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[发明专利]多晶硅场限环-CN201310177855.7有效
发明人：苏少爽 -专利权人：江西创成半导体有限责任公司
申请日： 2013-05-10 - 公布日： 2014-11-12 - 主分类号： H01L29/04 文献下载
摘要：一种多晶硅场限环，在制作高压器件场限环终端时采用半绝缘多晶硅掺杂替代传统的单晶硅掺杂以改善高压器件的耐压特性。该多晶硅场限环特点在于：制作高压器件场限环终端时采用了半绝缘多晶硅掺杂。该多晶硅场限环的实现要点包括：1)采用半绝缘多晶硅制作高压器件场限环的终端结构；2)制作高压器件场限环中半绝缘多晶硅掺杂的元素及其浓度，所述掺杂的元素包括：为使耐压特性改善在多晶硅中掺加氧、氮、磷等；3)制作高压器件场限环终端时采用了半绝缘多晶硅的制作工艺流程，所述半绝缘多晶硅的制作工艺流程包括刻蚀、多晶硅淀积、及后续的保护层。
多晶硅场限环

[发明专利]一种籽晶铺设方法、多晶硅锭的制备方法和多晶硅锭-CN201910175300.6在审
发明人：徐云飞;毛伟;何亮;雷琦;周成;李建敏 -专利权人：赛维LDK太阳能高科技（新余）有限公司
申请日： 2019-03-08 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种籽晶铺设方法，提供坩埚，在所述坩埚的底部铺设多晶硅层，然后在所述多晶硅层上形成引晶层，所述多晶硅层由若干块多晶硅片拼接而成，所述多晶硅片中的晶粒生长方向与坩埚底部表面平行，所述引晶层的材质包括原生硅纯料碎块，所述多晶硅层和所述引晶层构成籽晶层。该籽晶铺设方法中使用多晶硅层和引晶层组成籽晶层，可以显著减少扩散的各种杂质，大大降低硅锭中金属杂质，显著减少制备得到的多晶硅锭尾部红区。本发明还提供了多晶硅锭的制备方法和多晶硅锭。
多晶硅层多晶硅锭引晶铺设坩埚制备多晶硅片籽晶层种籽碎块晶粒生长方向底部表面金属杂质原生硅纯料硅锭籽晶拼接平行扩散

[发明专利]防止PMOS器件工艺中栅极多晶硅耗尽的方法-CN201210269123.6有效
发明人：陈瑜;罗啸;马斌 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2012-07-30 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种防止PMOS器件工艺中栅极多晶硅耗尽的方法，包括步骤：进行多晶硅淀积，第一段多晶硅淀积形成栅极多晶硅的底层部分，第二段多晶硅淀积形成栅极多晶硅的顶层部分，第二段多晶硅淀积中通入氧气使顶层部分中同时形成一氧化硅阻挡层；栅极多晶硅生长完成后注入硼离子；在栅极多晶硅的表面形成钨硅层。本发明通过在栅极多晶硅生长过程中使其表面形成一层氧化硅阻挡层，该氧化硅阻挡层能防止后续热过程中硼从栅极多晶硅渗透到钨硅层中，多晶硅生长完成后再进行硼离子注入，这样能有效降低硼在钨硅层中的聚集，从而能有效抑制PMOS器件工艺中栅极多晶硅耗尽的发生，使PMOS器件的阈值电压稳定。
防止 pmos 器件工艺栅极多晶耗尽方法

[发明专利]多晶硅锭冷却间风机的控制方法、装置和系统-CN201810601783.7在审
发明人：黄超;左金胜;孙雷;贾重阳 -专利权人：山东大海新能源发展有限公司
申请日： 2018-06-12 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种多晶硅锭冷却间风机的控制方法、装置及系统，该方法包括如下步骤：采集多晶硅锭冷却间的环境状态信息，其中，环境状态信息至少包括：多晶硅锭冷却间的环境温度、多晶硅锭冷却间的空间大小；基于待降温的多晶硅锭的温度，根据多晶硅锭冷却间的环境状态信息，确定多晶硅锭冷却间内冷却水泵的运行功率；根据冷却水泵的运行功率、待降温的多晶硅锭的温度和多晶硅锭冷却间的环境状态信息，确定多晶硅锭冷却间内冷却风机的运行功率；在检测到冷却水泵运行的情况下，联动控制冷却风机按照确定的多晶硅锭冷却间内冷却风机的运行功率工作。本申请根据多晶硅锭冷却间的环境状态实时调整风机的运行功率，实现了降低能耗的技术效果。
多晶硅锭冷却间运行功率环境状态信息冷却风机冷却水泵风机装置及系统环境状态技术效果联动控制实时调整申请采集检测

[发明专利]分裂栅结构的制造方法-CN201811231545.8在审
发明人：罗泽煌;张文文;许超奇 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2018-10-22 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种分裂栅结构的制造方法，包括：在晶圆表面形成沟槽；向沟槽内填充多晶硅；以设计厚度在沟槽内的多晶硅表面形成掩膜层；定量刻蚀所述掩膜层，刻蚀掉的厚度至少为所述设计厚度，以使得表面为平面的多晶硅表面裸露、且多晶硅表面凹陷部的掩膜层因厚度大于所述设计厚度而残留并作为形貌调整掩膜；向下刻蚀沟槽内的多晶硅，直至所述形貌调整掩膜从多晶硅上脱离；将脱离的形貌调整掩膜移除，沟槽内的多晶硅作为分裂栅的底层多晶硅。本发明的形貌调整掩膜在刻蚀多晶硅的过程中作为刻蚀的阻挡结构，使得凹陷处多晶硅的刻蚀速度小于其他位置多晶硅的刻蚀速度，从而最终获得表面较为平坦的底层多晶硅。
分裂结构制造方法

[发明专利]多晶硅填充方法、半导体器件制作方法及半导体器件-CN201910785416.1在审
发明人：宋金星;丛茂杰 -专利权人：中芯集成电路制造(绍兴)有限公司
申请日： 2019-08-23 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本发明提供了一种多晶硅填充方法、半导体器件制作方法及半导体器件，多晶硅沉积和多晶硅刻蚀在同一工艺腔中进行，可以避免在从刻蚀工艺腔转移到沉积工艺腔的过程中多晶硅发生自然氧化，进而避免该自然氧化层导致沟槽中前后两次沉积的多晶硅分层的问题；多晶硅沉积和多晶硅刻蚀在同一工艺腔中进行，还可以避免在从沉积工艺腔转移至刻蚀工艺腔的过程中多晶硅发生自然氧化，进而避免该自然氧化层导致的刻蚀不良问题。且采用含氟的气体刻蚀多晶硅，能使得刻蚀多晶硅后的产物为气体，避免沟槽中积聚不必要的刻蚀副产物而影响下次多晶硅沉积等后续工艺的效果，并避免前后两次沉积的多晶硅出现分层的问题。
多晶硅多晶硅沉积刻蚀半导体器件刻蚀多晶硅自然氧化层刻蚀工艺两次沉积同一工艺自然氧化工艺腔分层沉积多晶硅填充刻蚀副产物不良问题后续工艺含氟积聚制作

[发明专利]半导体器件及制备方法-CN202310636908.0在审
发明人：蔡超迁;卓红标;刘春玲 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件及制备方法，包括：在基底的表面均形成多晶硅层；对高阻多晶硅电阻区域的多晶硅层进行离子注入；在高阻多晶硅电阻区域的多晶硅层的表面形成保护层；在栅极电阻区域的多晶硅层的表面形成金属层；使用图案化的光刻胶作为掩膜，刻蚀金属层、栅极电阻区域的多晶硅层、保护层和高阻多晶硅电阻区域的多晶硅层，露出部分基底的表面，以分别形成栅极电阻、位于栅极电阻的表面的金属层、高阻多晶硅电阻以及位于高阻多晶硅电阻的表面的保护层本发明保护了高阻多晶硅电阻不被清洗剂的离子污染，进而保证了半导体器件的阻值精度。
半导体器件制备方法

[发明专利]薄膜晶体管阵列基板的制造方法-CN200810186827.0有效
发明人：萧富元;温佑良 -专利权人：中华映管股份有限公司
申请日： 2006-08-25 - 公布日： 2010-02-03 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：利用一第一半调式光掩膜在多晶硅层上形成一第一图案化光阻层；以第一图案化光阻层为掩膜移除部分多晶硅层，以形成多个第一多晶硅岛状物、多个第二多晶硅岛状物与多个第三多晶硅岛状物，其中第一多晶硅岛状物与第二多晶硅岛状物位于周边区上，且第三多晶硅岛状物位于数组区上；移除第二多晶硅岛状物与第三多晶硅岛状物上方的第一图案化光阻层；进行一沟道掺杂工艺，以于第二多晶硅岛状物与第三多晶硅岛状物内注入离子；移除第一图案化光阻层。
薄膜晶体管阵列制造方法

[发明专利]薄膜晶体管阵列基板-CN201210029815.3有效
发明人：孙铭伟;赵志伟 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2008-09-19 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：提供一种薄膜晶体管阵列基板，所述薄膜晶体管阵列基板包括基板、多个多晶硅岛以及多个栅极。基板具有显示区、栅极驱动区以及源极驱动区。多晶硅岛配置于基板上，且各多晶硅岛具有源极区、漏极区以及位于源极区与漏极区之间的沟道区，多晶硅岛包括多个第一多晶硅岛以及多个第二多晶硅岛，其中第一多晶硅岛配置于显示区以及栅极驱动区内，第一多晶硅岛具有主晶界以及次晶界，且第一多晶硅岛的主晶界仅位于源极区及/或漏极区内。第二多晶硅岛配置于源极驱动区内，且第一多晶硅岛中的晶粒尺寸不同于第二多晶硅膜中的晶粒尺寸。栅极配置于基板上，且对应于沟道区。
薄膜晶体管阵列

[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制作方法-CN200810161502.7有效
发明人：孙铭伟;赵志伟 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2008-09-19 - 公布日： 2009-01-28 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：提供一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法，所述薄膜晶体管阵列基板包括基板、多个多晶硅岛以及多个栅极。基板具有显示区、栅极驱动区以及源极驱动区。多晶硅岛配置于基板上，且各多晶硅岛具有源极区、漏极区以及位于源极区与漏极区之间的沟道区，多晶硅岛包括多个第一多晶硅岛以及多个第二多晶硅岛，其中第一多晶硅岛配置于显示区以及栅极驱动区内，第一多晶硅岛具有主晶界以及次晶界，且第一多晶硅岛的主晶界仅位于源极区及/或漏极区内。第二多晶硅岛配置于源极驱动区内，且第一多晶硅岛中的晶粒尺寸不同于第二多晶硅膜中的晶粒尺寸。栅极配置于基板上，且对应于沟道区。
薄膜晶体管阵列及其制作方法

[发明专利]多晶硅高阻结构及其制作方法-CN201711367190.0有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：胡佳威
申请日： 2017-12-18 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： H01L23/535 文献下载
摘要：本发明涉及一种多晶硅高阻结构及其制作方法。所述多晶硅高阻结构包括衬底、形成于所述衬底上的多晶硅高阻、形成于所述衬底上且环设于所述多晶硅高阻外围与所述多晶硅高阻间隔设置的多晶硅低阻、形成于所述衬底、所述多晶硅高阻与所述多晶硅低阻的钝化层、贯穿所述氧化层且对应所述多晶硅高阻的第一接触孔、贯穿所述钝化层且对应所述多晶硅低阻的第二接触孔、形成于所述钝化层上的金属层，所述金属层包括第一部分及第二部分，所述第一部分经由所述第一接触孔连接所述多晶硅高阻，所述第二部分经由第二接触孔连接多晶硅低阻
多晶硅高阻结构及其制作方法

[发明专利]内置ESD保护二极管的SGT器件及其制作方法-CN202310594164.0有效
发明人：朱伟东;赵泊然;李振道;孙明光 -专利权人：江苏应能微电子股份有限公司
申请日： 2023-05-25 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种内置ESD保护二极管的SGT器件及其制作方法，它包括N型衬底、漏极金属、N型外延层、第一屏蔽栅氧化层、屏蔽栅P型多晶硅、第二屏蔽栅氧化层、P型多晶硅、N型多晶硅、控制栅多晶硅、P型体区、源极N+型掺杂区、背栅P+型掺杂区、绝缘介质层、源极金属与钝化层；在第一屏蔽栅氧化层的中间夹有屏蔽栅P型多晶硅，在第二屏蔽栅氧化层的中间夹有P型多晶硅、N型多晶硅与控制栅多晶硅，N型多晶硅位于P型多晶硅的正面，控制栅多晶硅位于N型多晶硅的正面。
内置 esd 保护二极管 sgt 器件及其制作方法

[发明专利]多晶硅的蚀刻方法-CN03158763.1无效
发明人：铃木民人 -专利权人：雅马哈株式会社
申请日： 2003-09-24 - 公布日： 2004-05-05 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供了一种多晶硅蚀刻方法，该方法在形成多晶硅层之后，能够完全除去用多晶硅层覆盖的凸起侧壁上遗留的多晶硅残余物，同时又保留了多晶硅层的形成各向异性，并且使下面的绝缘膜免受蚀刻。在将多晶硅层沉积到基片的一个主表面上以便覆盖凸起之后，在凸起之上的多晶硅层上形成抗蚀层。通过利用该抗蚀层作为掩模，来实施等离子蚀刻工艺，从而形成该多晶硅层图形并形成栅电极多晶硅层。在第一步骤，利用HBr和Cl₂蚀刻多晶硅层直到多晶硅间隔残余物出现在凸起侧壁上为止，而在第二步骤，在5.0－10.0m Torr的压力下利用HBr去除多晶硅残留物。
多晶蚀刻方法

[实用新型]一种内层电介质可靠性测试结构-CN201520135453.5有效
发明人：许晓锋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2015-03-10 - 公布日： 2015-06-24 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本实用新型提供一种内层电介质可靠性测试结构，所述测试结构至少包括第一子测试结构和第二子测试结构；所述第一子测试结构包括若干纵向排列的第一多晶硅和若干横向排列的第二多晶硅；所述第二子测试结构包括一列纵向排列的第一多晶硅、若干条横向第一多晶硅、以及设置有若干第二多晶硅。本实用新型测试结构中的第二多晶硅尺寸更短小，可以更加真实的模拟实际器件的结构，该结构不仅可以用于第一多晶硅与第二多晶硅之间电介质可靠性的测试，还可以用于第一多晶硅与第一多晶硅之间、第二多晶硅与第二多晶硅之间
一种内层电介质可靠性测试结构

[实用新型]多晶硅CVD炉混合气进出量调节装置-CN201120176127.0有效
发明人：李严州;张华芹;程佳彪;茅陆荣 -专利权人：上海森松化工成套装备有限公司
申请日： 2011-05-30 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本实用新型多晶硅CVD炉混合气进出量调节装置包括多晶硅CVD炉进气量调节装置与多晶硅CVD炉出气量调节装置，所述的多晶硅CVD炉出气量调节装置包括多晶硅CVD炉中心出气口出气调节装置和非中心出气口出气量调节装置当多晶硅CVD炉内出现类似雾化等不良现象时，可通过调节多晶硅CVD炉进气量调节阀来降低类似雾化等不良现象；多晶硅生产前期与后期，通过调节中心出气口与非中心出气口，来控制混合气的出气量，保证混合气在多晶硅本实用新型，实施和操作简单，并能有效地提高多晶硅CVD炉的生产效率、提高多晶硅品质和降低多晶硅生产能耗。
多晶 cvd 混合进出调节装置