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[发明专利]多晶硅还原炉控制方法、装置及电子设备-CN202010570351.1有效
发明人：杨明财;宗冰;丁小海;施光明 -专利权人：亚洲硅业(青海)股份有限公司;青海省亚硅硅材料工程技术有限公司
申请日： 2020-06-19 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： G05B19/418 文献下载
摘要：本发明提供了一种多晶硅还原炉控制方法、装置及电子设备，涉及多晶硅材料制备技术领域，该方法首先基于已启动的还原炉确定曲线集合，曲线集合包括：目标多晶硅沉积曲线、物料曲线和电流曲线；然后确定随时间变化的实际多晶硅沉积曲线，实际多晶硅沉积曲线包括多晶硅沉积的实际值，最后确定实际多晶硅沉积曲线与目标多晶硅沉积曲线的第一偏差，当第一偏差的绝对值大于第一阈值时，调节输入还原炉的物料的量，直至第一偏差的绝对值小于第一阈值。该方法通过及时调整输入还原炉的物料的量，从而控制多晶硅的生成过程，使多晶硅的还原过程不再过于依赖人工经验，简化了操作过程，提高了生产过程可重复性，保证了产品质量。
多晶还原控制方法装置电子设备

[发明专利]多晶硅电阻器结构及其制造方法、多晶硅电阻器-CN201210507657.8有效
发明人：江红 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-11-30 - 公布日： 2016-10-19 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种多晶硅电阻器结构及其制造方法、多晶硅电阻器。多晶硅电阻器结构制造方法包括：在硅片中形成隔离区；在隔离区上形成第一多晶硅层的侧壁及第一多晶硅层；在第一多晶硅层上形成隔离物及第二多晶硅层，其中所述隔离物与第二多晶硅层不完全覆盖第一多晶硅层的两端；在第二多晶硅层上形成隔离物及第三多晶硅层，其中所述隔离物与第三多晶硅层不完全覆盖第一多晶硅层的两端，且不完全覆盖的第二多晶硅层的两端；以第三多晶硅层为掩膜进行离子注入；利用金属布线连接处于第一多晶硅层两端暴露端和第二多晶硅层两端暴露端；第一多晶硅层所形成的电阻与第二多晶硅层所形成的电阻通过串联电连接以得到更大的电阻值
多晶电阻器结构及其制造方法

[发明专利]高透过率硅旋转溅射靶材的制备方法-CN202110686477.X在审
发明人：石煜;曾墩风;王志强;李小龙;田晓磊 -专利权人：芜湖映日科技股份有限公司
申请日： 2021-06-21 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供一种高透过率硅旋转溅射靶材的制备方法，通过采用6N多晶硅重掺原料和5N多晶硅高阻原料进行破碎成粉得到6N多晶硅半成品原料和5N多晶硅半成品半成品原料，将6N多晶硅半成品原料和5N多晶硅半成品半成品原料混合稀释制得杂质含量低的高纯硅粉末，这样喷涂制得的靶材杂质含量降低，尤其是B，提高靶材在镀膜过程产品的透过率，LAB值≥93%，减低客户使用成本及满足客户大尺寸产品镀膜需求。
透过旋转溅射制备方法

[发明专利]制取多晶硅的流化床反应装置-CN201110074178.7无效
发明人：王樟茂;马国维;刘国旺;罗立国 -专利权人：浙江合盛硅业有限公司
申请日： 2011-03-25 - 公布日： 2011-10-05 - 主分类号： B01J8/24 文献下载
摘要：一种制取多晶硅的流化床反应装置，包括：装置本体、含硅气进口装置、还原气进口装置、加热装置、细硅粉加料装置、产品排出装置及颗粒多晶硅收集器等。装置本体又由成品分离段、喷动流化段和流化段三部分组成。本发明装置制取多晶硅不仅产率高、节能，还可实现多晶硅制备的连续化生产和产品颗粒硅粒径可控等优点。
制取多晶流化床反应装置

[发明专利]电子级多晶硅破碎方法-CN202310420218.1在审
发明人：张天雨;田新;蒋文武;李明峰;王付刚;崔会为;袁北京 -专利权人：江苏鑫华半导体科技股份有限公司
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： B02C19/18 文献下载
摘要：本发明公开了电子级多晶硅破碎方法。电子级多晶硅破碎方法包括：将多晶硅棒切割为多个多晶硅段，所述多晶硅段的长度为10cm‑50cm；对所述多晶硅段进行加热处理；利用喷射组件向加热处理后的所述多晶硅段的柱面和至少一个侧面喷射冷却液，使所述多晶硅段破碎由此，通过先将多晶硅棒切割为较短的多晶硅段，之后通过加热和急冷处理，使多晶硅破碎为所需的尺寸，破碎效果较好。
电子多晶破碎方法

[实用新型]一种多晶硅小块料破碎装置-CN201820272707.1有效
发明人：张孝山;汪成洋;陈斌;李长龙;李有正;镡菊英 -专利权人：亚洲硅业（青海）有限公司
申请日： 2018-02-26 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： B02C19/18 文献下载
摘要：本实用新型涉及多晶硅生产领域，具体涉及一种多晶硅小块料破碎装置。本实用新型的实施例中提供的多晶硅小块料破碎装置，包括加热装置、冷却装置以及控制装置。在使用过程中，将多晶硅棒放入容纳器的容纳腔中，通过控制装置控制加热件加热至预设的温度，对容纳腔内的硅棒进行注水，待多晶硅棒产生内硬力后，将此容纳腔中的水通过排水通道放出，通过控制装置开启击碎装置以击碎多晶硅棒，多晶硅棒就破裂为小块料。本实用新型的实施例中提供的多晶硅小块料破碎装置使得多晶硅破碎速度快，效率提高；工艺简单；硅棒经过超纯水降温，达到表面硅粉清洗和冲洗，产品质量提升，单晶率提高，提高生产效率，提高自动化程度。
多晶硅小块多晶硅棒破碎装置本实用新型控制装置容纳腔硅棒击碎加热装置冷却装置排水通道生产效率质量提升超纯水加热件容纳器单晶放入硅粉硬力预设加热冲洗破碎清洗注水破裂自动化

[发明专利]多晶硅-绝缘体-多晶硅电容结构-CN200810204970.8无效
发明人：顾靖 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2008-12-30 - 公布日： 2009-06-24 - 主分类号： H01L29/92 文献下载
摘要：本发明提出一种多晶硅—绝缘体—多晶硅电容结构，其包括：多晶硅基底以及其上依次设置的第一多晶硅层，绝缘层以及第二多晶硅层，其中所述第一多晶硅层作为电容的一端，所述第二多晶硅层和所述多晶硅基底作为电容的另一端进一步的，该电容结构设置于有源区构成电容并联，利用有源区和第一多晶硅层构成的电容与第一多晶硅层和第二多晶硅层构成的电容并联，增加了电容值。本发明提出的多晶硅—绝缘体—多晶硅电容结构，具有更大的电容值，同时可以有效节省版图面积。
多晶绝缘体电容结构

[实用新型]一种多晶硅破碎系统-CN201821544021.X有效
发明人：王体虎;肖建忠;鲍守珍;蔡延国;宗冰;王生红 -专利权人：亚洲硅业（青海）有限公司
申请日： 2018-09-20 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： B02C21/00 文献下载
摘要：在本实用新型涉及多晶硅生产技术领域，公开了一种多晶硅破碎系统。本实用新型的多晶硅破碎系统包括了破碎装置，破碎装置包括用于对多晶硅进行加热的加热腔和用于对加热后的多晶硅进行冷却的冷却腔。冷却腔内具有冷却水可以对多晶硅进行冷却。利用本实用新型的实施例的多晶硅破碎系统，可以对多晶硅进行加热并冷却，使多晶硅因冷却导致的晶间应力而破碎。使用本申请中的多晶硅破碎系统减少了传统破碎方法的反复敲击过程中，破碎设备(比如合金锤、反应器)对多晶硅的接触，因此减少了多晶硅受污染的几率，生产的多晶硅品质得到改善。同时该方法减少了破碎多晶硅使用的人力，节约了成本。
多晶硅破碎系统本实用新型冷却加热破碎破碎装置冷却腔多晶硅生产破碎设备反应器加热腔冷却水敲击合金节约申请污染生产

[发明专利]多晶硅-绝缘体-多晶硅电容器及其制作方法-CN202011587377.3在审
发明人：方玲刚 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：本发明公开一种多晶硅‑绝缘体‑多晶硅电容器及其制作方法，其中该多晶硅‑绝缘体‑多晶硅电容器包含一基底，具有一电容形成区域；一第一电容介电层，设置在电容形成区域上；一第一多晶硅电极，设置在第一电容介电层上；一第二电容介电层，设置在第一多晶硅电极上；一第二多晶硅电极，设置在第二电容介电层上；一第三多晶硅电极，设置在邻近第二多晶硅电极的第一侧壁；一第三电容介电层，设置在第三多晶硅电极和第二多晶硅电极之间；一第四多晶硅电极，设置在邻近第二多晶硅电极的第二侧壁；以及一第四电容介电层，设置在第四多晶硅电极和第二多晶硅电极之间。
多晶绝缘体电容器及其制作方法

[发明专利]多晶硅电阻器结构及其制造方法-CN201210142950.9有效
发明人：李冰寒;江红 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-05-09 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种多晶硅电阻器结构及其制造方法。根据本发明的能够调节存储多晶硅电阻的阻值和温度系数的多晶硅电阻器结构制造方法包括在衬底中形成绝缘区，其中绝缘区露出或者超出衬底的表面；在硅片表面形成第一多晶硅层，第一多晶硅层覆盖了绝缘区，其中，第一多晶硅层是原位掺杂的n型的多晶硅层；对第一多晶硅层进行P型掺杂离子注入，由此中和原先第一多晶硅层中的N型掺杂的离子；对经过注入步骤注入之后的第一多晶硅层进行刻蚀，从而留下绝缘区上的第一多晶硅层；第一多晶硅层和后续将要形成的第二多晶硅层；在硅片表面形成第二多晶硅层；以及刻蚀第二多晶硅层。
多晶电阻器结构及其制造方法

[发明专利]一种多晶硅沟槽回刻蚀方法-CN201210133336.6无效
发明人：冯大贵;吴长明 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2012-04-28 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅沟槽回刻蚀方法，包括：在沟槽刻蚀后进行栅氧氧化生长和多晶硅生长；在多晶硅表面进行覆盖光阻，覆盖光阻的厚度大于沟槽上方多晶硅凹陷量；采用终点信号探测的方式进行光阻干法刻蚀，干法刻蚀采用气体其对多晶硅的选择比大于1；采用终点信号探测的方式进行多晶硅主刻蚀，且多晶硅对光阻的刻蚀率比值大于2；进行多晶硅回刻蚀。本发明利用沟槽上方多晶硅凹陷处光阻保护作用，在多晶硅主刻蚀后于沟槽上方形成多晶硅凸起，再采用回刻蚀将残余多晶硅的过量刻蚀。由于沟槽上方多晶硅是凸起的，所以能用更大的刻蚀量保证残余多晶硅的去除，最终沟槽内多晶硅的凹陷量能小于甚至没有凹陷，从而能大大改善半导体器件的电学性能。
一种多晶沟槽刻蚀方法

[发明专利]离子注入工艺的监控方法-CN201711366148.7有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：李友洪
申请日： 2017-12-18 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种离子注入工艺的监控方法包括：提供衬底，在衬底上形成第一氧化层；在第一氧化层上形成多晶硅层，对多晶硅层进行光刻与刻蚀，形成多个间隔设置的多晶硅区域、连接于多个多晶硅区域一端的第一多晶硅及连接多个多晶硅区域另一端的第二多晶硅，多晶硅区域的宽度沿预定方向依次增大；进行光刻及离子注入使得第一多晶硅形成饱和掺杂N型多晶硅、第二多晶硅形成注入掺杂P型多晶硅；在多晶硅区域及第一氧化层上形成绝缘层，对绝缘层进行光刻与蚀刻，形成对应多晶硅区域的多个开口，多个开口的宽度随着多晶硅区域的间距的增大而依次增大；利用多个开口以注入角度对多个多晶硅区域进行离子注入；进行热退火，激活注入的离子；及连接测试电压进行测试。
离子注入工艺监控方法

[发明专利]屏蔽栅功率半导体器件及制备方法-CN202310172780.7在审
发明人：徐真逸;杨飞;吴凯;张广银;朱阳军 -专利权人：江苏芯长征微电子集团股份有限公司;南京芯长征科技有限公司
申请日： 2023-02-27 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：其屏蔽栅结构包括沟槽栅多晶硅以及位于所述沟槽栅多晶硅正下方的第一屏蔽栅多晶硅；在元胞沟槽内，还包括位于第一屏蔽栅多晶硅一侧的第二屏蔽栅多晶硅以及位于第一屏蔽栅多晶硅另一侧的第三屏蔽栅多晶硅，其中，第一屏蔽栅多晶硅的下端部位于第二屏蔽栅多晶硅以及第三屏蔽栅多晶硅相应下端部的下方；沟槽栅多晶硅与栅极金属欧姆接触，第一屏蔽栅多晶硅与源极金属欧姆接触；将第二屏蔽栅多晶硅或第三屏蔽栅多晶硅中的一个配置处于浮空状态，第二屏蔽栅多晶硅或第三屏蔽栅多晶硅中的另一个配置与沟槽栅多晶硅保持等电位
屏蔽功率半导体器件制备方法

[发明专利]一种多晶硅中联合除碳杂质的方法-CN202310710337.0在审
发明人：徐凯;赵长森;牛强;李鹏;戴国强 -专利权人：内蒙古鄂尔多斯多晶硅业有限公司;内蒙古鄂尔多斯电力冶金集团股份有限公司
申请日： 2023-06-15 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明提供了一种多晶硅中联合除碳杂质的方法，属于多晶硅生产技术领域，包括新增除碳塔用来处理液相氯硅烷中的碳杂质，PSA甲烷吸附塔用来处理气相氢气中的碳杂质，通过两种除碳方式联合降低进入多晶硅产品中的碳含量，提高多晶硅产品质量，所得多晶硅产品中碳杂质浓度在0.4×1016atom/cm3以下，达到电子一级的水平。
一种多晶联合杂质方法

[发明专利]快速循环流化床化学气相沉积制备多晶硅的设备及方法-CN201110304521.2有效
发明人：张伟刚;于守泉;卢振西 -专利权人：中国科学院过程工程研究所
申请日： 2011-10-10 - 公布日： 2012-06-20 - 主分类号： C01B33/03 文献下载
摘要：本发明涉及一种快速循环流化床化学气相沉积制备多晶硅的设备及方法，属于化工技术领域。所述设备述为快速循环流化床，主要由上升管、多晶硅产品取出口、原料气入口、旋风分离器、气体出口、沉降管、硅晶种加料口、储料罐、物料循环管、流化气入口、反应区温控系统、储料罐温控系统、流量计A和流量计B组成；所述方法为使用所述设备制备多晶硅的方法，通过使含硅原料气热分解或还原产生单质硅并沉积在原料多晶硅颗粒的表面，控制反应温度，使原料多晶硅颗粒逐步长大，得到产品多晶硅粒。所述设备及方法提高了沉积效率，降低了生产成本；提高了原料气的转化率并降低能耗；通过流量计调节流化气速度，可以控制得到粒径均一的产品多晶硅。
快速循环流化床化学沉积制备多晶设备方法