点的单氯硅烷，从而实现将多晶硅副产物转化为多晶硅生产原料，实现多晶硅副产物的综合利用采用本发明的高沸物处理装置和方法具有胺基树脂催化剂装填量大，更换胺基树脂催化剂方便，有效防止催化剂受热碳化，降低多晶硅副产高沸物催化剂使用量的优点。
一种用于处理多晶硅副产高沸物装置方法

[实用新型]多晶硅还原炉及多晶硅生产系统-CN202021481982.8有效
发明人：施光明;李宇辰;王琳;韩玲;杨月龙;童占忠;郭光伟;何乃栋;陈宏博 -专利权人：亚洲硅业(青海)股份有限公司;青海省亚硅硅材料工程技术有限公司
申请日： 2020-07-23 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： C01B33/03 文献下载
摘要：本实用新型提供一种多晶硅还原炉及多晶硅生产系统，涉及多晶硅还原炉结构技术领域，为解决现有技术中存在多晶硅还原炉仅能够位于固定位置进行装载、反应以及卸料等步骤，导致产料、原料以及废料之间不能够充分隔离，容易出现相互掺杂污染的问题而设计本实用新型提供的多晶硅还原炉，包括钟罩、底盘、电极以及滚轮。钟罩罩设于底盘，并形成用于生产多晶硅的反应腔，电极的一端穿入底盘并延伸至反应腔，且电极由外部电源供电；滚轮转动连接于底盘的底部。本实用新型还提供一种多晶硅生产系统，包括上述的多晶硅还原炉。
多晶还原生产系统

[发明专利]多晶硅回刻处理方法-CN201610639230.1在审
发明人：贺冠中 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2016-08-05 - 公布日： 2018-02-13 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明的多晶硅回刻处理方法，通过在形成了沟槽的半导体衬底上形成栅氧化层和多晶硅层，并在该多晶硅层上形成一层第一氧化层，通过清洗该第一氧化层，再对去除了该第一氧化层后剩余的多晶硅层进行刻蚀。从而实现多晶硅回刻之前，采用氧化工艺和清洗工艺，去除多晶硅表面的氧化介质或其他沾污物质，改善多晶硅回刻的均匀性，解决多晶硅残留的问题，进而提高了半导体产品的生产良率和可靠性，降低了生产成本。
多晶硅回刻处理方法

[发明专利]多晶硅锭倒置开方方法-CN201210296319.4无效
发明人：张谦;孙志刚;刘茂华;韩子强;石坚;吴继贤;章建海 -专利权人：安阳市凤凰光伏科技有限公司
申请日： 2012-08-20 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅锭倒置开方方法，涉及多晶硅锭生产制作技术领域，进一步是指多晶硅锭开方技术，在开方粘锭前，对多晶硅锭进行翻转，即晶锭的底部朝上，头部朝下；之后，再进行粘锭、开方。本发明具有以下有益效果：通过新型的晶锭倒置开方技术，解决在开方过程中多晶硅锭底部裂伤的问题，从而减少多晶硅锭在开方环节的损失，提高多晶硅锭的良锭率，降低生产成本。
多晶倒置开方方法

[实用新型]一种多晶硅还原炉-CN201520119789.2有效
发明人：宁阳阳 -专利权人：内蒙古鄂尔多斯电力冶金股份有限公司氯碱化工分公司
申请日： 2015-02-28 - 公布日： 2015-07-22 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种多晶硅还原炉，包括圆形的底座和设置在所述底座上的相应的炉体，所述底座上设置有能够称量炉体内的多晶硅的重量的称重模块。通过采用本实用新型所公开的多晶硅还原炉，通过在所述底座上设置有能够称量炉体内的多晶硅的重量的称重模块，可以在多晶硅的生产过程中就准确地获得生成的多晶硅的重量，从而可以计算出多晶硅的沉积速率，转化率等等数据，从而可以有效地指导生产。
一种多晶还原

[发明专利]多根多晶硅棒的取棒方法及其取棒装置和取棒装置组合件-CN200810107025.6有效
发明人：卡罗·保迪;玛太罗·玛塞里;皮艾罗·斯凯德拉 -专利权人：江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
申请日： 2008-08-22 - 公布日： 2010-01-13 - 主分类号： C30B28/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种光伏和半导体技术领域的多晶硅棒生产结束后的转移取棒方法及其取棒装置和取棒装置组合件，特别是涉及一种一次能取出多根多晶硅棒的取棒方法及其取棒装置和取棒装置组合件，面对分布在同轴的多个圆环上的多根多晶硅棒，先一次性取分布在最外圈圆环上的多晶硅棒，再一次性取次外圈圆环上的多晶硅棒，依次从外到里，一圈圈地取出所有多晶硅棒。取棒装置是由壁、空腔组成；取棒装置下部还设置有可以支撑断裂后的多晶硅棒的接触件。降低了在转移过程中多晶硅棒被污染的风险；使用本发明，大大简化了生产工艺，减少了转移多晶硅棒所需时间，降低了多晶硅生产周期；同时解决了操作工容易被多晶硅棒刮伤的危险。
多晶方法及其装置组合

[实用新型]一次能取出多根多晶硅棒的取棒装置和取棒装置组合件-CN200820137429.5有效
发明人：卡罗.保迪;玛太罗.玛塞里;皮艾罗.斯凯德拉 -专利权人：江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
申请日： 2008-08-22 - 公布日： 2009-09-16 - 主分类号： C30B28/14 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种光伏和半导体技术领域的多晶硅棒生产结束后的转移取棒方法及其取棒装置和取棒装置组合件，特别是涉及一种一次能取出多根多晶硅棒的取棒方法及其取棒装置和取棒装置组合件，面对分布在同轴的多个圆环上的多根多晶硅棒，先一次性取分布在最外圈圆环上的多晶硅棒，再一次性取次外圈圆环上的多晶硅棒，依次从外到里，一圈圈地取出所有多晶硅棒。取棒装置是由壁、空腔组成；取棒装置下部还设置有可以支撑断裂后的多晶硅棒的接触件。降低了在转移过程中多晶硅棒被污染的风险；使用本实用新型，大大简化了生产工艺，减少了转移多晶硅棒所需时间，降低了多晶硅生产周期；同时解决了操作工容易被多晶硅棒刮伤的危险。
一次取出多晶装置组合

[发明专利]用于区熔的多晶硅棒的预处理方法-CN202210781422.1有效
发明人：张天雨;田新;蒋文武;吴鹏;闫家强 -专利权人：江苏鑫华半导体科技股份有限公司
申请日： 2022-07-05 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： C30B13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于区熔的多晶硅棒的预处理方法，该方法包括：（1）将机械法套取得到的多晶硅棒进行机械抛光，以便得到表面Ra为0.1~1μm的多晶硅棒；（2）将步骤（1）得到的多晶硅棒进行化学刻蚀，且控制刻蚀深度为30~40μm；（3）对步骤（2）得到的多晶硅棒进行清洗和干燥。该方法得到的多晶硅棒表面均匀致密，平坦度好，多晶硅棒表面隐裂去除的效果好，且不会对多晶硅棒表面造成二次损伤，且多晶硅棒的杂质去除率高，用该多晶硅棒区熔得到的单晶棒良率高且杂质含量稳定，从而能更真实的反映改良西门子法生产的多晶硅棒的非金属杂质含量，进而为下游多晶硅掺杂量的计算提供良好的数据支持，提高多晶硅产品品质。
用于多晶预处理方法

[发明专利]形成多晶硅电阻的方法及半导体器件-CN201410392176.6有效
发明人：夏禹;刘丽丽 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-08-11 - 公布日： 2018-05-25 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种形成多晶硅电阻的方法及半导体器件。其中，该方法包括：在半导体基体上形成多晶硅层；在多晶硅层的表面上形成含硅介质薄膜，以使硅原子扩散至多晶硅层中并形成多晶硅电阻。该方法可以通过调节形成含硅介质薄膜的工艺参数，从而精确控制所形成多晶硅电阻的电阻率。同时，该方法仅通过形成含硅介质薄膜的这一步骤即可形成多晶硅电阻，因此该方法能够快速的调整所有多晶硅电阻的电阻率，且简便需要易行，可应用于所有需要用到多晶硅电阻的生产工艺中。
多晶硅电阻多晶硅层硅介质薄膜半导体器件电阻率半导体基体硅原子生产工艺扩散申请应用