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[实用新型]一种多晶硅全自动生产系统-CN201721533526.1有效
发明人：何建志 -专利权人：浙江启瑞电子有限公司
申请日： 2017-11-16 - 公布日： 2018-07-03 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种多晶硅全自动生产系统，包括多晶硅原料的处理装置，该装置包括原料检测筛选机、原料清洗装置和原料干燥装置，多晶硅原料的处理装置之后设有原料传输轨道，原料传输轨道的末端连接在多晶硅的铸锭装置上，多晶硅的铸锭装置包括坩埚喷涂装置和抽真空/加热装置，多晶硅的铸锭装置之后设有硅锭传输轨道，多晶硅的铸锭装置末端通往硅锭的裁切装置，所述硅锭的裁切装置依次为开方装置，去头尾装置，磨面、倒角装置以及粘胶装置和切片装置，硅锭的裁切装置之后设有废料的回收装置和硅片的处理装置，硅片的处理装置前后工序依次为硅片的脱胶/清洗/干燥和硅片的包装、入库两部分。本实用新型结构完善，设计合理，可满足实际生产需要。
多晶硅处理装置铸锭装置硅片硅锭裁切装置传输轨道全自动生产系统本实用新型多晶硅原料原料干燥装置原料清洗装置倒角装置回收装置加热装置结构完善末端连接切片装置原料检测粘胶装置坩埚喷涂开方抽真空筛选机磨面脱胶清洗入库生产

[发明专利]一种多晶硅锭模及使用方法、涂料制备方法-CN201910371694.2有效
发明人：庹开正;周旭 -专利权人：新疆泰宇达环保科技有限公司
申请日： 2019-05-06 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅锭模及使用方法、涂料制备方法，侧壁、模顶、模底均由多晶硅材料制作而成，因此本发明降温快，而且不会污染硅产品，不会干扰硅锭的纯度。大锭涂料专用于以多晶硅为原料制作而成的工业硅成型模具中，解决了现有技术中没有能够与多晶硅模具相匹配的涂料的问题，能够保证多晶硅模具维持自身传热快、不污染的优势，以此改善硅锭成型质量。大锭涂料摒弃了传统模具涂料以碳或含碳有机物作为涂料主剂的方式，以硅基主剂来配合工业硅生产所用的多晶硅模具，碳化硅和氮化硅能够确保不会对硅料成型造成杂质污染，同时也与多晶硅具有极好的适配性，确保了在多晶硅不会污染工业硅的同时，涂料也不会污染工业硅。
一种多晶硅锭模使用方法涂料制备方法

[发明专利]一种多晶硅破碎方法及设备-CN201910155929.4有效
发明人：肖贵云;张涛;张坚;卢亮;邹江华;金浩 -专利权人：晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2019-03-01 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： B02C19/18 文献下载
摘要：本申请公开了一种多晶硅破碎方法，包括将多晶硅置于密闭空间中；将所述多晶硅加热至预设温度；对加热后的多晶硅进行冷却，以使冷却后的多晶硅产生内应力；对所述冷却后的多晶硅进行破碎，以得到多晶硅碎料。本申请中将多晶硅放入密闭空间中加热至预设温度后，再对加热后的多晶硅进行冷却，使得多晶硅内部产生内应力，由于内应力的存在，对所述冷却后的多晶硅进行破碎时，只需要较小的冲击力即可将多晶硅击碎，得到多晶硅碎料，同时减少多晶硅粉末的产生，即减少多晶硅的损耗。此外，本申请还提供一种具有上述优点的多晶硅破碎设备。
一种多晶破碎方法设备

[发明专利]一种单元栅蚀刻方法-CN201010002835.2无效
发明人：陶志波;陈伏宏 -专利权人：和舰科技(苏州)有限公司
申请日： 2010-01-18 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：所述方法，包括：步骤(1)：控制单元栅上多晶硅1结构与多晶硅1+氧化硅-氮化硅-氧化硅+多晶硅0结构的高度同步，同时蚀刻所述多晶硅1+氧化硅-氮化硅-氧化硅+多晶硅0结构的多晶硅1层和所述多晶硅1结构；步骤(2)：同时蚀刻所述多晶硅1+氧化硅-氮化硅-氧化硅+多晶硅0结构的氧化硅-氮化硅-氧化硅层和所述多晶硅1结构；步骤(3)：同时蚀刻所述多晶硅1+氧化硅-氮化硅-氧化硅+多晶硅0结构的多晶硅0层和所述多晶硅本发明的方法能够避免多晶硅残留，避免形成多晶硅桥，提高产品良率。
一种单元蚀刻方法

[发明专利]一种多晶硅生产中的残液及渣浆的处理方法-CN201510482431.0在审
发明人：夏高强;刘兴平;郑宝刚;周迎春 -专利权人：新特能源股份有限公司
申请日： 2015-08-03 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅生产中的残液及渣浆的处理方法，残液及渣浆中包含有硅和四氯化硅，方法包括步骤a)向残液及渣浆中加入催化剂，使得硅与四氯化硅反应生成六氯二硅烷。本发明中的多晶硅生产中的残液及渣浆的处理方法，通过六氯二硅烷的合成反应，提高了残液及渣浆中六氯二硅烷的含量，得到高附加值的残液及渣浆，提升了六氯二硅烷回收工艺的经济性；将多晶硅成产中的固废、液废同时进行合理的转化与回收利用，在降低残液及渣浆处理成本的同时实现了高附加值产品的回收；解决了多晶硅生产中残液及渣浆处理的瓶颈问题，使多晶硅生产的产品多元化；大幅地减少了多晶硅上产中三废的排放量，使多晶硅的生产更加绿色环保。
一种多晶生产中的处理方法

[发明专利]一种多晶硅生产中防止硅芯剥离的控制方法-CN202111410846.9在审
发明人：邹仁苏 -专利权人：新疆大全新能源股份有限公司
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2022-01-21 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明为一种多晶硅生产中防止硅芯剥离的控制方法。一种多晶硅生产中防止硅芯剥离的控制方法，所述的控制方法为：将硅芯浸泡在流动的氢气中。本发明所述的一种多晶硅生产中防止硅芯剥离的控制方法，能有效去除硅芯表面剥离现象，提高产品质量，减少生产成本，提高经济效益。
一种多晶生产防止剥离控制方法

[发明专利]半导体器件的制备方法-CN202111566891.3有效
发明人：陈忠奎;胡良斌;唐斌;薛英武 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制备方法，包括在晶圆沟槽的内壁形成场氧化层，接着在晶圆的第一表面和第二表面沉积掺杂多晶硅层，使沟槽上的掺杂多晶硅层高出所述第一表面一设定厚度，并在第一表面和第二表面的掺杂多晶硅层上沉积非掺杂多晶硅层，再去除第一表面上的非掺杂多晶硅层及部分掺杂多晶硅层至沟槽内掺杂多晶硅层的厚度符合器件性能要求。其中，掺杂多晶硅层的沉积温度和沉积厚度根据沟槽内形成场氧化层后晶圆的翘曲度及晶圆在沟槽延伸方向和沟槽排列方向的翘曲度差异确定的。本发明通过优化多晶硅沉积工艺条件调节深沟槽晶圆的翘曲度，既解决了300mm晶圆上实现大规模量产深沟槽产品的瓶颈问题，提高了生产效率，降低了生产成本。
半导体器件制备方法

[发明专利]一种基于半导体制造的Poly/OX选择比获取方法-CN202211330271.4在审
发明人：杨柳;姜柏阳;郭琳;马恒暄;牛丹;同小锦;李轩岗;张泾波;杜超 -专利权人：西安卫光科技有限公司;西安微晶微电子有限公司
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于半导体制造的Poly/OX选择比获取方法，包括：将晶圆设置于多晶硅刻蚀机台内；向多晶硅刻蚀机台内通入包括氟类气体的刻蚀气体；对刻蚀气体进行电离，获得刻蚀所需的等离子体；基于刻蚀所需的等离子体，对晶圆上多晶硅层和栅氧氧化层进行刻蚀；抽取晶圆表面的等离子体，完成对多晶硅层和栅氧氧化层的刻蚀；对比不同气体流量下的等离子体对多晶硅层和栅氧氧化层的刻蚀速率，获取不同的Poly/OX选择比。本发明实现在保证多晶硅刻蚀干净的基础上提高多晶硅下的栅氧氧化层损失量的效果；能够提高栅氧氧化层的刻蚀速率，获取不同的Poly/OX选择比，提高生产效率，降低生产成本；有利于工业化生产。
一种基于半导体制造 poly ox 选择获取方法

[发明专利]电可编程的多晶硅熔丝器件结构-CN201810992764.1有效
发明人：武洁 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2018-08-29 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明公开了一种电可编程的多晶硅熔丝器件结构，包括多晶硅熔丝阳极、多晶硅熔丝阴极以及多晶硅熔丝三部分；中间的多晶硅熔丝两头分别连接多晶硅熔丝阳极以及多晶硅熔丝阴极；多晶硅熔丝的宽度远小于多晶硅熔丝阳极和多晶硅熔丝阴极所述多晶硅熔丝部分对应多晶硅宽度为设计规则允许最小宽度，多晶硅熔丝电阻方块数在8～13之间；多晶硅熔丝阴极与多晶硅熔丝连接处角度a为30～60度；多晶硅阳极打满接触孔，多晶硅阴极的接触孔只形成于最外围一圈本发明结构在多晶硅熔丝阳极灌入大的编程电流时，熔丝连接处有更大的温度梯度，更容易发生电迁移，编程后阻值标准偏差减小30％。
可编程多晶硅熔丝器件结构

[发明专利]一种多晶硅电池片链式背抛光方法及其装置-CN201810739068.X有效
发明人：许成德;李鑫 -专利权人：横店集团东磁股份有限公司
申请日： 2018-07-06 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅电池片链式背抛光方法，将扩散后的多晶硅电池片正面喷洒水形成均匀水膜保护层，将多晶硅电池片与氢氟酸硝酸混合液接触除去多晶硅四周及背面的氧化层，将经上述处理后的多晶硅电池片与碱液接触进行腐蚀抛光，将处理后的多晶硅电池片用水清洗，将用水清洗后的多晶硅电池片依次用碱、酸进行清洗并干燥；本发明还公开了一种多晶硅电池片链式背抛光装置。本发明中的多晶硅电池片链式背抛光方法能够保证电池的效率和稳定性，不易形成“刻蚀印”而影响外观，还能降低酸使用量、漏电比例低、背抛光效果好；本发明中的多晶硅电池片链式背抛光装置能够良好的实现上述方法，保证连续化生产
一种多晶电池链式抛光方法及其装置

[实用新型]一种组装式的多晶硅匀流板-CN202220137952.8有效
发明人：薛治祥;张晓仪;施嘉颖;龚雨桃 -专利权人：江苏捷捷微电子股份有限公司
申请日： 2022-01-19 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型一种组装式的多晶硅匀流板，该匀流板由1个多晶硅底板和2～5个设置若干个圆孔的多晶硅孔板组成，多晶硅孔板设置在多晶硅底板的孔板卡槽上。多晶硅底板两端有拉孔用于匀流板进出炉管；多晶硅孔板上设有呈环形排布的通孔，圆孔外径为6～12mm,圆孔数量根据实际工艺环境模拟来确定；多晶硅孔板的安装数量以及相邻间距可以根据工艺需求来调整，灵活方便；组装式的设计大大降低了多晶硅匀流板的加工难度，且方便清洗和干燥；多晶硅匀流板解决了石英匀流板耐高温特性差、使用寿命短的缺点，降低了生产成本的同时保证了半导体P‑N结扩散掺杂的参数均匀性和工艺的重复性、稳定性。
一种组装多晶硅匀流板

[实用新型]多晶硅太阳电池组件-CN201120543330.7有效
发明人：叶挺宁 -专利权人：江西金泰新能源有限公司
申请日： 2011-12-22 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L31/048 文献下载
摘要：多晶硅太阳电池组件，涉及太阳能电池。包括多晶硅太阳电池片(1)和封装方框(2)；多晶硅太阳电池片(1)是正方形片状结构，封装方框(2)是方框形，封装方框(2)内有纵横设置构成网格形结构，封装方框(2)内的每一个网格中设置有一块多晶硅太阳电池片(1)，多晶硅太阳电池片(1)上面罩有玻璃片(3)，在封装方框(2)内每一个网格上和边框上有将每一片多晶硅太阳电池片(1)电极电连接的导电电极片(4)。本实用新型的多晶硅太阳电池组件，具有成本低、不易损坏、使用寿命短、方便生产、生产效率高的优点。
多晶太阳电池组件

[发明专利]一种多晶硅生产废物的综合利用方法-CN200810045765.1无效
发明人：魏昭荣 -专利权人：魏昭荣
申请日： 2008-08-08 - 公布日： 2009-01-07 - 主分类号： C01B33/033 文献下载
摘要：一种多晶硅生产废物的综合利用方法。改良西门子法生产多晶硅过程中产生的废物主要有四氯化硅、三氯氢硅、二氯二氢硅等，本发明的多晶硅生产废物综合利用方法分为三步，第一步：多晶硅生产废物的转化。将温度控制在20℃－1400℃之间，利用活泼金属与多晶硅生产废物反应，将废物转化为硅和氯化物。第二步：硅的利用。生成的硅经收集、分离杂质、处理后，可作为商品多晶硅；第三步：氯化物利用。
一种多晶生产废物综合利用方法

[实用新型]一种用于多晶硅生产的硅芯结构-CN201920389252.6有效
发明人：李涛;陈文吉 -专利权人：新疆大全新能源股份有限公司
申请日： 2019-03-26 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本实用新型涉及多晶硅生产技术领域，具体涉及一种用于多晶硅生产的硅芯结构。主要技术方案为：一种用于多晶硅生产的硅芯结构，包括:硅芯本体；所述硅芯本体的横截面为三角形；所述硅芯本体的至少一端具有锥形凸台。采用本实用新型能够减少硅料使用量，降低硅芯的成本。
硅芯多晶硅生产本实用新型硅芯结构锥形凸台硅料

[发明专利]在沟槽内形成多晶硅的方法-CN201310238394.X有效
发明人：童亮 -专利权人：矽力杰半导体技术（杭州）有限公司
申请日： 2013-06-14 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提出一种在沟槽内形成多晶硅的方法，在衬底表面以及沟槽中形成多晶硅之后，在多晶硅表面涂覆刻蚀率较高的牺牲层，牺牲层能够形成较平坦的表面，接着再借着平坦的牺牲层作为牺牲掩膜对多晶硅进行刻蚀，便能刻蚀出表面平坦的多晶硅，避免使用CMP工艺，简化了工艺流程，降低了生产成本，并且能够使后续形成的氧化层符合工艺要求。
沟槽形成多晶方法

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