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[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202010519750.5在审
发明人：蔡巧明;张云香 -专利权人：中芯北方集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2020-06-09 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，包括第一区域和第二区域；形成位于第一区域基底上的多晶硅栅极、位于第二区域基底上的金属栅极、以及位于多晶硅栅极和金属栅极侧部基底上的层间介质层；在第二区域的层间介质层上形成覆盖金属栅极的保护层，保护层露出多晶硅栅极；在多晶硅栅极的顶面形成栅极硅化物层。栅极硅化物层形成在多晶硅栅极的顶面，有利于增加栅极接触孔插塞与多晶硅栅极之间的粘附性以及降低栅极接触孔插塞与多晶硅栅极之间的接触电阻；保护层能够对金属栅极起到保护的作用，有利于降低金属栅极受损的几率以及减小形成栅极硅化物层的过程对金属栅极的影响
半导体结构及其形成方法

[发明专利]提高多晶硅栅极刻蚀工艺稳定性的方法-CN201310256210.2有效
发明人：唐在峰;方超;任昱;张旭昇 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-06-25 - 公布日： 2013-10-16 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明的提高多晶硅栅极刻蚀工艺稳定性的方法，包括：提供一个半导体衬底，在半导体衬底上形成栅氧层；在栅氧层上形成一层氧化层；在氧化层上涂覆一层光刻胶，经刻蚀，将多晶硅栅极区域的氧化层去除，去除光刻胶；在半导体衬底上生长多晶硅层；经光刻和刻蚀，在多晶硅层中形成所述多晶硅栅极。本发明的方法，在刻蚀多晶硅栅极的过程中，通过增加一层氧化层，避免了多晶硅栅极和栅氧层的刻蚀选择比不够造成的有源区受损的现象，从而提高了多晶硅栅极刻蚀工艺稳定性和产品的电性能。
提高多晶栅极刻蚀工艺稳定性方法

[发明专利]CMOS全硅化物金属栅制备方法-CN201210206298.2有效
发明人：肖海波;鲍宇;平延磊 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-06-20 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明揭示了一种CMOS全硅化物金属栅制备方法，该方法包括：提供基底，基底具有第一多晶硅栅极和第二多晶硅栅极，在基底上沉积电介质层，去除部分电介质层，分别在第一多晶硅栅极和第二多晶硅栅极上形成开口，第一多晶硅栅极上的开口的尺寸小于第二多晶硅栅极上的开口的尺寸，沉积金属层，在第一多晶硅栅极上的开口中沉积的金属层的厚度小于在第二多晶硅栅极上的开口中沉积的金属层的厚度，进行第一次热退火并去除未反应的所述金属层，进行第二次热退火，形成具有不同的金属浓度但相同的高度的第一全硅化物金属栅极和第二全硅化物金属栅极，得到不同功函数金属栅极。
cmos 全硅化物金属制备方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110254332.2在审
发明人：蔡巧明;马丽莎 -专利权人：中芯北方集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2021-03-09 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：形成覆盖第一器件区的基底的栅氧化层；在基底上形成多晶硅栅极材料，覆盖栅氧化层；在配置区的多晶硅栅极材料中形成边缘凹槽；图形化多晶硅栅极材料以及刻蚀边缘凹槽下方的栅氧化层，保留位于栅极区的多晶硅栅极材料以及位于第二器件区的部分多晶硅栅极材料作为多晶硅栅极；在配置区内形成第一源漏掺杂区；在第一源漏掺杂区和第二源漏掺杂区的顶面形成源漏硅化物层。边缘凹槽用于减小位于配置区上方的多晶硅栅极材料厚度，使得位于配置区的栅氧化层能够在图形化多晶硅栅极材料的步骤中被刻蚀减薄或被去除，有利于防止较厚的栅氧化层对形成第一源漏掺杂区和形成源漏硅化物层的过程产生不良影响
半导体结构及其形成方法

[发明专利]多晶硅栅极的形成方法-CN201611264066.7有效
发明人：张松 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种多晶硅栅极的形成方法，包括：提供在衬底上形成了栅氧化层、在栅氧化层上形成了多晶硅层的晶圆；对所述多晶硅层进行蚀刻，形成多晶硅栅极；在所述晶圆表面形成覆盖所述衬底和多晶硅栅极的保护层；蚀刻所述保护层，将所述多晶硅栅极上方以及所述衬底表面的保护层去除，所述多晶硅栅极侧面余留的保护层形成侧墙；对所述晶圆进行湿氧氧化，在所述衬底表面形成氧化层。本发明能够将多晶硅残留氧化成不导电的硅氧化物，从而消除多晶硅残留导致的导电性异常缺陷。
多晶栅极形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110824571.7在审
发明人：蔡巧明;阎海涛;马丽莎 -专利权人：中芯北方集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2021-07-21 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：在多晶硅栅极层侧部的基底上形成第一层间介质层，第一层间介质层覆盖多晶硅栅极层的侧壁；在第一层间介质层和多晶硅栅极层的顶部形成盖帽介质层；在第一器件区中，刻蚀多晶硅栅极层顶部的盖帽介质层，在盖帽介质层中形成露出多晶硅栅极层的开口；在开口露出的多晶硅栅极层的顶部形成金属硅化物层；去除剩余的盖帽介质层；在第一层间介质层和多晶硅栅极层的顶部形成第二层间介质层；在第一器件区中，在多晶硅栅极层的顶部形成贯穿第二层间介质层的栅极插塞，栅极插塞与金属硅化物相连接。降低第一器件区基底上的第一层间介质层与其他区域基底上的第一层间介质层产生高度差的概率。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]SONOS存储器及工艺方法-CN201610621750.X有效
发明人：郭振强 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2016-08-01 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： H01L27/11568 文献下载
摘要：本发明公开了一种SONOS存储器，包括：在P阱中具有源区及漏区，源区与漏区之间为存储器的沟道区，在沟道区的硅表面，具有ONO介质层，ONO介质层之上为多晶硅栅极；多晶硅栅极两侧的ONO介质层上为多晶硅栅极的侧墙；所述侧墙为双层结构，靠近多晶硅栅极的内层为氮化硅侧墙，外层为氧化硅侧墙；所述多晶硅栅极底部栅长方向两端具有向多晶硅栅极内部凹陷的空间，该空间内填充氧化硅，使多晶硅栅极沟道两端处的介质层总厚度大于沟道区上方的介质层厚度
sonos 存储器工艺方法

[发明专利]一种闪存单元及其制造方法-CN201210246930.6有效
发明人：林志宏 -专利权人：和舰科技（苏州）有限公司
申请日： 2012-07-17 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明公开了一种闪存单元，包括半导体基板；半导体基板的上表面设置有栅氧化层，栅氧化层的上表面设置有下多晶硅栅极，下多晶硅栅极的上表面设置有介电层，介电层的上表面设置有上多晶硅栅层；上多晶硅栅层的上表面，以及上多晶硅栅层、介电层与下多晶硅栅极的一侧面均设置有氧化层；上多晶硅栅层、介电层与下多晶硅栅极的侧面的氧化层上设置有多晶硅层。本发明所述的闪存单元仅包括1.5个晶体管，且源极和控制栅极之间的间距较小，因此其面积较小，克服了传统的闪存单元的面积较大的技术缺陷，因此可以广泛应用于半导体技术领域中。
一种闪存单元及其制造方法

[发明专利]金属硅化物接触层的制造方法-CN200710094567.X有效
发明人：杜珊珊;韩秋华 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-12-13 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：金属硅化物接触层的制造方法，包括：提供具有多晶硅栅极的半导体衬底；在所述多晶硅栅极侧壁形成侧壁层；在所述半导体衬底表面、多晶硅栅极和侧壁层表面形成金属层；对具有金属层的半导体衬底执行退火工艺，所述金属层与多晶硅栅极反应，生成金属硅化物；去除未发生反应的金属层材料；通过增大或减小侧壁层施加于所述多晶硅栅极的张应力，使形成于所述多晶硅栅极上的金属硅化物的方块电阻相应的减小或增大。本发明能够根据需要调整金属硅化物接触层的方块电阻，且对其它结构或膜层具有较小的影响。
金属硅接触制造方法

[发明专利]一种具有纵向屏蔽栅的Trench MOSFET及其加工方法-CN201410122456.5有效
发明人：孙博韬;王立新;张彦飞;高博 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2014-03-28 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件技术领域，公开了一种具有纵向屏蔽栅的Trench MOSFET，包括：衬底；外延层；位于外延层顶部的源掺杂区；位于外延层内源掺杂区下方的阱区；生长在外延层上部的多晶硅栅极；位于外延层与多晶硅栅极间的栅氧化层；位于多晶硅栅极下方的多晶硅源极；位于外延层与多晶硅源极间的侧壁氧化层；位于多晶硅栅极与多晶硅源极间的隔离氧化层；覆盖多晶硅栅极及源掺杂区的表面氧化层；位于外延层的内部的源接触孔；包围源接触孔，并与阱区相连的源第二掺杂区；多晶硅源极与侧壁氧化层的总宽度大于多晶硅栅极与栅氧化层的总宽度；源接触孔底端的竖直高度小于侧壁氧化层顶端的竖直高度。
一种具有纵向屏蔽 trench mosfet 及其加工方法

[发明专利]半导体器件的制作方法及半导体器件-CN201410542467.9有效
发明人：刘焕新 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-10-14 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：其中，半导体器件的制作方法包括：提供半导体基体，半导体基体具有第一区域和第二区域，且第一区域和第二区域上分别形成有多晶硅栅极和围绕多晶硅栅极设置的介质层；形成覆盖多晶硅栅极和介质层的第一金属硬掩膜；进行退火处理，以使第一金属硬掩膜和多晶硅栅极反应生成金属硅化物；去除第一区域中的多晶硅栅极和金属硅化物以形成凹槽，并在凹槽中形成金属栅极。上述制作方法中，由于金属硅化物中键能大于多晶硅栅极中键能，使得金属硅化物的刻蚀速率小于多晶硅栅极的刻蚀速率，因此金属硅化物能够作为多晶硅栅极的保护层，减少了金属栅极的制作过程对多晶硅栅极造成的损伤。
半导体器件制作方法

[实用新型]一种沟槽型绝缘栅双极晶体管器件结构-CN201822171038.1有效
发明人：阳平 -专利权人：上海擎茂微电子科技有限公司
申请日： 2018-12-24 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：一种沟槽型绝缘栅双极晶体管器件结构,包括：沟槽区、多晶硅栅极、半导体衬底；多晶硅栅极设在沟槽区内，多晶硅栅极为沟槽结构，沟槽区设在半导体衬底中，沟槽区顶部形成多晶硅栅极凸出P型外延层表面的栅结构，沟槽区内多晶硅栅极与通过多晶硅上表面凸出P型外延层表面1‑2um的栅结构，使得沟槽区内多晶硅栅极与N+发射区无缝连接，减少了发射极和多晶硅栅极之间的交叠面积，减少了栅源电容，降低了开关延迟时间，减少了器件的开关动态损耗，改善了开关特性
多晶硅栅极沟槽区绝缘栅双极晶体管凸出器件结构无缝连接发射区沟槽型栅结构衬底半导体多晶硅栅沟槽结构开关动态开关特性开关延迟栅源电容多晶硅发射极上表面交叠

[发明专利]实现多晶硅栅极平坦化的方法-CN201610327876.6有效
发明人：雷通;严钧华 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-05-17 - 公布日： 2018-05-04 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种实现多晶硅栅极平坦化的方法，包括在衬底上生长多晶硅栅极层；在所述多晶硅栅极层上沉积氧化物层；对整个硅片进行热氧化，使得所述多晶硅栅极层的上部被氧化成氧化硅；去除所述衬底表面的所述氧化物层和被热氧化而形成的氧化硅
实现多晶栅极平坦方法

[发明专利]沟槽栅极引出结构及其制造方法-CN201610378876.9有效
发明人：卞铮 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2016-05-31 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明涉及一种沟槽栅极引出结构及其制造方法。所述沟槽栅极引出结构包括衬底、衬底表面的沟槽、以及所述衬底上的第一介质层，还包括沟槽内表面的多晶硅栅极，所述沟槽被所述多晶硅栅极部分填充，故在所述多晶硅栅极上方的沟槽内存在凹陷，所述凹陷内填充有第二介质层，所述沟槽栅极引出结构还包括金属塞，所述金属塞向下穿过所述第一介质层后插入所述第二介质层与所述多晶硅栅极之间，从而与所述多晶硅栅极连接。本发明的多晶硅栅极不需要将沟槽填满，多晶硅淀积的厚度仅与元胞沟槽的宽度设定相关，因此可以大幅降低其厚度，提升多晶硅淀积产能，降低成本。
沟槽栅极引出结构及其制造方法

[发明专利]栅极侧墙及其形成方法-CN201810107090.2有效
发明人：郭振强 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2018-02-02 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开了一种栅极侧墙，包括：由栅介质层和多晶硅栅叠加而成的栅极结构；自对准形成于多晶硅栅侧面的侧墙；多晶硅栅的顶部被回刻一定厚度且回刻后的多晶硅栅的顶部表面低于侧墙的顶部表面；层间介质层和穿过层间介质层的接触孔；延伸到多晶硅栅的顶部表面上方的侧墙部分作为多晶硅栅和邻近的接触孔之间的阻挡层，用于防止多晶硅栅和邻近的所述接触孔产生击穿。本发明公开了一种栅极侧墙的形成方法。本发明能对多晶硅栅的顶部进行保护，防止多晶硅栅顶部和邻近的接触孔之间产生击穿，提高器件的性能；多晶硅栅的回刻能通过自对准实现，不需要增加额外的光罩，工艺成本低；不会对多晶硅栅的厚度产生影响，能使多晶硅栅的性能得到很好的保证
栅极及其形成方法