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[实用新型]一种多晶硅精馏系统尾气回收装置-CN201220395277.5有效
发明人：王喜良 -专利权人：四川瑞能硅材料有限公司
申请日： 2012-08-10 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多晶硅精馏系统尾气回收装置，属于多晶硅生产技术领域；所述多晶硅精馏系统尾气回收装置主要包括冷凝器组、储罐组和精馏塔，所述冷凝器组的进口与精馏系统各个尾气排放管道连接，冷凝器组的出口与储罐组连接，所述储罐组的出口与精馏塔进料口连接；本实用新型的多晶硅精馏系统尾气回收装置能够有效的回收并分离提纯多晶硅精馏系统尾气中的三氯氢硅，提高原料利用率，有效的节约生产成本，减少环境污染。
一种多晶精馏系统尾气回收装置

[发明专利]低温多晶硅阵列基板的制作方法-CN201610060851.4有效
发明人：邓思;郭远 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2016-01-28 - 公布日： 2018-03-06 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明提供一种低温多晶硅阵列基板的制作方法，采用一道半色调光罩来实现多晶硅层的图形化处理以及NMOS区的多晶硅段的N型重掺杂制程，与现有技术相比，节约一道光罩，从而降低生产成本，且制得的低温多晶硅阵列基板具有良好的电学性能
低温多晶阵列制作方法

[发明专利]一种多晶硅的生产方法-CN201210188467.4有效
发明人：吴梅 -专利权人：浙江昱辉阳光能源有限公司
申请日： 2012-06-08 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明提供一种多晶硅的生产方法为硅矿石与氯气或氯化氢在还原剂作用下发生氯化反应，得到四氯化硅；将所述的四氯化硅进行氢化反应，得到三氯氢硅；将所述的三氯氢硅还原，得到多晶硅。本发明直接使硅矿石与氯气或氯化氢在还原剂作用下发生氯化反应，得到四氯化硅；将所述四氯化硅进行氢化得到三氯氢硅；将所述三氯氢硅还原，得到多晶硅。首先，本发明中直接以硅矿石为原料制备多晶硅，无需经过金属硅冶炼工序将石英砂制备成为工业硅后再制备多晶硅，避免了高能耗的工业硅冶炼工序，因此降低了整个多晶硅生产方法的能耗。
一种多晶生产方法

[发明专利]结晶硅薄膜半导体器件,光电器件及前者的制造方法-CN01140772.7无效
发明人：冈史人;松村信一;皆川康 -专利权人：日立电线株式会社
申请日： 2001-08-25 - 公布日： 2003-04-02 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：玻璃衬底上设透明电极，透明电极上设非晶硅层。设置镍层作金属催化剂元素，金属催化剂元素与非晶硅层表面接触，之后，热处理非晶硅层使其结晶，由此形成P型多晶硅层。该多晶硅层有晶体取向和高结晶度。用该多晶硅层作籽晶形成有晶体取向和高结晶度的P_型多晶硅层。并在多晶硅层上顺序形成i_型和n_型多晶硅层。用上述结构，能制成有结晶硅的高结晶度，晶体取向，优良性能和高生产合格率的结晶硅薄膜半导体器件。
结晶薄膜半导体器件光电器件前者制造方法

[发明专利]一种具有定向凝固组织多晶硅锭的制备方法-CN201010609932.8无效
发明人：陈瑞润;丁宏升;黄锋;郭景杰;苏彦庆;李新中;傅恒志 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2010-12-28 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：一种具有定向凝固组织多晶硅锭的制备方法，它涉及一种多晶硅锭生产方法，以解决现有多晶硅锭的制备主要是在陶瓷或石墨套筒中进行，套筒内壁对多晶硅产生污染，导致多晶硅锭的纯度低的问题。方法：一、先漏入石墨底座上25g颗粒硅；二、抽真空；三、向真空室充入氩气；四、利用感应线圈使冷坩埚内的颗粒硅熔化；五、向冷坩埚内加入颗粒硅，形成颗粒硅熔体驼峰后，停止步进电机，保温8min；六、驱动拉杆向下运动，启动步进电机，使石墨管中的颗粒硅向冷坩埚内加料，冷却器为熔化的颗粒硅提供强冷，使熔化的颗粒硅形成具有定向凝固组织的柱状晶；七、将柱状晶硅锭的多晶层加工去除后即为具有定向凝固组织多晶硅锭。本发明用于制备多晶硅锭。
一种具有定向凝固组织多晶制备方法

[实用新型]一种棒状多晶硅料破碎分离装置-CN202221555651.3有效
发明人：丁华伟;马世刚;王苏俊;季建波;马红鸣;任杰;任娟 -专利权人：新疆协鑫新能源材料科技有限公司
申请日： 2022-06-21 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： B02C23/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种棒状多晶硅料破碎分离装置，包括破碎台组件，用于破碎棒状多晶硅，并分离出块状多晶硅和多晶硅颗粒；震动筛组件，与破碎台组件连接，用于将破碎台组件破碎过程中分离出的多晶硅颗粒进行筛分，分离得到不同粒径的多晶硅颗粒；集尘组件，分别与破碎台组件和震动筛组件通过管道连接，用于收集破碎过程以及震动筛分过程中产生的硅粉。该装置可以生产一体式、多规格、无污染、高纯度多晶硅料，将棒状多晶硅截断放置破碎台面上，作业人员使用破碎锤进行破碎，破碎后φ10mm以上硅料正常装袋，0‑10mm硅粒料通过圆振筛设备后进行振动筛分，按照不同规格的筛网进行分类出料
一种多晶破碎分离装置

[发明专利]一种利用多晶硅生产废物生产氯化钙的方法-CN200910058319.9无效
发明人：魏昭荣 -专利权人：魏昭荣
申请日： 2009-02-12 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： C01F11/24 文献下载
摘要：一种利用多晶硅生产废物生产氯化钙的方法。改良西门子法生产多晶硅过程中产生的废物主要有四氯化硅、三氯氢硅、二氯二氢硅、氯化氢等，本发明的一种利用多晶硅生产废物生产氯化钙的方法为：首先将计量的氧化钙(生石灰石)，或氢氧化钙(熟石灰)，或碳酸钙(石灰石)加入定量水中，搅拌均匀；然后将多晶硅生产废物通入其中，多晶硅生产废物中的四氯化硅、三氯氢硅、二氯二氢硅发生水解反应，生成硅酸和盐酸，生成的盐酸与氢氧化钙(熟石灰)，或碳酸钙(石灰石)反应生成氯化钙和水本发明优点是：利用多晶硅生产废物生产氯化钙，将多晶硅生产废物“无害化”和“资源化”，变废为宝；本发明的生产过程达到“零排放”，所得氯化钙质量稳定，纯度高；本发明反应速度快，反应彻底，易于实现大规模生产；本发明设备简易，能耗低，生产成本低，易于推广；本发明有助于解决多晶硅行业的污染问题，可节约大量的盐酸，具有重大的经济效益和社会效益。
一种利用多晶生产废物氯化钙方法

[发明专利]利用硅纳米颗粒制备高纯多晶硅的方法及装置-CN200910098050.7有效
发明人：皮孝东;杨德仁;韩庆荣 -专利权人：浙江大学;韩庆荣
申请日： 2009-04-27 - 公布日： 2009-10-21 - 主分类号： C01B33/021 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用硅纳米颗粒制备高纯多晶硅的方法，使硅纳米颗粒从原料腔进入熔化腔，加热熔化腔内的硅纳米颗粒使其熔融形成硅熔体，硅熔体从熔化腔流出后冷却凝固成块状多晶硅。本发明技术方案在保证多晶硅料的纯度的情况下，显著降低多晶硅料的制备成本；不仅可以制备多晶硅料，而且可以把传统上分离的多晶硅料制备和多晶硅铸造集成起来，显著地简化工艺，提高生产效率。
利用纳米颗粒制备高纯多晶方法装置

[发明专利]电子级多晶硅破碎方法-CN202310420218.1在审
发明人：张天雨;田新;蒋文武;李明峰;王付刚;崔会为;袁北京 -专利权人：江苏鑫华半导体科技股份有限公司
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： B02C19/18 文献下载
摘要：本发明公开了电子级多晶硅破碎方法。电子级多晶硅破碎方法包括：将多晶硅棒切割为多个多晶硅段，所述多晶硅段的长度为10cm‑50cm；对所述多晶硅段进行加热处理；利用喷射组件向加热处理后的所述多晶硅段的柱面和至少一个侧面喷射冷却液，使所述多晶硅段破碎由此，通过先将多晶硅棒切割为较短的多晶硅段，之后通过加热和急冷处理，使多晶硅破碎为所需的尺寸，破碎效果较好。
电子多晶破碎方法

[发明专利]一种生产太阳能级多晶硅的方法-CN201010531800.8无效
发明人：刘春霞;马瑞新 -专利权人：刘春霞;马瑞新
申请日： 2010-11-04 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： C01B33/033 文献下载
摘要：一种生产太阳能级多晶硅的方法。技术领域：本发明涉及冶金、化工，尤其是、太阳能电池制造行业的多晶硅生产方法。本发明提供了一种太阳能级多晶硅的生产方法。方法是将金属镁经过真空升华提纯以后加热变为蒸气，用金属镁蒸气还原SiCl4气体来生产太阳能级多晶硅。SiCl4的来源是改良西门子工艺的副产品，也可以是冶金硅经过氯化、提纯以后的SiCl4。SiCl4经过镁还原得到多晶硅和氯化镁。多晶硅经过简单酸洗、水洗即可达到太阳能光伏电池的要求；另一种还原产物——氯化镁可以通过电解重新变成金属镁和氯气。金属镁用于还原，氯气用于生产SiCl4或者生产三氯硅烷，实现闭路循环，无污染物排放。与现有技术相比，本发明所述方法生产成本低、投资小、无污染物排放。
一种生产太阳能级多晶方法

[实用新型]一种多晶硅生产用水处理系统-CN201120341148.3有效
发明人：万荣群;袁曙光;李红卫 -专利权人：深圳恒通源水处理科技有限公司
申请日： 2011-09-13 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： C02F9/08 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种多晶硅生产用水处理系统，包括依次连通的原水预处理装置、保安过滤器、反渗透装置、EDI装置、紫外线杀菌装置、精密过滤器和CDI装置。本实用新型多晶硅生产用水处理系统通过原水预处理装置、反渗透装置、紫外线杀菌装置、精密过滤器、EDI装置等依次连通，有效去除原水中的二氧化碳、剩余的微量离子、细菌等，获得符合多晶硅生产用水，出水率高，杂质少该多晶硅生产用水处理系统操作简单，运行稳定，浓水回流利用，提高了水利用率，节约了水资源，环保，降低了多晶硅生产用水的生产成本。
一种多晶生产水处理系统

[发明专利]多晶硅-绝缘体-多晶硅电容结构-CN200810204970.8无效
发明人：顾靖 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2008-12-30 - 公布日： 2009-06-24 - 主分类号： H01L29/92 文献下载
摘要：本发明提出一种多晶硅—绝缘体—多晶硅电容结构，其包括：多晶硅基底以及其上依次设置的第一多晶硅层，绝缘层以及第二多晶硅层，其中所述第一多晶硅层作为电容的一端，所述第二多晶硅层和所述多晶硅基底作为电容的另一端进一步的，该电容结构设置于有源区构成电容并联，利用有源区和第一多晶硅层构成的电容与第一多晶硅层和第二多晶硅层构成的电容并联，增加了电容值。本发明提出的多晶硅—绝缘体—多晶硅电容结构，具有更大的电容值，同时可以有效节省版图面积。
多晶绝缘体电容结构

[发明专利]一种利用多晶硅切割废料制备碳化硅粉的方法-CN201510726067.8在审
发明人：张国华;吴跃东;周国治 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2015-10-30 - 公布日： 2016-02-03 - 主分类号： C01B31/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用多晶硅切割废料制备碳化硅粉的方法。所述制备碳化硅粉的方法以多晶硅切割废料为原料，将所述多晶硅切割废料研磨过筛后加入浸出溶液进行湿法浸出除铁，经过抽滤、清洗及干燥获得除铁后多晶硅废料，在所述除铁后多晶硅废料中配加碳粉并研磨混匀，然后添加粘结剂并压块成型本发明利用多晶硅切割废料为原料，降低了生产成本低，并生产工艺简单、能耗低，获得的碳化硅粉具有强度高的特点，具有很高的商业价值。
一种利用多晶切割废料制备碳化硅方法

[发明专利]多晶硅-绝缘体-多晶硅电容器及其制作方法-CN202011587377.3在审
发明人：方玲刚 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：本发明公开一种多晶硅‑绝缘体‑多晶硅电容器及其制作方法，其中该多晶硅‑绝缘体‑多晶硅电容器包含一基底，具有一电容形成区域；一第一电容介电层，设置在电容形成区域上；一第一多晶硅电极，设置在第一电容介电层上；一第二电容介电层，设置在第一多晶硅电极上；一第二多晶硅电极，设置在第二电容介电层上；一第三多晶硅电极，设置在邻近第二多晶硅电极的第一侧壁；一第三电容介电层，设置在第三多晶硅电极和第二多晶硅电极之间；一第四多晶硅电极，设置在邻近第二多晶硅电极的第二侧壁；以及一第四电容介电层，设置在第四多晶硅电极和第二多晶硅电极之间。
多晶绝缘体电容器及其制作方法

[发明专利]多晶硅电阻器结构及其制造方法-CN201210142950.9有效
发明人：李冰寒;江红 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-05-09 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种多晶硅电阻器结构及其制造方法。根据本发明的能够调节存储多晶硅电阻的阻值和温度系数的多晶硅电阻器结构制造方法包括在衬底中形成绝缘区，其中绝缘区露出或者超出衬底的表面；在硅片表面形成第一多晶硅层，第一多晶硅层覆盖了绝缘区，其中，第一多晶硅层是原位掺杂的n型的多晶硅层；对第一多晶硅层进行P型掺杂离子注入，由此中和原先第一多晶硅层中的N型掺杂的离子；对经过注入步骤注入之后的第一多晶硅层进行刻蚀，从而留下绝缘区上的第一多晶硅层；第一多晶硅层和后续将要形成的第二多晶硅层；在硅片表面形成第二多晶硅层；以及刻蚀第二多晶硅层。
多晶电阻器结构及其制造方法